06V左右;微安级,试验测量结果在20- 300微安之间。
硅二极管正向管压降07V,锗管正向管压降为03V,反向饱和电流一般在10e-14A~10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。
二极管材质/工艺:硅管压降z> 锗管dao压降。而同等材质,工艺不同,压降也不同。
二极管的工作电流:同一个二极管,当前电流越大,压降越大。
压降虽然有不同,但是范围在( 零点几~1点几 ) V 范围;反向饱和电流Is 大概是uA级别,根据二极管种类不同,有差异。
扩展资料:
二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极;由N区引出的电极是负极,又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向,二极管的文字符号用VD表示。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
参考资料来源:百度百科-反向饱和电流
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