什么是扇入和扇出

扇入：是指直接调用该模块的上级模块的个数。扇入大表示模块的复用程序高。

扇出：是指该模块直接调用的下级模块的个数。扇出大表示模块的复杂度高，需要控制和协调过多的下级模块；但扇出过小（例如总是1）也不好。

扇出过大一般是因为缺乏中间层次，应该适当增加中间层次的模块。扇出太小时可以把下级模块进一步分解成若干个子功能模块，或者合并到它的上级模块中去。

扩展资料：

一个模块调用其他模块的个数，称为该模块的扇出。扇出越大，设计该模块时需要考虑的问题就越多，因而复杂性越高。

一个模块被其他模块调用的个数，称为该模块的扇入。扇入大些，一般不会影响问题的复杂性，而且扇入越大，说明该模块的复用性越好。

大一般是因为缺乏中间层次，应该适当增加中间层次的模块。扇出太小时可以把下级模块进一步分解成若干个子功能模块，或者合并到它的上级模块中去。设计良好的软件结构，通常顶层扇出比较大，中间扇出小，底层模块则有大扇入。扇入：一个门的输入定义为门的输入的数目。

在软件设计中，扇入和扇出的概念是指应用程序模块之间的层次调用情况。按照结构化设计方法，一个应用程序是由多个功能相对独立的模块所组成。

参考资料：扇入 百度百科 扇出 百度百科

当时都没有听过这个词，结果很茫然。后来工作中用到了CPLD，逐渐了解到扇出的概念，但是很笼统，只知道是输出驱动的问题。由于CPLD只是用于光电编码器的4倍频可逆计数，然后通过一种RAM的读写方式送给单片机，速度不高，并没有出现这个问题，所以也就一直没有深究这个问题。今天一时兴起，baidu了一下“扇出”，搜到了一个blog，上面好多人给出了比较详细的解释，看完之后觉得受益匪浅，决定记录下来。扇出的能力主要是由管子的静态特性和动态特性来决定。所谓的静态特性，就是前一级的管子对后级的直流电流驱动能力，而能使其稳定工作于Q点，就是其电阻性的表现，也叫DC-Load而 动态特性是指电路对于电压切换速度方面的需求（就是高低电压互相切换的速度）。因为无论是线上还是管子本身都有一个等效的容值，这个速度就是电容的充放电时间，也就是RC常数。这时表现为容性，也叫AC-Load.当扇出数超过某个值的时候，电压的切换速度已经不能满足系统的要求。静态特性与动态特性同时对管子起作用，但是一般考虑起主要作用的那个。对于TTL器件来说，一般考虑的是静态的特性，也就是有多大的电流驱动能力。而对于Mos器件来说，如果后面驱动的也是Mos管的话，因为流过后级管子的电流就是管子的漏电流，这个电流极小，因此可以忽略不计。因而可以认为其后级的输入电阻是无穷大的，所以一般不考虑其静态特性，而考虑其动 态特性，也就是电容性。而MOS管上升与下降时间的延迟(RC常数)主要考虑两个因素：一是R,就是开门管子(ON-transistor,这个我不知道怎么表达)的等效 电阻，二是C，后级的等效电容。因为组成反向器的两个MOS管在开关的时候使用不同的NP沟道，这两个沟道的阻值是不同的，因而造成了上升时间和下降时间的不同，上升时间会长一点，而下降时间会比较短。）

扇入（fan-in）是定义单个逻辑门能够接受的数字信号最大输入量的术语。大多数晶体管—晶体管逻辑（TTL）门有一个或两个输入端，也有一些有两个以上的输入端。一个典型的逻辑门有1个或2个扇入。

扇出（fan-out）是定义单个逻辑门能够驱动的数字信号最大输入量的术语。大多数晶体管—晶体管逻辑（TTL）门能够为10个其他数字门或设备提供信号。因而，一个典型的晶体管—晶体管逻辑门有10个扇出。

---