cmos反相器的保护电路

cmos反相器的保护电路,第1张

输入电压的范围在0-VDD范围内正常,保护电路不起作用。
以CC400为例,也就是课本上的b图。当输入电压大于VDD+VDF时,二极管D1通,相当于导线对吧,如果再大一点,电压会烧坏这个二极管,那么电流会选择经过电阻RS和没有名字的二极管到VDD去(根据电位高低来看) 这时候,VG处的电压,就等于Vdd加上未命名二极管反向压降(我们认为也是Vdf),就相当于将VG钳位于该电压这句专业术语,此时就能保证C2两端电压的大小,不会造成三极管的损坏。同样的,当输入电压小于二极管反向压降的时候,D2导通,这时候VG的值就是反向压降-Vdf,而计算就发现,这个时候C1 两端的电压和上面分析得到的C2两端电压一样大,起到了保护作用。这里解释一下,电容是CMOS管的等效电容,你看它画的是虚线,表示不实际存在。所以保护了电容,在一定意义上就是在保护CMOS管,保护这个门电路。

不知你问的电流是那个电流。。
T1导通,压降很小,所以T2的漏极电压近似为VDD。若接上负载则有电流。。
其实T2并非一点电流没有,它在截止时存在一个亚阈漏流,可近似为电流为0,这是二级效应,你有兴趣可以查一下。
不知对你有没有帮助,你要是要想了解的更多些,可以去看一本书,介绍的比较全《CMOS超大规模集成电路设计》或英文名《cmos VLSI design》

这个显然是指CMOS反相器的输出阻抗。它的说法好像不太对。应该这样说:

在驱动器输出端,阻抗由漏极和源极之间的开启电阻Ron来控制。

CMOS反相器的输出端任何时候都有一个管子连到电源或者地(不是NMOS就是PMOS)。这就决定了输出阻抗很低,带载能力很强。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/yw/13210132.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-06-21
下一篇 2023-06-21

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存