考高级电工需要考哪些内容

一、不管哪个部门的电工证，考试均分为理论考试和实 *** 考试两个部分。具体的要根据报考证书的种类不同分类而论，一般特种 *** 作证重视安全培训；人社厅证书培训基础内容；电监会证书重视实际 *** 作与应用。

二、需要看的书包括《安装电工讲解》、《维修电工讲解》、《高压、低压电工知识讲解》。

要考电工证首先要清楚自己是要考哪个证书，电工证共分为三种，电工 *** 作证，电工职业资格证和电工进网许可证。电工 *** 作证也就是特种作业 *** 作证，是卡片形式的（IC卡），这个由安监局发证，每三年复审一次。

扩展资料

职业资格证书报考条件

初级职业资格证书报考条件：

118周岁以上，55周岁以下

2 身体健康，无癫痫、精神病、心脏病、突发性昏厥、色盲等妨碍电工作业的疾病及生理缺陷。

3具备此工种的上岗 *** 作证书（只针对某些工种才需要此条件）

中级级职业资格证书报考条件（以下条件满足一项即可）

1具备同工种的上岗 *** 作证（只针对某些工种才需要此条件）

2具备同工种的初级证书

高级级职业资格证书报考条件

一代电工高低压特种作业 *** 作证样本(3张)

