一、同步复位与异步复位特点：
同步复位就是指复位信号只有在时钟上升沿到来时，才能有效。否则，无法完成对系统的复位工作。
异步复位是指无论时钟沿是否到来，只要复位信号有效，就对系统进行复位。
异步复位的优点有三条：
a、大多数目标器件库的dff都有异步复位端口，因此采用异步复位可以节省资源。
b、设计相对简单。
c、异步复位信号识别方便，而且可以很方便的使用FPGA的全局复位端口GSR。
异步复位的缺点：
a、在复位信号释放(release)的时候容易出现问题。具体就是说：倘若复位释放时恰恰在时钟有效沿附近，就很容易使寄存器输出出现亚稳态，从而导致亚稳态。
b、复位信号容易受到毛刺的影响。
所以，一般都推荐使用异步复位同步释放的方式，而且复位信号低电平有效。这样就可以两全其美了
你的采纳是我前进的动力，
记得好评和采纳，答题不易，互相帮助，数字电路
1、同步电路和异步电路的区别是什么？（仕兰微电子）
2、什么是同步逻辑和异步逻辑？（汉王笔试）
同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。
3、什么是"线与"逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求？（汉王笔试）
线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上，要用oc门来实现，由于不用 oc门可能使灌电流过大，而烧坏逻辑门。 同时在输出端口应加一个上拉电阻。
4、什么是Setup 和Holdup时间？（汉王笔试）
5、setup和holdup时间,区别（南山之桥）
6、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化。（未知）
7、解释setup和hold time violation，画图说明，并说明解决办法。（威盛VIA
20031106 上海笔试试题）
Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。建立时间是指触发 器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿（如上升沿有效）T时间到达芯片，这个T就是建立时间-Setup time如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器，只有在下一个时钟上升沿，数据才能被打入触发器。 保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间。如果hold time 不够，数据同样不能被打入触发器。
建立时间(Setup Time)和保持时间（Hold time）。建立时间是指在时钟边沿前，数据信 号需要保持不变的时间。保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间。如果不满足建立和保持时间的话，那么DFF将不能正确地采样到数据，将会出现 metastability的情况。如果数据信号在时钟沿触发前后持续的时间均超过建立和保持时 间，那么超过量就分别被称为建立时间裕量和保持时间裕量。
8、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解，并举例说明竞争和冒险怎样消除。（仕兰微 电子）
9、什么是竞争与冒险现象？怎样判断？如何消除？（汉王笔试）
在组合逻辑中，由于门的输入信号通路中经过了不同的延时，导致到达该门的时间不一致叫竞争。产生毛刺叫冒险。如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象。解决方法：一是添加布尔式的消去项，二是在芯片外部加电容。
10、你知道那些常用逻辑电平？TTL与COMS电平可以直接互连吗？（汉王笔试）
常用逻辑电平：12V，5V，33V；TTL和CMOS不可以直接互连，由于TTL是在03-36V之间，而CMOS则是有在12V的有在5V的。CMOS输出接到TTL是可以直接互连。TTL接到CMOS需要在输出端口加一上拉电阻接到5V或者12V。
11、如何解决亚稳态。（飞利浦－大唐笔试）
亚稳态是指触发器无法在某个规定时间段内达到一个可确认的状态。当一个触发器进入亚
稳态时，既无法预测该单元的输出电平，也无法预测何时输出才能稳定在某个正确的电平
上。在这个稳定期间，触发器输出一些中间级电平，或者可能处于振荡状态，并且这种无
用的输出电平可以沿信号通道上的各个触发器级联式传播下去。
12、IC设计中同步复位与 异步复位的区别。（南山之桥）
13、MOORE 与 MEELEY状态机的特征。（南山之桥）
14、多时域设计中,如何处理信号跨时域。（南山之桥）
15、给了reg的setup,hold时间，求中间组合逻辑的delay范围。（飞利浦－大唐笔试）
Delay < period - setup – hold
