12n60u场效应管参数

12n60u场效应管参数是：。功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS（on）≤5．1Ω、带阻尼。12N60C也是功率场效应管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS（on）＝0．65Ω、带阻尼。

mos管跟内阻有很大的关系如果mos管升温很高的话，说明内阻很大，反之。这些元器件没有绝对的好坏之分，关键是看跟你电路的的匹配程度，仙童mos，IR的mos算是好的，大品牌，但是跟你的电路不匹配，照样也不能说好。mos管做精确的检测，可能在国内很少有企业买得起这个设备。CS2N60的mos管2A600V很常见的mos管，国内已经做得很好了，也不需要用什么来转换了

12N60C可以代换2N60的。

2N60是功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS（on）≤5．1Ω、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS（on）＝0．65Ω、带阻尼。

所以12N60C是可以代换2N60的。

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；

场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件，场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极－源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

12N60是最大电流12A耐压600的场效应管，一般用作开关电源的开关管，而75N75是最大电流75A耐压75V的场效应管，一般用作逆变器的开关管，还有电动车控制器的功率管

扩展资料：

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，其中，N是负极的意思。

N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。

参考资料：

百度百科-三极管

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