1具备同一工种的上岗 *** 作证（只针对某些工种才需要此条件）

2具备同一工种的中级证书

参考资料来源：百度百科-电工证

设计顺序：先末端，后主机设计原则：合理、经济，最大限度节约运行成本设计方案及适用范围：32313133353236313431303231363533e58685e5aeb931333264643062一、末端部分：1、风机盘管系统；适用范围：一般办公、餐饮等场所2、风机盘管加新风系统；适用范围：要求较高的办公、酒店、餐饮娱乐等场所3、全空气系统；适用范围：商场超市、车间等大开间场所二、主机部分：1、螺杆式冷水机组制冷，市政或锅炉供热；适用范围：有专用机房、电力充足、需专人值守2、风冷机组制冷（制热），市政或锅炉供热；适用范围：空调面积较小、没有机房、无专人值守3、离心式冷水机组制冷，市政或锅炉供热；适用范围：空调面积较大、有专用机房、电力充足、需专人值守4、溴化锂机组制冷（制热），市政或锅炉供热；适用范围：电力不足、有市政热源并经综合比较经济、有专用机房、需专人值守三、其它：1、一拖多系统；适用范围：空调面积较小、无专用机房、无专人值守、空调面积较大但非同时使用且需独立计费等场所2、风管机系统；适用范围：大开间、无专用机房、无专人值守、控制灵活、初投资较低设计程序：一、末端部分：（一）设备选型：1、计算实际空调面积；2、根据使用场所确定冷负荷指标，计算出设计总负荷，根据设备布置特点确定所需设备数量，确定设备型号；冷负荷概算指标：采用组合式空调器，循环次数商场6～7次，推荐8～9次（二）水系统设计：1、设备定位布置，确定立管位置，根据系统复杂程度确定采用同程式或异程式（当立管与最末端设备距离超过30米时尽量采用同程式）；2、确定主管道走向，并与设备合理连接，当主管道有分支时应设阀门以便于调节；3、根据设备流量确定每一管段的水流量，再根据设计水流速计算出管径；4、空调水设计流速为09－25m/s，管径越大、流速越大，管道比摩阻应小于500；5、水管与设备连接时，进水管上设软接、过滤器、阀门，出水管上设软接、阀门；6、冷凝水管径设计：当机组冷负荷Q≤7KW，DN＝20；Q＝71－176，DN＝25；Q＝177－100，DN＝32；Q＝101－176，DN＝40；Q＝177－598，DN＝50；Q＝599－1055，DN＝80；Q＝1056－1512，DN＝100；Q＝1513－12462，DN＝125；Q＞12462，DN＝1507、空调水管保温：当采用超细玻璃棉管壳保温时，供回水管保温厚度采用50mm，冷凝水管保温厚度采用30mm；当采用橡塑材料保温时，供回水管保温厚度采用30mm，冷凝水管保温厚度采用15mm；当冷凝水管采用PVC等塑料管材时，可不作保温处理。一拖多氟系统应当保温。（三）风系统设计：1、风量选择：（1）新风工况：按每人最小新风量确定影剧院、博物馆、体育馆、商店，每人最小新风量8M3/H；办公室、图书馆、会议室、餐厅、舞厅、普通病房，每人最小新风量17M3/H；客房，每人最小新风量30M3/H，正常采用50M3/H；（2）回风工况：按循环次数确定，一般取8－10次/H，即空调空间体积×（8－10）/H2、风机风压的选择：估算法：风压＝（最不利环路长度×10）Pa3、设备定位，尽量靠近水系统立管；4、布置风口，在保证无空调死区的前提下，尽量减少风口数量、保持风口规格统一；送风口风速在2－25 m/s之间，回风口风速在3－5 m/s之间，根据风口风量和风速确定风口尺寸；5、确定主风道走向，并与各风口合理连接，当主管道有分支时应设阀门以便于调节，并且每个风口均设风量调节阀；6、根据风口数量确定各段风道风量，再根据设计风速计算出风道截面积，根据安装空间确定风道规格，在保证装修标高的前提下，尽量减小风道的宽高比，尽量减少变径；通风空调风管内设计流速（m/s）：注：1、表中分子为推荐流速，分母为最大流速。2、对消声有严格要求的系统，管内的流速不宜超过5 m/s，支管内的流速不宜大于3 m/s。7、当风道穿越机房或防火分区时，风道上应设防火调节阀；8、当风机风量大于10000 M3/H时，风机的进出口应设消音静压箱，通过静压箱截面流速为2－3 m/s；小于10000 M3/H时，在风机出口处设消音器即可，消音器的内径与主风道相同；9、钢板空调风道保温：当采用超细玻璃棉板保温时，保温厚度为40mm；当采用橡塑板保温时，保温厚度为15mm。二、主机部分：（一）制冷、制热主机：根据使用场所确定负荷概算指标，再乘以总的空调面积便可计算出总的设备负荷，再根据系统情况确定主机数量，选出设备型号；对于一些多用途的空调场所，计算设备负荷时需考虑同时利用系数。空调主机负荷概算指标：（二）冷却塔：根据制冷机组的所需冷却水量确定，实际选用的冷却塔水量应大于所需水量，应当注意的是冷却塔的工况应和机组冷却水的工况保持一致。（三）冷媒水泵：1、数量：比机组多出一台作为备用；2、流量：根据机组冷水流量 ×（20~30）%确定；3、扬程：根据系统情况，通常取（20~40）m；（四）冷却水泵：1、数量：比机组多出一台作为备用；2、流量：根据机组冷却水流量 ×（10~15）%确定；3、扬程：根据水泵至冷却塔的高度＋机组压降＋（5~10）m；（五）软化水设备：根据流量来确定，通常取（3~8）M3/H补水泵的流量，应根据热水的正常补给水量和事故补给水量确定，并宜为正常补给水量的4-5倍。正常补给水量一般按系统水容量的1%考虑。初步设计时可按循环水量的1%估算。补水泵的流量是正常补给水量+事故补给水量；而水处理设备的流量可按照正常补给水量确定，即1%。补水量可按照系统负荷来估算：以设计冷量为基础，系统水容量大约为2-3L/KW。有用建筑面积来估算，大概每平方1升（六）软化水箱：根据标准水箱尺寸，通常取（25~8）M3（七）落地膨胀水箱：1、罐体直径通常取：Φ1000~12002、配2台水泵：流量：（3~8）M3/H； 扬程：（冷媒水泵扬程×13）m（八）分、集水器、分气缸：1、直径D＝(15－3)×支管中的最大直径，mm 2、长度按支管数量和阀门型号确定（九）冷却水处理：通常在机组冷却水进口处设电子水处理仪进行处理。一般中央空调系统的定压点均设在冷冻水泵的入 口的回水干管上，这样可以使水泵产生的压头在系统中得到合适的分布。目前供热空调系统定压补水方式主要有膨胀水箱定压补水，补水泵定压补水，气体定压罐结 合补水泵定压补水等。其中膨胀水箱定压补水是最经济最简单的方式，所以现在在民用建筑中大量使用，但是膨胀水箱必须设在系统的最高点。

自1936年SchilthuisRJ根据物质守恒原理，首先建立了油藏的物质平衡方程式以来，它在油气藏工程及动态分析中得到了日益广泛的应用和发展。物质平衡法可用于确定油气藏的原始地质储量，判断油气藏类型并计算水侵量，估算采收率和进行动态预测等。物质平衡方法只需要高压物性资料和实际生产数据，依赖地质资料少，能避免某些复杂地质因素给计算和动态分析带来的困难，计算的方法和程序比较简单。因此，它已成为常规油气藏分析方法之一，并在各类油气藏中得到了广泛应用。

1油藏物质平衡方程通式

物质平衡方程是根据物质平衡原理建立起来的。物质平衡原理是将油藏看成体积不变的容器，在油藏开发到某一时刻，采出的流体量加上地下剩余的存储量，等于流体的原始储量。对于任何一种驱动类型的油藏，在开发过程的任意时刻，油、自由气和水这三者体积变化的代数和为零。