16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max，最小为T1min。组合逻辑电路最大延
迟为T2max,最小为T2min。问，触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。（华
为）
17、给出某个一般时序电路的图，有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有 clock的delay,写出决
定最大时钟的因素，同时给出表达式。（威盛VIA 20031106 上海笔试试题）
18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。（威盛VIA 20031106 上海笔试试题）
19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号 如何改善timing。（威盛VIA
20031106 上海笔试试题）
20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入，
使得输出依赖于关键路径。（未知）
21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优
点），全加器等等。（未知）
22、卡诺图写出逻辑表达使。（威盛VIA 20031106 上海笔试试题）
23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛）
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-
well processPlot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the
operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve （威
盛笔试题circuit design-beijing-031109）
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define
the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain
26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？（仕兰微电子）
27、用mos管搭出一个二输入与非门。（扬智电子笔试）
28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and
explain which input has faster response for output rising edge(less delay
time)。（威盛笔试题circuit design-beijing-031109）
29、画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔
试）
30、画出CMOS的图，画出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 20031106 上海笔试试题）
31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。（飞利浦－大唐笔试）
32、画出Y=AB+C的cmos电路图。（科广试题）
33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。（飞利浦－大唐笔试）
34、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=AB+C(D+E)。（仕兰微电子）
35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz’。（未知）
36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化
简）。
37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。
（Infineon笔试）
38、为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什
么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知）
39、用与非门等设计全加法器。（华为）
40、给出两个门电路让你分析异同。（华为）
41、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为…（仕兰微电子）
