rom是什么意思

ROM是只读存储器，英文为Read-Only Memory。

ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地，方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变，它的结构较简单，读出比较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。除了少数品种的只读存储器（如字符发生器）可以通用之外，不同用户所需只读存储器的内容不同。

为便于使用和大批量生产，进一步发展了可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和带电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。例如早期的个人电脑如Apple II或IBM PC XT/AT的开机程序（ *** 作系统）或是其他各种微高缓电脑系统中的轫体（Firmware）。

ROM类型：

1、掩膜只读存储器：英文为Mask ROM，存储的信息由生产厂家在掩膜工艺老念困过程中“写入”。在制造过程中，将资料以一特制光罩（Mask）烧录于线路中，有时又称为“光罩式只读内存”（Mask ROM），此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。

2、可编程只读存储器：英文Programmable ROM，PROM，它允许用户通过专用的设备（编程器）一次性写入自己所需要的信息，其一般可编程一次，PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1或皆为0。用户使用时，再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。

3、可编程可擦除只读存储器：英文为Erasable Programmable Read Only Memory，可多次编程，是一种以读为主的可写可读的存储器。便于用户根据需要来写入，并能把已写入的内容擦去后再改写的ROM。其存储的信息可以由用户自行加电编写，也可以利用紫外线光源或脉冲电流等方法先将原存的信息擦除，然后用写入器重新写入新的信息。

4、电可擦可编程序只读存储器：英文为Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，是一种随时可写入而无须擦除原先内容的存储器，其写 *** 作比读 *** 作时间要长得多，EEPROM把不易丢失数据和修改灵活的优点组合起来，修改时只需使用普通的控制、地址和数据总线。

5、快擦除读写存储器：英文为 Flash Memory，是英特尔公司90年代中期发明的一种高密度，非易失性的读/写半导体存储器。它既有EEPROM的特点，又有RAM的特点，是一种全新的存储结构，俗称快闪存储器。它在20世纪80年代中后期首次推出，快闪存储器的价格和功能介于 EPROM和EEPROM之间。

一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时， *** 作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）：这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。02SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。 3VRAM（Video RAM，视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。04FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）　改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。05EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写 *** 作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。。06BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。07MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。 08WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器）韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。09RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器）Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。10SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器）　这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为33V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。11SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器）SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。12SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）一般的SRAM是非同步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得 13PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。14DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。15SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器）这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。16CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。17DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。18DRDRAM (Direct Rambus DRAM)　是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。二、ROM(READ Only Memory，只读存储器)ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等。它的读取速度比RAM慢很多。根据组成元件的不同，ROM内存又分为以下五种：1MASK ROM（掩模型只读存储器）制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。2PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器）这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。3EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器）这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。4EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。5Flash Memory（快闪存储器）这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。

主流市场的6大存储技术特点如下：
1、掩膜rom，掩膜rom也称固定rom，它是由厂家编好程序，写入rom供用户使用，用户不能更改内部程序，其特点是价格便宜。
2、可编程的只读存储器prom，内容可由用户根据自己所编程序一次性写入，一旦写入只能读出，不能再进行更改，这类存储器现在也称为otp。
3、可改写的只读存储器eprom。前两种rom只能进行一次性写入，用户较少使用目前较为流行的rom芯片为eprom，内容可通过紫外线照射而彻底擦除。拆除后又可重新写入。
4、可电改写只读存储器eeprom可用电的方式写入和清除其内容，其编程电压和清除电压均与微机CPU的武威工作电压相同，不需另外加电压
5、随机存储器。
6、可现场改写的非易失性存储器。

各种类型的单片机片内程序存储器的配置形式主要有以下几种形式：
（1）掩膜（Msak）ROM型单片机：内部具有工厂掩膜编程的ROM，ROM中的程序只能由单片机制造厂家用掩膜工艺固化，用户不能修改ROM中的程序。例如：MCS51系列的8051。
掩膜ROM单片机适合于大批量生产的产品。用户可委托芯片生产厂家采用掩膜方法将程序制作在芯片的ROM。
（2）EPROM型单片机：内部具有紫外线可擦除电可编程的只读存储器，用户可以自行将程序写入到芯片内部的EPROM中，也可以将EPROM中的信息全部擦除。擦去信息的芯片还可以再次写入新的程序，允许反复改写。例如：MCS51系列的8751。
EPROM型单片机使用比较方便，但价格较高，适合于研制产品或结构要求简单的小批量产品。
（3）无ROM型单片机：内部没有程序存储器，它必须连接程序存储器才能组成完整的应用系统。例如：MCS51系列的8031。 无ROM型单片机价格低廉，用户可根据程序的大小来选择外接程序存储器的容量。这种单片机扩展灵活，但系统结构较复杂。
（4）E2ROM型单片机:内部具有电可擦除叫可编程的程序存储器,使用更为方便。例如：MCS51的派生型89C51单片机。
（5）OTP(One Time Programmable)ROM单片机：内部具有一次可编程的程序存储器，用户可以在编程器上将程序写入片内程序存储器中，程序写入后不能再改写。例如：NEC公司的μPD75P308GF3B9。这种芯片的价格也较低。

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