考虑一个实际油气藏，其原始压力低于油藏的饱和压力，而且有边水和气顶作用。在开发过程中，随着油藏地层压力的下降，就要引起边水的入侵、气顶膨胀、溶解气的分离和膨胀，这些就是驱油过程中的各种能量。在这种综合驱动方式下所建立的物质平衡方程式，称为物质平衡方程通式。其表达式为

实用水驱油藏开发评价方法

其中，Bt=Bo+(Rsi－Rs)Bg;Bti=Boi。

式中:N为原油的原始地质储量，m3;Np为累积采油量，m3;Wp为累积产水量，m3;Wi为累积注水量，m3;Bo为压力为p时地层油的体积系数，m3/m3;Boi为原始条件下的地层油体积系数，m3/m3;Bt为原油的两相体积系数，m3/m3;Bti为原始原油两相体积系数，m3/m3;Rsi为原始溶解气油比，m3/m3;Rs为压力为p时的溶解气油比，m3/m3;Bg为压力p时的气体体积系数，m3/m3;Bgi为原始压力下气体体积系数，m3/m3;m为气顶气原始地下体积与原始油地下体积之比;Bw为水的体积系数，m3/m3;Swi为地层中束缚水饱和度，f;Cw为地层水压缩系数，1/MPa;Cf为岩石有效压缩系数，1/MPa;Δp为总压降，MPa。

根据油藏原始地层压力和饱和压力，可将原始条件的油藏划分为两种类型:当原始地层压力大于饱和压力(pi＞pb)时，叫做未饱和油藏或欠饱和油藏;当原始地层压力等于或小于饱和压力(pi≤pb)时，叫做饱和油藏。

在确定油藏饱和类型的前提下，可根据油藏的原始边界条件，即有无边底水和气顶的存在，以及地层中的驱动方式，将油藏类型划分如下:

对于未饱和油藏，可分为封闭d性驱动未饱和油藏、d性水压驱动未饱和油藏。

对于饱和油藏，可分为溶解气驱动、溶解气驱和水驱综合驱动、溶解气驱和气顶驱综合驱动、气顶驱油藏。

不同的油藏类型和驱动类型，物质平衡方程的表达式不同。下面以未饱和油藏为例，推导注采比与压力恢复速度的关系。

2未饱和封闭油藏注采比预测

对于未饱和封闭油藏:

pi＞pb;m=0;we=0;Rp=Rs=Rsi

代入物质平衡方程通式，可得到

实用水驱油藏开发评价方法

在地层压力变化保持在允许的范围内，可把地层原油体积系数看做一个常数，即Bo≈B，由式(2-2)对时间求导后得

实用水驱油藏开发评价方法

由于 ，故得

实用水驱油藏开发评价方法

整理后得到

实用水驱油藏开发评价方法

由于

则

代入式(2-5)可得到压力恢复速度与注采比的关系式为

实用水驱油藏开发评价方法

对于未饱和封闭油藏，随着开采的进行，地层压力逐渐降低，当压力降至饱和压力以下时，将有溶解气逸出，此时Rp≠Rs≠Rsi，采出自由气的地下体积为Np(Rp－Rs)Bg，逸出气的膨胀量为N(Rsi－Rs)Bg。则此时的物质平衡方程为

实用水驱油藏开发评价方法

同理，可推出此时的压力恢复速度为

实用水驱油藏开发评价方法

此时

则

代入式(2-9)，可得到

实用水驱油藏开发评价方法

根据式(2-7)、式(2-10)可以计算出不同注采比下的地层压力恢复速度;反过来，如果给定未来地层压力的变化趋势，可以求出需要的注采比。

在注采比和注水量保持不变的情况下，对式(2-10)两边积分，可得到

实用水驱油藏开发评价方法

根据式(2-11)可以对不同注采比下未来地层压力的变化情况进行预测;反过来，如果根据开发要求给定地层压力和注水量，可以求出要求的注采比。

从式(2-7)和式(2-10)中可以看出，压力变化计算准确与否，综合压缩系数影响较大，应当准确地计算出综合压缩系数。综合压缩系数的计算公式为

实用水驱油藏开发评价方法

可以看出，要准确地得到油藏的综合压缩系数是比较困难的。这里我们采用拟合法，利用动态数据通过拟合地质储量，确定油藏的综合压缩系数。

对于未饱和封闭油藏，其物质平衡方程可写为

实用水驱油藏开发评价方法

方程可以写成Y=N+BX的直线形式。利用动态数据，采用试算法，通过线性回归计算不同综合压缩系数下的地质储量，与实际地质储量最接近的即为最佳综合压缩系数。

3未饱和边底水油藏注采比计算

对于未饱和边底水油藏:

pi＞pb，m=0，We≠0，Rp=Rs=Rsi

代入物质平衡方程通式，可得到

实用水驱油藏开发评价方法

同理可推得其压力恢复速度为

实用水驱油藏开发评价方法

由于 ，产液量:Ql=QoBoi+QwBw，

则

代入式(2-13)，可得到

实用水驱油藏开发评价方法

对于未饱和边底水油藏，随着开采的进行，地层压力逐渐降低，当压力降至饱和压力以下时，将有溶解气逸出，此时Rp≠Rs≠Rsi，采出自由气的地下体积为Np(Rp－Rs)Bg，逸出气的膨胀量为N(Rsi－Rs)Bg。则此时的物质平衡方程为