42、A,B,C,D,E进行投票，多数服从少数，输出是F（也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0
多，那么F输出为1，否则F为0），用与非门实现，输入数目没有限制。（未知）
43、用波形表示D触发器的功能。（扬智电子笔试）
44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。（扬智电子笔试）
45、用逻辑们画出D触发器。（威盛VIA 20031106 上海笔试试题）
46、画出DFF的结构图,用verilog实现之。（威盛）
47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。（未知）
48、D触发器和D锁存器的区别。（新太硬件面试）
49、简述latch和filp-flop的异同。（未知）
50、LATCH和DFF的概念和区别。（未知）
51、latch与register的区别,为什么现在多用register行为级描述中latch如何产生的。
（南山之桥）
52、用D触发器做个二分颦的电路又问什么是状态图。（华为）
53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路？（汉王笔试）
54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路？（东信笔试）
55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16 (Intel) 16分频？
56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器，输入carryin和current-stage，输出
carryout和next-stage （未知）
57、用D触发器做个4进制的计数。（华为）
58、实现N位Johnson Counter,N=5。（南山之桥）
59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢？（仕兰
微电子）
60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL，如设计计数器。（未知）
61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别。（南山之桥）
62、写异步D触发器的verilog module。（扬智电子笔试）
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input [7:0] d;
output [7:0] q;
reg [7:0] q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述？ （汉王笔试）
module divide2( clk , clk_o, reset);
input clk , reset;
output clk_o;
wire in;
reg out ;
always @ ( posedge clk or posedge reset)
if ( reset)
out <= 0;
else
out <= in;
assign in = ~out;
assign clk_o = out;
endmodule
64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：a) 你所知道的可编程逻辑器
件有哪些？ b) 试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。（汉王笔试）
PAL，PLD，CPLD，FPGA。
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input d;
output q;
reg q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。（仕兰微电子）
66、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现10进制计数器。（未知）
67、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现消除一个glitch。（未知）
68、一个状态机的题目用verilog实现（不过这个状态机画的实在比较差，很容易误解
的）。（威盛VIA 20031106 上海笔试试题）
69、描述一个交通信号灯的设计。（仕兰微电子）
70、画状态机，接受1，2，5分钱的卖报机，每份报纸5分钱。（扬智电子笔试）
71、设计一个自动售货机系统，卖soda水的，只能投进三种硬币，要正确的找回钱
