电动机控制器中MOS的作用是什么？

功率mos在电动车控制器中的作用非常重要就不多说了，简单来讲mos的输出电流就是用来驱动电机。电流输出越大（为了防止过流烧坏mos，控制器有做限流保护），电机扭矩就强，加速就有力（电机磁饱和前扭矩和相电流成正比）。
mos在控制器电路中的工作状态。开通过程（由截止到导通的过渡过程），导通状态，关断过程（由导通到截止的过渡过程），截止状态，还有一非正常状态，击穿状态（小能量电流脉冲往往是可恢复击穿，即mos不会损坏）。
Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗（不同mos这个差距可能很大），尤其是pwm没完全打开，处于脉宽调制状态时（对应电动车的起步加速状态），而最高急速状态往往是导通损耗为主。
Mos损坏主要原因：过流，大电流引起的高温损坏（分持续大电流和瞬间超大电流脉冲导致结温超过承受值）；过压，源漏级大于击穿电压而击穿；栅极击穿，一般由于栅极电压受外界或驱动电路损坏超过允许最高电压（栅极电压一般需低于20v安全）以及静电损坏。

MOS值是衡量通信系统话音质量的一个重要指标。

目前，MOS测试DT的方法主要是通过语音盒单元连接手机主叫的语音链路。所述通话手机的下行MOS值是通过所述通话手机发送标准语音波形实现的，所述通话手机通过网络到达。

将接收到的波形与发射出的波形进行比较计算，得到下行MOS，上行MOS是相反的过程。对于主叫手机的下行MOS值也为被叫手机的上行，因此主、被叫手机的MOS值是一样的。

影响MOS的主要因素：

由于PESQ算法考虑了整个信号传输过程的中断和衰减，而不仅仅是空气接口部分，影响MOS的主要因素有:语音编码方案(AMR、HR、FR或EFR)、Abis传输、Abis压缩、不连续传输(DTX)、C/I、开关频率和质量(RxQual)。对MOS等的影响。

目前影响MOS水平的最重要因素是语音编码方案，其次是频繁切换、LAPD压缩和质量(RxQual)。总之，在目前语音编码不变的前提下，合理控制过覆盖，减少频繁切换，尽力提高网络质量(RxQual)，从而提高部分MOS的水平。

扩展资料：

在国际标准中，统一使用MOS值来评价系统接收到的压缩语音质量:5优;4好;3可以接受;2差;糟糕，非常类似于俄罗斯教育系统的5分制。

如果我们衡量一个清晰的声音所需要的注意力的程度:5点是在没有注意力的情况下听;4 要点是需要一点注意听;3点是需要一定的注意力去听;2 需要相当注意的是很少听到;第一点是注意力很难被听到。

在MOS值语音质量评价方法中，将有线电话的语音质量标准设置为4点。如果使用一种算法来压缩语音，对于没有经过专门训练的耳朵来说，是不可能区分语音是否被压缩的。结果表明，语音质量已达到有线电话的水平，表明语音质量已达到4个点。

在实际网络中，无线语音MOS值为25-4点。语音MOS值测量有专门的MOS测试仪。一些设备制造商正在寻找网络端BLER与终端端的MOS测量之间的关系，预测和分析网络端的语音MOS值，从而达到测量语音质量而不是MOS测试仪的目的。

参考资料：

百度百科-平均主观意见分

MOS电路中应用最广泛的为CMOS电路，CMOS数字电路中，应用最广泛的为4000、4500系列，它不但适用于通用逻辑电路的设计，而且综合性能也很好，它与TTL电路一起成为数字集成电路中两大主流产品。CMOS数字集成电路电路主要分为4000（4500系列）系列、54HC/74HC系列、54HCT/74HCT系列等，实际上这三大系列之间的引脚功能、排列顺序是相同的，只是某些参数不同而已。例如，74HC4017与CD4017为功能相同、引脚排列相同的电路，前者的工作速度高，工作电源电压低。4000系列中目前最常用的是B系列，它采用了硅栅工艺和双缓冲输出结构。
Bi-CMOS是双极型CMOS（Bipolar-CMOS）电路的简称，这种门电路的特点是逻辑部分采用CMOS结构，输出级采用双极型三极管，因此兼有CMOS电路的低功耗和双极型电路输出阻抗低的优点。

应用领域：LED驱动电源，舞台灯、帕灯、车灯等LED照明应用；无线充、快充、移动电源、太阳能电源、POE电源；电子点烟器、无刷电机；美容仪、香薰机、补水仪、加湿器、脱毛仪、雾化器、电动牙刷等小家电电源开关应用。

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