实用水驱油藏开发评价方法

同理，可推出此时的压力恢复速度为

实用水驱油藏开发评价方法

此时，

则

代入式(2-16)可得到

实用水驱油藏开发评价方法

对式(2-17)两边积分，可得到

实用水驱油藏开发评价方法

利用式(2-17)和式(2-18)可以计算压力变化与注采比的关系。从公式中可以看出，要准确地计算注采比或地层压力，水侵速度Qe是关键量，水侵速度的大小与水体类型、水体大小、地层压力等有关，在下节中将对水侵量的计算，尤其在程序中如何计算水侵量作详细的说明。

本文将介绍到：

1 基本电压矢量及电压矢量圆

2 为什么最大矢量圆半径是 

3 为什么空间矢量的边界是六边形

4 各扇区内基本矢量作用时间计算

        在本文中，我们先做如下约定：

1 线电压指电机三相绕组中任意两相绕组端点之间的电压，如 U_{UV} ；

2 相电压指电机三相绕组中任意一相端点到电机绕组中心点O的电压，如 U_{UO} ；

3 端电压指电机三相绕组中任意一相端点相对于GND的电压，如 U_{UG} ；

4 中性点电压指电机三相绕组的中性点相对于GND的电压，如 U_{OG} ；

图1 

        大多数人最初接触电机控制时了解的可能是两两导通三相六状态的方波控制方式。这种控制方式根据电机的位置来选择导通不同桥臂上下各一个MOS管，理解起来比较容易。SVPWM与这种控制方式不同，SVPWM调制方式是将UVW三个桥臂分别定义为0,1两种状态，规定：

0代表下管开通上管关断；

1代表上管开通下管关断；

        至于为什么这样，可能要去翻一番SVPWM的发展历史了，我们就姑且认为有人发现了这么一种控制方式，将桥臂按照如上所述定义。

        三个桥臂的两种状态总共有八个组合，产生的结果如下：

        这里为了便于记忆，我们将3位二进制与十进制的0-7对应起来。如下图，第一个桥臂是W相，它的数值为0，说明它的下MOS是导通的。第二个桥臂是V相，它的数值为1，说明它的上MOS是导通的。第三个桥臂是U相，它的数值是0，说明它的下MOS是导通的。这里与大家平时习惯的UVW(有些文献喜欢用ABC)顺序相反，但是后面所有的推导都是以U轴中心线和X轴正方向一致，V轴中心线在逆时针120度位置，W轴中心线在逆时针240度位置，所以结果是普遍适用的。采用此方法是方便记忆六扇区的矢量合成图分布。

图2

八个导通状态如下：

000 - v0 (zero vector)

001 - v1 (Phase +U)

010 - v2(Phase +V)

011 - v3 (Phase -W)

100 - v4(Phase +W)

101 - v5 (Phase -V)

110 - v6(Phase -U)

111 - v7 (zero vector)

        下面通过电机控制的简图说明以上8种状态。这里用双向导通开关替代了上桥臂MOS和下桥臂MOS。当开关连接到上端，则上MOS导通。当开关连接到下端，则下MOS导通。

图3 000 - v0 (zero vector)

图4 001 - v1 (Phase +U)

图5 010 - v2(Phase +V)

图6 011 - v3 (Phase -W)

图7 100 - v4(Phase +W)    

图8 101 - v5 (Phase -V)          

图9 110 - v6(Phase -U)         

图10 111 - v7 (zero vector)        

熟悉了以上八种导通状态后，接下来分析各通电状态下，各相电压的大小以及合成电压矢量大小及方向。

如下图，U相桥臂的上管开通，下管关闭。V相和W相桥臂的上管关闭，下管导通。现规定电流从各相端口流入中性点为电流正方向，从中性点流出端口为负方向。则U相的电流为正，V/W相的电流为负。假设电机各相的阻抗相等，都为Z，则根据基尔霍夫电流定律，流过U相的电流是流过V/W相电流的2倍。计算各端口相对电机中性点的电压可以得到各相相电压如图所示，这里计算的中性点电压是相对于GND的，其他相电压都是端电压相对中性点的压降。根据右手定则，可得各相的磁场方向。同理，可以推广到电压矢量，如图右下角所示，可以计算得到三相电压合成矢量的数值为Udc，方向如图所示。为了便于理解相电压的计算，在本图中将右侧的星形电机内部绕组模型也与左边的MOS电路进行了连接。其实，左边已经有了电机绕组，这里大家清楚是为了表达而加的连接线即可。