数。 （1）画出fsm（有限状态机）；（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计
的要求。（未知）
72、设计一个自动饮料售卖机，饮料10分钱，硬币有5分和10分两种，并考虑找零：（1）
画出fsm（有限状态机）；（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求；（3）设计
工程中可使用的工具及设计大致过程。（未知）
73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之。（威盛）
74、用FSM实现101101的序列检测模块。（南山之桥）
a为输入端，b为输出端，如果a连续输入为1101则b输出为1，否则为0。
例如a： 0001100110110100100110
b： 0000000000100100000000
请画出state machine；请用RTL描述其state machine。（未知）
75、用verilog ddl检测stream中的特定字符串（分状态用状态机写）。（飞利浦－大唐
笔试）
76、用verilog hdl写一个fifo控制器(包括空，满，半满信号)。（飞利浦－大唐笔试）
77、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx，其中，x
为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v假
设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。（仕兰微
电子）
78、sram，falsh memory，及dram的区别？（新太硬件面试）
79、给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9
－14b)，问你有什么办法提高refresh time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温
度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out
which nodes can store data and which node is word line control （威盛笔试题
circuit design-beijing-031109）
81、名词:sram,ssram,sdram
名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
IRQ: Interrupt ReQuest
BIOS: Basic Input Output System
USB: Universal Serial Bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language
SDR: Single Data Rate华为手机很卡怎么处理 华为手机很卡的最佳解决方法
· 请保持手机电量高于 20%：手机低电量时为了延长待机时间，保护手机，会对手机的效能进行限制。
· 解除安装第三方手机管家类软体：如果您的手机装有第三方手机管理型别的软体，请解除安装此类应用后尝试。通常此类软体与手机自带的手机管家存在冲突，会导致执行卡顿。
· 使用官方稳定版系统：如果手机已经 Root，请恢复成官方稳定版本使用。
· 及时清理后台应用：后台执行的应用程式过多时可能会导致系统卡顿，建议您及时清理后台程序。
· 重启手机：长时间未关机，会导致系统快取资料过多，手机执行状态不佳等，可尝试重启手机恢复。
· 通过手机管家更改手机设定：
点选“手机管家 > 自启管理”，关闭不需要开机时自动启动的软体。
开启“手机管家 > 清理加速”对快取进行清理。
· 暂停部分后台的下载或者档案拷贝：后台的下载或者档案拷贝等会占用系统资源，建议避免同时进行多下载任务同时进行。
· 建议定期清理手机记忆体，避免手机因记忆体剩余空间不足，导致手机使用时卡顿。
· 若装置支援 microSD 卡储存时，请拔除、更换或清理SD卡：当您的 microSD 卡储存档案过多，或使用的 microSD 卡质量较差，读写速度慢时，会导致系统在读取档案出现卡顿。如果拔出microSD卡后手机不卡顿，建议您更换正版的高速 microSD 卡，日常使用时尽量避免 microSD 卡储存过满。
· 使用网速和讯号稳定的资料网路或者WLAN：网路不稳定时会导致网路游戏延迟高，播放线上视讯、线上音乐时会出现载入慢。
· 将应用升级到最新版本：日常使用中建议及时将应用升级至最新版本，最新版本会对一些已知问题进行优化提升使用体验。
· 将系统升级至最新版本：建议您备份好资料后通过线上升级或 Hisuite 升级到手机最新版本。
· 定期清理通知提醒：建议您定期清理通知提醒，在下拉状态列中点选垃圾桶图示。
· 关闭推送直通频繁和不想接收通知的应用的通知：
