multisim 中晶体管的rbe怎么算,用晶体管模型里的参数

multisim 中晶体管的rbe怎么算,用晶体管模型里的参数,第1张

rbe由一般由基极体积电阻、PN结电阻及射极体积电阻组成射极体积电阻很小一般忽略,
基极体积电阻由晶体管工艺决定一般由数十至二、三百,PN结电阻与流过电流有关即26(mv)/i(ma) 若是晶体管则改为26(mv)/ie(ma)×β 所以 rbe=基极体积电阻+26(mv)/ie(ma)×β
26(mv)/i(ma) (为波尔兹曼微电阻常数)。

是的。
在不失真的前提下,适当提高静态工作点(使工作点电流增大),将使三极管的rbe减小,公式是:rbe=300Ω+(1+β)26/IE 。
这个IE就是静态发射极电流,它近似等于集电极电流IC。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/yw/13073501.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-05-30
下一篇 2023-05-30

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存