图 11 001 - v1 (Phase +U)

关于其他导通状态与上图类似，这里直接给出结果，省略了文字描述。

图12 010 - v2(Phase +V)

图13 011 - v3 (Phase -W)

图14 100 - v4(Phase +W)

图15 101 - v5 (Phase -V)

图16 110 - v6(Phase -U)

以上六张图包含着大量的信息，我们来梳理一下。

线电压和相电压

这里提到的相电压是各端点相对于Y绕组中心的电压，线电压是两个端点之间的电压。可总结如下图：

图17

2 8种通电状态下的基本矢量位置

如下图，6个导通状态下的电压矢量，加上000和111两个0矢量。为了快速记忆这张图各矢量的位置，可以将V1矢量与电机三相坐标系的U轴轴线正方向一致，则在120度位置的V轴与V2(010)重合，正好只有中间代表V桥臂的2进制为1(参见图2)。同理，在240度位置的W轴与V4（100）重合，因为100只有代表W相的2进制为1(参见图2)。两个相邻基本相量的间隔是60度，则剩余的空间矢量(相量)很好确定位置。比如，60度位置的相量就是V1和V2两个二进制的和，即：001 + 010 = 011 = V3。同理，可以在不参考任何资料的情况下快速将各基本矢量画出来。基本矢量的长度为Udc，上面图11-16中均有计算。

图18：

但是，如果按照这么来控制电机就类似于方波BLDC电机的6步换相控制了，每60电角度度切换一次导通状态，容易引起扭矩波动。尽量减少两个矢量切换之间的角度可以降低扭矩波动。为此，我们把60电角度的区域称之为一个扇区，如下图所示。

图19

如下图，在每个扇区内部，我们让矢量尽量均匀旋转，这样电机的扭矩波动就会降低。那好，怎么来实现60度内的矢量分布？

图20

如下图，任取第一扇区内的任一矢量，根据平行四边形原则，可以将其分解为沿V1和V2的量。也就是说我们可以根据相邻的两个基本矢量和一个或两个矢量(000或者111)计算它们所围成的扇区内的任意矢量的幅值和方向。这里，T代表的是采样周期，一般是PWM的周期，V1的作用时间是T1，V2的作用时间是T2，则0矢量的作用时间为T-T1-T2。

图21

到此，我们也就引出了SVPWM控制的基本思想。

通过第二节我们建立了UVW三相坐标下的空间矢量图(注意这里不是 alphabeta 坐标系)，其基本矢量的模长为Udc。接下来，我们再来思考一个问题，在每个扇区内，由两个基本矢量和零矢量合成的最大矢量圆半径是多少？为了推导这个问题，我们拿第一扇区为例进行说明。如下图，单独取出第一扇区并将其放大，第一扇区的两个基本矢量是V1和V3，零矢量可以为V000或者V111。

图22

可知，在30电角度时若要取得最大的电压合成矢量，则T1 = T2 = T/2(T0矢量作用时间为0)。根据以上信息，可以画出最大矢量圆，如下图绿色圆，所有的电压矢量要落在该矢量圆内部，以便进行线性调制。超出该圆后就成为过调制，有对应的处理办法。

图23

当超出该最大矢量圆半径后，在某些角度下，计算得到的T0作用时间为负值，如下图所示。

图24

有关空间矢量分析的论文和网络文章很多，但是极少有深入介绍为什么空间矢量的边界是六边形。大部分都是在推导出基本矢量后就直接默认给出这个六边形，并直接给出结论说合成矢量不能超越这个六边形边界，没有给出理论公式，也没有直观叙述。

在看文献时，这个问题困惑了我很久。现在就将自己的一点直观理解放在这里，作为抛砖引玉，希望有大神可以出来给大家更好的解释。

SVPWM是用伏秒平衡的原理来用基本矢量等效平均合成矢量。六边形出现在每60度电角度内不进行PWM调制(six-step mode)或者说出现在当整个扇区内T0都等于0的情况。

当不进行PWM调制时，每隔60度电角度合成矢量变换一次，类似于方波控制的六步换相。以第一扇区为例，本来合成矢量的大小是V1,并且持续大约60度电角度，不进行任何MOS开关的切换。当转过大约60度电角度时需要切换为合成矢量V2，这时存在一个切换过程，这个过程中V1逐渐减小，V2逐渐增加。它们的合成矢量便沿着六边形在第一扇区的边进行过渡。整个过程始终没有T0的参与。