点选设定>应用和通知>通知管理>选择需关闭通知应用>关闭“允许通知”。
1请保持手机电量高于 20%：手机低电量时为了延长电池使用时间，保护手机，会对手机的效能进行限制。
2如果您的手机装有第三方手机管理型别的软体，请解除安装此类应用后尝试。通常此类软体与手机自带的手机管家存在冲突，会导致执行卡顿。
3如果手机已经 Root，请恢复成官方稳定版本。
4后台应用程式执行过多会导致系统卡顿，建议您及时清理后台程序。
5重启手机：长时间未关机，会导致系统快取资料过多，手机执行状态不佳等，可尝试重启手机恢复。
6通过手机管家更改手机设定：
点选手机管家 > 自启管理，关闭不需要开机时自动启动的软体
开启手机管家 > 清理加速对快取进行清理。
暂停后台的下载或者档案拷贝：后台的下载或者档案拷贝等会占用系统资源，建议不要同时进行多工。
若装置支援 microSD 卡储存时，请拔除、更换或清理SD卡。
使用网速和讯号稳定的资料网路或者WLAN。
建议您备份好资料后通过线上升级或 Hisuite 升级到手机最新版本。
玩王者荣耀卡顿问题，可能是网路较差，或者后台执行的程式较多，还可能手指、萤幕有汗或水之类液体，建议根据不同情况解决：
1）检查网路是否良好，游戏时可以看右上角的延时显示，如果是红色说明网路延时高，游戏会存在卡顿。
2）游戏需要占用大量手机资源，建议玩游戏前清理后台应用。
3）注意手指和萤幕是否有汗或水之类的液体影响灵敏度，建议擦拭以保持萤幕和手指的干燥。
手机用起来很卡，一般是执行记忆体也就是RAM不够导致的，智慧手机在关闭软体后一般会保留到后台快取，这个快取如果不关闭会占用很大的记忆体导致手机执行速度变慢
建议您到官网下载腾讯手机管家
开启腾讯手机管家——健康优化——手机加速——优化即可，就能把后台软体快取全部都清理掉
也可以选择直接拖动桌面上的小火箭标志，发射小火箭来一键清理后台程式
腾讯手机管家清理快取包括了针对软体快取、垃圾档案、多余安装包、系统快取、软体解除安装残留的清理，可以保证手机清理的干净彻底
手机卡是因为下载快取的东西太多了，记忆体不足，执行不过来，
可通过一键加速释放空间，提升手机执行速度。
可装腾讯手机管家，它推出小火箭实现休闲一键式手机桌面加速功能。
加速后一般可以提升手机百分之35的执行速度。
及时清理快取档案和垃圾档案，
开启腾讯手机管家—健康优化—垃圾清理—垃圾扫描—完成。
华为手机卡顿怎么处理
卡顿的原因有很多，可以尝试按照下述进行手机优化。
1、可能是较多的后台程序会占用较多CPU，导致卡顿。
解决方法：
点选萤幕下方“方块键”（部分手机为长按“方块键”），从萤幕底端向上滑动（或点选垃圾桶图示），清理后台程序。
2、可能部分应用有后台执行保护或者自动启动许可权，也会导致后台执行程式占用较多CPU，导致卡顿。
解决方法：
通过手机管家更改部分手机设定：
a．开启设定>全部设定>受保护的后台应用（EMUI 40及以上平台：手机管家>剩余xx%>受保护应用（或锁屏清理应用）），关闭不需要的后台执行软体。
b．开启设定>开机自动启动(EMUI 40及以上平台：手机管家>自动启动管理)，关闭不需要开机时自动启动的软体。
c 开启手机管家>加速优化（或清理加速）>设定，勾选手机执行缓慢提醒，当手机有此提醒时请将手机进行优化。
3、后台的下载或者档案拷贝等会占用系统资源，也会导致卡顿。
解决方法：
暂停后台的下载或者档案拷贝，建议不要同时进行多工。
4、当SD卡储存档案过多，使用的SD卡质量较差，读写速度慢时，会导致系统在读取档案出现卡顿。
解决方法：
拔除、更换或清理SD卡，建议更换从正规渠道购买的高速 microSD 卡（如闪迪、三星等大品牌class10的卡），并尽量避免SD卡储存过满。
5、网路不稳定时会导致网路游戏延迟高，播放线上视讯、线上音乐时会出现载入慢，感觉卡顿。
解决方法：
使用网速和讯号稳定的资料网路或者WLAN。
6、长时间未关机的话，会导致系统快取资料过多，手机执行状态不佳等。
解决方法：
可尝试重启手机恢复。
7、手机服务（或会员服务）>自助服务（服务页签下）>效能优化，根据萤幕显示内容，使用适当的优化方法。
8、一般系统升级会提升手机效能，建议备份好资料后通过线上升级或 Hisuite 升级到手机最新版本尝试。
开启手机管家，选择合适的省电模式。
清理后台执行的联网应用程式。
关闭上网慢的应用后重新开启。
关闭移动资料后重新开启或重启手机后再试。
进入设定 > 更多 > 行动网路 > 接入点名称 (APN)，然后点选 > 重置为预设设定 将 APN 重置为预设 APN。
解除安装不常用软体。
步骤：
一、如果手机卡顿的话，可以按照以下方法进行 *** 作：
如果是玩游戏卡顿的话：建议根据需要选择合适的省电模式。在其他手机上对比体验，如果在其他手机上也卡顿的话，可能是游戏本身待优化问题的。如果是联网游戏，建议检查网路状态的，网路不稳定会对效能带来影响的。
