CPU超频内存如何时序设置

忙碌了一整天，现在才回复你，sorry。。。。
简单点说吧，内存时序和超频的关系是→当你的cpu外频调的越高，内存外频就越高，如果要使其
稳定，那么相对应的时序就要调整到高的位置才能稳定，就是这种比例关系。。。。。
其实这个问题也正好反应了，为什么现在内存频率这么高，但是性能并没有成正比提升的一个重要原因，频率虽然高了，但是延迟却延长了，他们是相互矛盾的。。。。
。。。。。。
简单分析，真心希望能给你帮助

1F12进入BIOS,在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。
2BIOS设置中可能出现的其他描述有,Automatic Configuration,Auto,Timing Selectable,Timing Configuring By SPD等,将其值设为“Menual”(视BIO
3内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS。
4预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。

内存超频差不多这样 *** 作，

调高频率；

加电压，基本上是在原有基础+015v；

调整时序，第一次，先试试看保持默认的时序，运气好如果能过测试，就可以这样用，如果不行，在原有的时序的基础上+1，不行继续加1，直到可以通过测试

下图是我自己的电脑，内存xmp的频率是3200，时序14-14-14-34，现在是超到3460，你可以看到cl调到16才稳定，其余两个15就稳定了

以频率为主时，cl值适当调节，不稳定可以加大总值（就是时序四项中最后一项）。调节到基本最大频率后，可以尝试加电压以到更大频率，ddr3的是165v，ddr4的是5v。一般频率值加一档（每档大约间隔266mhz），cl值加一。（对于同一内存而言是这样的。）比如ddr3 1600mhz cl9的内存，一般超频到2133mhz cl11，当然也可以到1866mhz cl10。（1600-1866-2133 9-10-11）再高可以尝试加电压。
当然，最重要的是体质问题。目前最好是采用三星b-die芯片的内存，比如3000mhz频率 cl14的，其次是3000mhz cl16的。ddr3最好的是镁光的1600mhz，cl8，135v的，超频到2133mhz（15v时）也只有cl9，相当给力。

例如我手上的DDR3 1333 4GB普条时序9-9-9-24-33
可以设置频率到1600，时序不变，这样性能就提升了一些。
如果往高点频率开不了机或者不稳定，那就要 加内存电压/把时序调大/内存条降频。
好的内存条往往都是以更低的时序跑到更高的频率。
例如三星c9颗粒的b die内存条，普遍都性能很好

FX5000的一般能开核正常使用的话，超频到3G问题不大~~~唯一比较麻烦的是需要调整内存时序~~6-6-61824~195NS~~~超频的话，还得考虑内存体质及CPU容错率，电压等问题。一般只要有基本超频知识，都能轻松完成。如果楼主的确完全没有基本，我只能传教程给你了

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