图25

使用MATLAB编写程序，计算这个过程的合成矢量大小，便得到如图所示的六边形。

图26

接下来，换下脑子，讨论 另外一个问题：当我知道了合成电压矢量，如何计算各基本矢量的作用时间？这涉及到如何来设置PWM寄存器的数值。

关于各扇区相邻两基本矢量及零矢量的作用时间可以参考如下文章。里面有给出了每一步的计算公式，并配有方便理解。

详细推导SVPWM各扇区矢量作用时间

后续计划更新如下内容：

调制系数M

确定合成矢量所在扇区的方法

马鞍波形成探讨

SVPWM不同调制波形

SPWM注入零序矢量与SVPWM波形对比

等等。。。

吸电流、拉电流输出、灌电流输出

拉即泄，主动输出电流，从输出口输出电流；

灌即充，被动输入电流，从输出端口流入；

吸则是主动吸入电流，从输入端口流入。

吸电流和灌电流就是从芯片外电路通过引脚流入芯片内的电流；区别在于吸收电流是主动的，从芯片输入端流入的叫吸收电流。灌入电流是被动的，从输出端流入的叫灌入电流；拉电流是数字电路输出高电平给负载提供的输出电流，灌电流时输出低电平是外部给数字电路的输入电流。这些实际就是输入、输出电流能力。

拉电流输出对于反向器只能输出零点几毫安的电流，用这种方法想驱动二极管发光是不合理的（因发光二极管正常工作电流为5~10mA)。

上、下拉电阻

一、定义

1、上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平！“电阻同时起限流作用”！下拉同理！

2、上拉是对器件注入电流，下拉是输出电流

3、弱强只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分

4、对于非集电极（或漏极）开路输出型电路（如普通门电路）提升电流和电压的能力是有限的，上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。

二、拉电阻作用

1、一般作单键触发使用时，如果IC本身没有内接电阻，为了使单键维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态，必须在IC外部另接一电阻。

2、数字电路有三种状态：高电平、低电平、和高阻状态，有些应用场合不希望出现高阻状态，可以通过上拉电阻或下拉电阻的方式使处于稳定状态，具体视设计要求而定！

3、一般说的是I/O端口，有的可以设置，有的不可以设置，有的是内置，有的是需要外接，I/O端口的输出类似与一个三极管的C，当C接通过一个电阻和电源连接在一起的时候，该电阻成为上C拉电阻，也就是说，如果该端口正常时为高电平；C通过一个电阻和地连接在一起的时候，该电阻称为下拉电阻，使该端口平时为低电平，作用吗：比如：“当一个接有上拉电阻的端口设为输入状态时，他的常态就为高电平，用于检测低电平的输入”。

4、上拉电阻是用来解决总线驱动能力不足时提供电流的。一般说法是拉电流，下拉电阻是用来吸收电流的，也就是我们通常所说的灌电流

5、接电阻就是为了防止输入端悬空

6、减弱外部电流对芯片产生的干扰

7、保护cmos内的保护二极管，一般电流不大于10mA

8、通过上拉或下拉来增加或减小驱动电流

9、改变电平的电位，常用在TTL-CMOS匹配

10、在引脚悬空时有确定的状态

11、增加高电平输出时的驱动能力。

12、为OC门提供电流

三、上拉电阻应用原则

1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3。5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。

2、OC门电路“必须加上拉电阻，才能使用”。

3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。

4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。

5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。

6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。

7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。

8、在数字电路中不用的输入脚都要接固定电平，通过1k电阻接高电平或接地。

四、上拉电阻阻值选择原则

1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；电阻大，电流小。

2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小；电阻小，电流大。

3、对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑

以上三点，通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道理。

对上拉电阻和下拉电阻的选择应“结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设定，主要需要考虑以下几个因素”：

1。驱动能力与功耗的平衡。以上拉电阻为例，一般地说，上拉电阻越小，驱动能力越强，但功耗越大，设计是应注意两者之间的均衡。

2。下级电路的驱动需求。同样以上拉电阻为例，当输出高电平时，开关管断开，上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。

3。高低电平的设定。不同电路的高低电平的门槛电平会有不同，电阻应适当设定以确保能输出正确的电平。以上拉电阻为例，当输出低电平时，开关管导通，上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。

4。频率特性。以上拉电阻为例，上拉电阻和开关管漏源级之间的电容和下级电路之间的输入电容会形成“RC延迟”，电阻越大，延迟越大。上拉电阻的设定应考虑电路在这方面的需求。

下拉电阻的设定的原则和上拉电阻是一样的。

示例：

OC门输出高电平时是一个高阻态，其上拉电流要由上拉电阻来提供，设输入端每端口不大于100uA，设输出口驱动电流约500uA，标准工作电压是5V，输入口的高低电平门限为0。8V(低于此值为低电平)；2V(高电平门限值)。