如果是升级后卡顿的话：手机升级版本后因为手机内应用比较多的，部分应用还未进行后台优化（安卓系统50以上版本设计如此）或者后台正在做应用优化工作，导致手机短暂的卡顿。尤其是手机内安装的应用越多，这个现象越明显的。手机优化应用完成后就会恢复的。建议可以解除安装第三方管家类应用的，然后重启手机尝试的。尝试备份资料后恢复出厂（备份好手机资料到SD卡、电脑或者华为云端）的。
如果是浏览网页、观看线上视讯或听音乐卡顿的话：要确认手机移动资料网路或者WLAN网路状态是否良好的。网路状态不佳的话，网页会重新整理缓慢，造成卡顿的现象的。建议尝试更换其他同类型应用观察是否卡顿的。
备注：如果以上方式无法解决的话，建议备份好资料，携带保修凭证或者购机发票，前往当地的华为授权售后服务中心进行检测的。
华为手机sim卡被锁怎么处理
1、如果是SIM卡被锁提示输入PUK码 那么请联络SIM卡运营商解锁卖卡的地方；
2、若没有提示，是SIM卡被锁，请联络华为服务中心，由工程师给 *** 作解锁。
1 一边充电一边使用手机，会使通过锂电池的电路密度（current density）相比于非充电状态下使用的手机电池会大大升高。电路密度的升高会导致锂电池内部电压降增大，电化学能更多地转变为库伦热，热能的产生进一步使锂电池内阻增大，进而继续增大锂电池内阻和产生的库伦热，。。。，形成恶性回圈。最终，过电压增大，手机背部设定的安全电压感测器所检测到的锂电池的充放电电压已不是真是充放电电压，结果真是电压会超出规定的安全电压电势窗（potential window）或截止电压（cut-off），导致锂电池电极材料化学结构及成分遭到破坏，材料结构坍塌，效能下降，如果严重的话，会导致电池鼓包甚至爆炸。
2 继上述内容里的“升温”部分：一边充电一边使用手机，会导致温度升高，锂电池电极的电化学环境被迫改变。正常状态下，锂电池的电化学环境处于亚稳态（metastable state），在亚稳态下负极材料表面（anode surface）上长期电极钝化所形成的稳定的固体电解质膜（solid electrolyte interphase，SEI膜）会在突发的非稳态下分解、溶解到电解液（electrolyte）里。但SEI成分复杂，其实难真正意义地被电解液物理溶解。尽管，SEI膜是锂离子的良导体，但其锂离子导电机理并非等同于固态锂离子电解液，效能方面，两者更是不能相提并论（详见JES上相关论文）。所以，其结果是电解液被污染，锂离子导电性（ionic conductivity）下降，电池内部极化（polarization）增大，电池材料利用率（utilization efficiency）下降，电池回圈效能（cycling performance）和倍率效能（rate capability）都降低。
3 继上述第二条中SEI膜分解：分解后的SEI膜使电极材料表面暴露于电解液环境。SEI膜可不是善类，不会很老实滴！所以，在后面的充放电过程中，SEI膜会在电极材料表面重新形成，越来越厚。这个新形成的SEI膜并非是原来分解掉的SEI的二次沉积，而是由电解液成分的电化学分解、沉淀所重新形成的。这个过程是严重损害电解液的，因此会使电解液效能下降，电池效能降低。
4 继上述三条：过电势太大还继续充放电。本来锂电池的cut-off会保护电池，保养电池，但由于SEI的破坏与重塑所引起的过大的电池过电势的存在，电极材料的电化学充放电深度（depth）增大，电极材料结构稳定性、形貌全部遭到破坏，微观结构坍塌，内阻（离子电阻和电子电阻）增大，因此，锂电池效能下降，电量不如以前。
比如淬火得到马氏体是一种热处理强化；
Ti，V，Ni的合金相强化也可以通过热处理得到；
而渗碳啊类似的也称之为热处理强化。mickey6596(站内联系TA)热处理强化一般就是使其组织得到均匀、细化，从而达到强化的效果。engle028(站内联系TA)不同的热处理会产生不同的强化效果 通常固溶强化 沉淀硬化（第二相强化） 细晶强化都是通过热处理获得的 而你所说的属于沉淀强化并且也不是通过高温才产生的seawings(站内联系TA)从相变、晶界、相界、缺陷组织、析出多方面都可以考虑切入yankefei(站内联系TA)也有相变强化phoenixking(站内联系TA)并不一定是生成强化相的强化哦。。。 相结构转变（没有新相生成，比如a或者r相等的相互转变）或者晶粒结构的改善（再结晶）都可以啊。。gkcgkc(站内联系TA)热处理强化一般要解决的是冶金工艺中无法彻底解决的问题（例如，合金成分偏析，或改善晶界的共晶相，等等），是通过何种方法强化（如相变强化、沉淀强化等等），还是要通过具体材料、具体产品做具体分析。
你的理解有个问题，热处理并不一定全在温度高的情况下。
1通过控制材料的相变过程来实现强化效果；
2淬火后使某些元素在基体中处于过饱和状态，具有固溶强化效果；
3热处理包括两个基本因素是温度和时间，所以，热处理可以消除内应力，促进原子扩散使合金均匀化，即优化材料基体质量产生的附加强化效果；
4 使处于过饱和状态的元素以析出相的形式从基体中弥散析出，产生弥散强化效果。
