图纸上显示下MLC3324和上LC3309怎么布置又是啥意思？

天津市人民政府颁发的“敬老卡”不仅是65岁以上老人免费乘坐公交车的凭证，同时也具有城市卡的其他功能。即：充值后可在城市一卡通已开通的地铁、轻轨、出租、自来水、燃气等领域刷卡使用，并享有相应的折扣。
据介绍，“敬老卡”使用时不分正反面，只要将卡平行贴近公交车上刷卡机的感应区，听到刷卡成功的提示音即可。卡片也可放在钱包或手袋内，毋须取出。为方便老年人有效安全地使用和保管好“敬老卡”，市交通港口局提醒注意：不要将卡弯折、涂写、刮花、打孔、剪角、撞击卡片或将卡接近高温物品，以免影响使用。
另外，为保证7月1日起老年人出行“证改卡”实施，市公交集团对所属的6000多部运营车辆的车载机全部进行系统升级。昨天上午，公交集团还邀请了部分老年乘客代表亲身体验刷卡。
同时，市公交集团在656路、857路、878路等87条线路，今年投放的第二批352部新车于昨日投入运营，同时组织部分老年乘客上车体验试乘车试刷卡。

SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元
2009年TLC架构正式问世,代表1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般,这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火,之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上
TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高,对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品,则一定要使用SLC或MLC芯片
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机,都必须要使用SLC或MLC芯片,因此这两种芯片都处于缺货状态,而TLC芯片却是持续供过于求,且将整个产业的平均价格往下拉,使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时,出现罕见的市场规模缩小情况发生,从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元,减少65%
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵（约MLC 3倍以上的价格）,约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次
目前,安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片读写速度：采用H2testw v14测试,三星MLC写入速度: 428-559 MByte/s,读取速度: 122-129 MByte/s三星SLC写入速度: 85MByte/s,读取速度: 143MByte/s
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命
MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC容量大了一倍,寿命缩短为1/10
TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20
闪存产品寿命越来越短,现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番
什么是SLC
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 主要由三星、海力士、美光、东芝等使用
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术
什么是MLC
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存主要由东芝、Renesas、三星使用
英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分）,然后利用不同电位（Level）的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势
与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入
其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右SLC架构比MLC架构要快速三倍以上
再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗
虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求

固态硬盘SSD的存储介质是NAND闪存。NAND闪存的质量直接决定了固态硬盘的寿命和性能。
目前市面上NAND主要分为SLC，MLC，TLC，以及QLC。其中，QLC产品在网上还买不到。目前市场上买到的SSD主要是MLC SSD和TLC SSD，其中，TLC SSD占大多数。
MLC SSD的寿命要比TLC SSD长，但价格也会相对贵一些。在这里，我们列出一些基于MLC NAND的SSD，供大家参考。其中，MLC SSD基于接口协议的不同，分为SATA SSD和PCIe SSD
第一款：美光(Micron)旗下品牌 英睿达(Crucial) BX300系列 SATA SSD
这款SSD采用的是美光原厂32层3D MLC NAND 容量选择有120GB/240GB/480GB三种选择。接口是25英寸SATA3，主控采用的是台系主控厂商慧荣科技SM2258，最大顺序读写速度分别是555MB/s和510MB/s 提供三年质保。120GB参考价格为359RMB
第二款：建兴(LITEON) 睿速系列 T10 PCIe/NVMe SSD
建兴T10 PCIe NVMe SSD采用的NAND闪存是东芝15nm MLC，主控是台系群联Phison PS5007，接口是M2, 支持PCIe 304, NVMe协议。最大顺序读写速度分别是2300M/s和1200MB/s 提供三年质保。120GB参考价格为499RMB
第三款：金士顿(Kingston) MS200系列 SATA SSD
这款SSDNow mS200 SSD采用的是东芝 MLC NAND 容量选择有60GB/120GB/240GB/480GB四种选择。接口是mSATA接口，如下图。主控采用的是LSI SandForce 2241，最大顺序读写速度分别是550MB/s和520MB/s 提供三年质保。120GB参考价格为439RMB

固态硬盘共有三种闪存类型，分别为SLC、MLC以及TLC；

SLC全称为Single-LevelCell，单层单元闪存。SLC为NAND闪存架构，其每一个单元储存一位数据，但是SLC生产成本较高，晶片可重复写入十万次。SLC的特点是成本高、容量小、速度快

MLC 全称为Multi-Level Cell，多层单元闪存，MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较高。MLC的特点是容量大成本低，但是速度相较于SLC更慢。

TLC全称为Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。现主流的SSD多数都采用最新的3D NAND闪存堆叠技术，基于该技术可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升。东芝已研发96层3D BiCS FLASH存储单元。

为什么SLC速度快寿命更长呢？SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态。而MLC架构每Cell需要存放2个bit，即电平至少要被分为4档，TLC则为8档，QLC则为16档。

SLC每Cell只有开和关两种状态,非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。而MLC有四种状态，意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏。

而SLC价格更贵的原因在于SLC的一个Cell只存1bit数据，MLC、TLC、QLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据，但芯片的体积并没增加，等于压缩存储了数据，这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大，因此，MLC、TLC、QLC的自然价格就便宜了。

目前，SLC在消费电子领域几乎绝迹，MLC也越来越少，TLC已经成为主流。Intel发布QLC闪存的660P SSD，则吹响了QLC进攻的号角。

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