昂达主板内存时序怎么调整

昂达主板内存时序怎么调：

1、首先重启电脑，在logo界面按下热键进入bios设置。【热键大全】

2、进入后，找到“高级选项”进入，这里是“advanced chipset feature”

3、进入后，先将“DRAM Timing Selectable”改为“manual”

（这里的选项可能会不一样，尽量找带time或timing的；后面可以改成on或者enabled）

4、开启时序调整后，下面会多出来4个选项就是内存时序了。

5、依次选择这些内存时序更改就可以了，改完之后记得保存。

其实现在的内存都是没有必要手动调节时序的，它会自动调节。

内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上，设置方式如下：

1、F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。

2、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。

3、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。

4、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。

首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

扩展资料：

内存延迟参数最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来。下面是几种参数的设置方式：

1、较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行 *** 作系统，应当尽量把CAS参数调低。

2、tRCD(RAS To CAS Delay)： 内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间，参数选项有2和3这两个选择，同样是越小越好。

3、tRP(RAS Precharge Time)： 内存行地址控制器预充电时间，参数选项有2和3这两个选择，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

4、tRAS(RAS Active Time)： 内存行有效至预充电的最短周期，我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数最好设在5－11之间。

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