当然热处理后是不是一定达到强化效果跟你的热处理方案设计有关；
可以这么理解：
1通过控制材料的相变过程来实现强化效果；
2淬火后使某些元素在基体中处于过饱和状态，具有固溶强化效果；
3热处理包括两个基本因素是温度和时间，所以，热处理可以消除内应力，促进原子扩散 谢谢你的指点，但是我还是有一个地方不明白，你说 淬火后使某些元素在基体中处于过饱和状态，具有固溶强化效果；这些过饱和的元素是不是会析出来呢？这样不就是弥散强化了吗？longmei_(站内联系TA)Originally posted by 芊芊5953 at 2010-03-31 10:06:34:
谢谢你的指点，但是我还是有一个地方不明白，你说 淬火后使某些元素在基体中处于过饱和状态，具有固溶强化效果；这些过饱和的元素是不是会析出来呢？这样不就是弥散强化了吗？ 过饱和状态可以理解呈一个亚稳态，但是通常情况下从亚稳态过渡到稳定状态（比如你说的弥散析出）是需要克服一个能量势垒的，这也是亚稳态存在的一个能量依据（比如非晶体材料），当然对此状态进行时效处理会有析出相的，这是同一过程的不同阶段。
过饱和元素引起基体晶格畸变，产生强化效果。dffeminem(站内联系TA)热处理 有正火 退火 淬火+回火 形变热处理 化学热处理等 各有特点 强化一般有 细晶强化 形变强化 固溶强化 时效强化 。而热处理强化是综合利用几种强化手段。如淬火中马氏体强化机理包括 碳的过饱和强化，行程细小孪晶或大量位错的亚结构强化 还有自回火是的时效强化等 ，或者奥氏体基钢材的固溶加时效强化。不同的热处理方法是通过不同的加热保温冷却，利用固态相变等得到要求的组织从而达到要求的性能。芊芊5953(站内联系TA)Originally posted by longmei_ at 2010-03-31 10:55:48:
像>>
问题二：热处理的作用是什么？ 钢的热处理是将固态钢采用适当的方式进行加热、保温和冷却，以获得所需组织结构与性能的一种工艺。
热处理的特点是改变零件或者毛坯的内部组织，而不改变其形状和尺寸。
能进行热处理强化的材料必须满足：⑴有固态相变；⑵经冷加工使组织结构处于热力学不稳定状态；⑶表面能被活性介质的原子渗入从而改变表面化学成分。
经过热处理的材料，可以提高硬度、强度，使经过热处理的材料提高使用寿命；也可以降低硬度、强度，使材料易于加工。
问题三：铝合金的热处理强化方法和钢的有何不同？ 铝合金的强化叫固溶+时效，定义百度下。 当然不锈钢也穿这种强化方式。钢的种类就多了 渗碳 淬火 什么什么的 具体点，楼主是实际问题，还是写文章啊？
问题四：为什么热处理是最经济的强化方法 热处理通过细晶强化，固溶，弥散，应变等方式强化，技术成熟，效果有保证。材料的强度得到较大的提升，这样在同样大小力的作用下，可以减少材料的面积，也就能节省材料，一般还可以提高其使用寿命。
问题五：对于不能用热处理方法强化的材料，可采用什么工艺方法强化 金属强化的途径主要有三个方面：合金化(加入合金元素)、热处理(改变金相组织)、冷作变形(加工硬化)。
可见，冷作变形是工艺方法强化的又一途径，但是有条件的，且强度提高的幅度均比不上前二种。
问题六：热处理有那几种 各有什么作用 1）：退火：指金属材料加热到适当的温度，保持一定的时间，然后缓慢冷却的热处理工
艺。常见的退火工艺有：再结晶退火，去应力退火，球化退火，完全退火等。退火的目的：
主要是降低金揣材料的硬度，提高塑性，以利切削加工或压力加工，减少残余应力，提高组
织和成分的均匀化，或为后道热处理作好组织准备等。
（2 ）：正火：指将钢材或钢件加热到 或 （钢的上临界点温度）以上，30～50℃ 保持适当时间后，在静止的空气中冷却的热处理的工艺。正火的目的：主要是提高低碳钢的 力学性能，改善切削加工性，细化晶粒，消除组织缺陷，为后道热处理作好组织准备等。
（3）：淬火：指将钢件加热到 Ac3 或 Ac1（钢的下临界点温度）以上某一温度，保持一
定的时间，然后以适当的冷却速度，获得马氏体（或贝氏体）组织的热处理工艺。常见的淬
火工艺有盐浴淬火，马氏体分级淬火，贝氏体等温淬火，表面淬火和局部淬火等。淬火的目
的：使钢件获得所需的马氏体组织，提高工件的硬度，强度和耐磨性，为后道热处理作好组
织准备等。
（4）：回火：指钢件经淬硬后，再加热到 以下的某一温度，保温一定时间，然后冷
却到室温的热处理工艺。常见的回火工艺有：低温回火，中温回火，高温回火和多次回火等。
回火的目的：主要是消除钢件在淬火时所产生的应力，使钢件具有高的硬度和耐磨性外，并
具有所需要的塑性和韧性等。
（5）：调质：指将钢材或钢件进行淬火及高温回火的复合热处理工艺。使用于调质处理的钢称调质钢。它一般是指中碳结构钢和中碳合金结构钢
问题七：铝合金的强化除了热处理强化外,还可以进行什么强化 还有固溶强化和冷变形强化（加工硬化）。
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