基极体积电阻由晶体管工艺决定一般由数十至二、三百,PN结电阻与流过电流有关即26(mv)/i(ma) 若是晶体管则改为26(mv)/ie(ma)×β 所以 rbe=基极体积电阻+26(mv)/ie(ma)×β
26(mv)/i(ma) (为波尔兹曼微电阻常数)。是的。
在不失真的前提下,适当提高静态工作点(使工作点电流增大),将使三极管的rbe减小,公式是:rbe=300Ω+(1+β)26/IE 。
这个IE就是静态发射极电流,它近似等于集电极电流IC。
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