欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
LTC4411, 凌特公司(Linear Technology)推出的低损耗 Power Path控制器,能够控制一个集成 P沟道MOSFET,为电源切换或负载共享提供近于理想的二极管功能。在导通时,MOSFET的电压降至28mV,比同类别的肖特基二极管低十倍。为了延长的电池寿命、低输入电压运行或产生热量最小化而采取多重电源“或”方式时,可使功率耗散和压降最小化。此外,LTC4411具有多种保护功能,如电流限制、温度保护、以及输入电源的反向电流监测保护,提高了系统的可靠性。LTC4411的逻辑电平输入管脚简化了微控制器接口,而开路漏极状态管脚指示LTC4411 的导通状态。该管脚可用于驱动一个外置 P 沟道MOSFET 栅极,以在两个输入电源之间进行转换。工作电压在 26V 到 55V 之间,采用 SOT-23封装。应用范围包括以电池驱动和 AC/DC 输入的器件、负载共享和低电压备份电源系统。LTC4411 包含一个 140mOhm P沟MOSFET。在正常正向运行期间,通过MOSFET 的压降能够被调节低至 28mV。在负载电流高达 100mA时的静态电流低于40uA。如果输出电压超过输入电压,MOSFET 就会被切断,从 OUT 到 IN 的反向电流低于1uA。最大正向电流限制在一个恒定的26A(典型值),而内部温度限制电路可在出现差错时保护部件。在关断时,此芯片 耗电小于25uA。
赞
(0)
打赏
微信扫一扫
支付宝扫一扫
如何设置qq群成员头衔
上一篇
2023-06-21
电风扇转速慢无力怎么维修
下一篇
2023-06-21
评论列表(0条)