选上拉电阻时：500uA x 8。4K= 4。2即选大于8。4K时输出端能下拉至0。8V以下，此为最小阻值，再小就拉不下来了。如果输出口驱动电流较大，则阻值可减小，保证下拉时能低于0。8V即可。当输出高电平时，忽略管子的漏电流，两输入口需200uA，200uA x15K=3V即上拉电阻压降为3V，输出口可达到2V，此阻值为最大阻值，再大就拉不到2V了。选10K可用。最大压降/最大电流、最小压降/最小电流

COMS门的可参考74HC系列设计时管子的漏电流不可忽略，IO口实际电流在不同电平下也是不同的，上述仅仅是原理，一句话概括为：“输出高电平时要喂饱后面的输入口，输出低电平不要把输出口喂撑了”（否则多余的电流喂给了级联的输入口，高于低电平门限值就不可靠了）

此外，还应注意以下几点：

A、要看输出口驱动的是什么器件，如果该器件需要高电压的话，而输出口的输出电压又不够，就需要加上拉电阻。

B、如果有上拉电阻那它的端口在默认值为高电平，你要控制它必须用低电平才能控制如三态门电路三极管的集电极，或二极管正极去控制把上拉电阻的电流拉下来成为低电平。反之，

C、尤其用在接口电路中，为了得到确定的电平，一般采用这种方法，以保证正确的电路状态，以免发生意外，比如，在电机控制中，逆变桥上下桥臂不能直通，如果它们都用同一个单片机来驱动，必须设置初始状态。防止直通!

驱动尽量用灌电流。

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在数字电路中不用的输入脚都要接固定电平，通过1k电阻接高电平或接地。

1。 电阻作用：

l 接电阻就是为了防止输入端悬空

l 减弱外部电流对芯片产生的干扰

l 保护cmos内的保护二极管，一般电流不大于10mA

l 上拉和下拉、限流

1。 改变电平的电位，常用在TTL-CMOS匹配

2。 在引脚悬空时有确定的状态

3。 增加高电平输出时的驱动能力。

4。 为OC门提供电流

那要看输出口驱动的是什么器件，如果该器件需要高电压的话，而输出口的输出电压又不够，就需要加上拉电阻。如果有上拉电阻那它的端口在默认值为高电平，你要控制它必须用低电平才能控制，如三态门电路三极管的集电极，或二极管正极去控制把上拉电阻的电流拉下来成为低电平。反之，尤其用在接口电路中，为了得到确定的电平，一般采用这种方法，以保证正确的电路状态，以免发生意外。比如，在电机控制中，逆变桥上下桥臂不能直通，如果它们都用同一个单片机来驱动，必须设置初始状态。防止直通!

电阻在选用时，选用经过计算后与标准值最相近的一个！

P0为什么要上拉电阻原因有：

1。 P0口片内无上拉电阻

2。 P0为I/O口工作状态时，上方FET被关断，从而输出脚浮空，因此P0用于输出线时为开漏输出。

3。 由于片内无上拉电阻，上方FET又被关断，P0输出1时无法拉升端口电平。

P0是双向口，其它P1，P2，P3是准双向口。准双向口是因为在读外部数据时要先“准备”一下，为什么要准备一下呢？

单片机在读准双向口的端口时，先应给端口锁存器赋1，目的是使FET关断，不至于因片内FET导通使端口钳制在低电平。

上下拉一般选10k！

芯片的上拉/下拉电阻的作用

最常见的用途是，假如有一个三态的门带下一级门。如果直接把三态的输出接在下一级的输入上，当三态的门为高阻态时，下一级的输入就如同漂空一样。可能引起逻辑的错误，对MOS电路也许是有破坏性的。所以用电阻将下一级的输入拉高或拉低，既不影响逻辑又保正输入不会漂空。

改变电平的电位，常用在TTL-CMOS匹配；在引脚悬空时有确定的状态； 为OC门的输出提供电流； 作为端接电阻； 在试验板上等于多了一个测试点，特别对板上表贴芯片多的更好，免得割线；嵌位；

上、下拉电阻的作用很多，比如抬高信号峰峰值，增强信号传输能力，防止信号远距离传输时的线上反射，调节信号电平级别等等！当然还有其他的作用了具体的应用方法要看在什么场合，什么目的，至于参数更不能一概而定，要看电路其他参数而定，比如通常用在输入脚上的上拉电阻如果是为了抬高峰峰值，就要参考该引脚的内阻来定电阻值的！另外，没有说输入加下拉，输出加上拉的，有时候没了某个目的也可能同时既有上拉又有下拉电阻的！

