1,二极管。正向导通,反向截止,导通数值为二极管压降(MV)
2,三极管。以某个脚为基点,了两边都导通为基极,之后根据压降判断集电极和发射级,一般发射结电压小。
3可控硅,先判断哪个脚位控制端,导通的一脚接红表笔的,为控制端,另一脚为阴极,剩下的阳极,把红表笔接阳极,黑表笔接阴极,之后在不断开阳极的前提下用控制极触碰阳极,之后如导通及正常
1、使用数字万用表检查可控硅
数字万用表拨至二极管挡,红表笔接某一电极,黑表笔分别 接触另外两个电极。如果其中有一次显示电压为零点几伏, 则此时红表笔接的是控制极G,黑表笔接的是阴极K,余下 的则是阳极A。假如两次都显示溢出,说明红表笔接的不是 控制极,需更换电极重测。
测试可控硅的触发能力数字万用 PNP挡,此时 hFE 插口上的两个 带负电,电压为28V。可控硅的三个电极各用一根导线引出,阳极A、阴极K 引线分别插人E 孔,控制极G悬空。 此时可控硅关断,阳极电流为零,将显示 000。把控制极 插人另一个E孔。
显示值将从000 开始迅速增加,直到显示 溢出符号后,立即又变成 000,然后再次从 000 变到溢出, 这样周而复始。采用此法可确定可控硅的触发是否可靠。但 这样的测试由于电流较大,应尽量缩短测试时间。必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的保护电阻。如果使用 NPN 挡,可控硅阳极A 应接C 孔,阴极K 孔,以保证所加的是正向电压。
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一、可控硅:
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。
二、测量方法:
鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通) [1] 。
控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R10或R1挡,防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。
可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
参考资料:
用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。
用万用表测量的方法如下:
1、T2极的确定:用万用表R1档或R100档,分别测量各管脚的反向电阻,其中若测得两管脚的正反向电阻都很小(约100欧姆左右),即为T1和G极,而剩下的一脚为T2极。
2、T1和G极的区分:将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极,万用表设置为R1档,用两表笔(不分正负极)分别接触已确定的T2极和假设的T1极,并将接触T1的表笔同时接触假设的G极,在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表仍显示导通状态。
3、将表笔对换,用同样的方法进行测量,如果万用表仍然显示同样的结果,那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表显示断开状态,说明假设的T1和G极相反了,从新假设再进行测量,结果一定正确。
如果测量不出上述结果,说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数,但判断是否可用还是可行的。
扩展资料
两极双向可控硅使用需有条件:
(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用。
(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的15~2倍来取。
(3)为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的15倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些。
一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
参考资料来源:百度百科-双向可控硅
参考资料来源:百度百科-万用表
这是一个平板型的可控硅。要判断它的好坏有两种方法:一种把它拿到晶体管特性图示仪或其它专用仪器上进行测量,进而判断其好坏;另一种是简单地用万用表进行判断。
用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。否则进行如下测量:再将黑表笔(表内电池+)接控制极(中间的引出线),红表笔(表内电池-)接阳极(离控制极较远的一个端面),此时应呈现很大的电阻,然后将表笔反过来测量,电阻值仍应呈现很大(表针基本不动),然后将黑表笔(表内电池+)接控制极(中间的引出线),红表笔(表内电池-)接阴极(离控制极(中间的引出线)较近的一个端面),此时应呈现几十~上百欧姆电阻,然后将表笔反过来测量,电阻值应比上次测量稍大(可能区别不明显)。测试结果若如上所述,则说明可控硅是好的,否则可控硅已损坏。
中间的小坑是安装时定位用的无特殊用途。
希望能对你有帮助。单向可控硅用万用表测量好坏
用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。
正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。
这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小,也难以判别两控制极是否已经短路
如阴极A接黑表笔,阴极K接红表比时,万用表的指针发生偏转,就说明这单向可控硅已经遭到损坏。
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