怎样测量双向可控硅？

1、万用脊厅表RXI低阻挡，两表笔任意接可控硅两个主电极，再用黑表笔点触一下可控硅触发极再离开，可控硅立即导通（万用表显示电阻减小），移开触发极，可控硅仍然保持导通不变（万用表读数维持没变）。

2、反向测量，对调万用表红、黑表笔测量可控硅两个主电极，黑表笔再触碰一下可控硅控制极一下再离开，可控硅被触发导通------测量过程同第1次，只是调换了可控硅两个主电极的方向测量了可控硅反向导通和维持导通的能力。

以上测量原理，实际是用万用表电阻档的电池，给可控硅加上了【正向电压】不动，再给可控硅触发极也【点触发】了一下正极电压，看看可控硅能不能导通、能不能维持导通状态。

如果你的万用表电阻档使用的电压比较高，也可以用捏黑表笔的湿手指尖，点碰一下触发极，可控硅同样会导通，缩回手指，闭野枝同样能维持，这样通过手指去触发可控硅，比直接短路触发安全有方便，这方法和测量晶体管放电能力、用手指加正偏轿敏压的 *** 作方法完全一样，只是触发可控硅的手指尖离开触发极后，可控硅仍然维持在导通状态而已。

根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控简升制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。

可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已尺咐御损坏。

扩展资料

可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。

只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

参考资料来源：百度百科-可控硅原理

参考资料来源：百度百陵岩科-可控硅

单向可控硅的检测。 万用表选电阻R*1Ω 挡，用红、黑两表敬链笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A 和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10 欧姆左右。如阳极A 接黑表笔，阴极K 接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

. 双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1Ω 挡，用红、黑两表笔分别测任意租岩两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1 和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G 极后，再仔细测量A1、G 极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G 极瞬间短接，给G 极加上正向触发电压，A2、A1 间阻值约10 欧姆左右。随后断开A2、G 间短接线，万用表读数应保持10 欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G 极间再次瞬间短接，给G 极加上负的触发电压，A1、 A2 间的阻值也是10 欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在 10 欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判弊稿御断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V 干电池，以提高触发电压。

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