加接地电阻－－下拉

加接电源电阻－－上拉

对于漏极开路或者集电极开路输出的器件需要加上拉电阻才可能工作。另外，普通的口，加上拉电阻可以提高抗干扰能力，但是会增加负载。

电源：+5V

普通的直立LED，

用多大的上拉电阻合适？ 谢谢指教！

一般LED的电流有几个mA就够了，最大不超过20mA，根据这个你就应该可以算出上拉电阻值来了。

保险起见，还是让他拉吧，(5-07)/10mA=400ohm，差不多吧，不放心就用2k的。奇怪，新出了管压07V的LED了吗？据我所知好象该是15V左右。我看几百欧到1K都没太大问题，一般的片子不会衰到10mA都抗不住吧？

下拉电阻的作用：所见不多，常见的是接到一个器件的输入端，多作为抗干扰使用。这是由于一般的IC的输入端悬空时易受干扰，或器件扫描时有间隙泄漏电压而影响电路的性能。后者，我们在某批设备中曾碰到过。

上拉电阻的阻值主要是要顾及端口的低电平吸入电流的能力。例如在5V电压下，加1K上拉电阻，将会给端口低电平状态增加5mA的吸入电流。在端口能承受的条件下，上拉电阻小一点为好。

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以下为BBS讨论：

什么时候需要用上拉电阻什么时候需要用下拉？一般要用多大的阻值呀？

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用上拉还是用下拉，根据你平时需要的电平。

至于阻值大小，如果是一般IO口，10k左右，不要小于1k。但是如果是特殊用途的管腿，则有特殊要求。比如I2C接口的SCL和SDA线，对上拉电阻的最大最小值都有要求，要结合实际情况计算。

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通常在数字电路中，上拉是为了提高驱动能力。例如:集电极开路的输出电路。就必须加上拉电阻。否则无法驱动下一级的设备。或者，上拉下拉同时使用，例如，在数据和地址总线上。是为了在没有输出的时候将电平钳制在一个电位。不用的空脚要下拉，防止拴锁。

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1。信号需要外部的电源来提供高低电平时，需要加上拉或下拉电阻;

2。虽然系统能提供相应的电平，但是在不工作的状态下，信号的状态如果需要为高或低时，需要加上拉或下拉;

3。IC的输出为Open-Drain时，需要外加上拉电阻。

上拉或下拉的电阻大小取决于信号的驱动能力及信号的需求。常用的有10K， 100K， 47K等。但有些上拉电阻或下拉电阻的大小需要靠实验得到。

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电路中的上拉和下拉电阻的连接是要通过计算而得到了，根据有三:

1。驱动器件输入电流的大小，需要在使用上拉时考虑。解决的是高电平的匹配。

2。电路速度的大小。如果传送的数字信息速度较高，就要注意验证线路的延迟有没有走出信息的转折频率。

3。与负责端的输入输出电流能力有关，需要验证能否承受。

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上拉电阻和下拉电阻之所以需要，是为了给不匹配电流接口提供额外的电流通路，具体讲，驱动方输出电流小于负载方的吸入电流时加上拉电阻，以提供额外的电流供 给；驱动方吸入电流小于负载方的灌出电流时加下拉电阻，以提供额外的电流泄放回路；上拉电阻和下拉电阻带来的附加效应是在接口无驱动时有一个固定电平（该特点常常被用固定口线初始及空闲时的状态）。阻值的选取要根据流过电流小的一方的允许电流来计算，以不超过其允许值（器件手册有）的80%为限（考虑电源波动时也不应超过其口线允许值）。

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上拉电阻取值，要考虑到吸入电流与扇出电流及信号传送速度，在高速电路中应取小些，防止线路分布电容影响

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我觉得上拉跟下拉电阻分两种来说，一种是必须加的，如按键采集，另一种就是加可以不加对电路原理的实现也没什么影响的，这类电阻主要作用就是增强系统的抗干扰性能，取值一般1mA左右就OK了

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高阻态：

高阻态就是只有电容效应，没有电阻效应；阻抗很高很高，相当于断开；

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我认为如果对于IC的输入信号而言。高阻态是介于高电平和低电平中间的输入电压，IC即不能准确的把它判为0，也不能把它判为1，此时的IC输出状态不定（如果对IC输入0和1时，IC的输出信号不同的话），即可能出错。

对IC的输出信号而言，如果它是高阻态输出，它就表现为一个很高的阻抗，可以把它认为是断开状态

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高阻态，指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平，如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，和没接一样，如果用万用表测的话有可能是高电平也有可能是低电平，随它后面接的东西定。

高阻态的实质：电路分析时高阻态可做开路理解。你可以把它看作输出（输入）电阻非常大。他的极限可以认为悬空。也就是说理论上高阻态不是悬空，它是对地或对电源电阻极大的状态。而实际应用上与引脚的悬空几是一样的。

典型应用：

1、在总线连接的结构上。总线上挂有多个设备，设备于总线以高阻的形式连接。这样在设备不占用总线时自动释放总线，以方便其他设备获得总线的使用权。

2、大部分单片机I/O使用时都可以设置为高阻输入，如陵阳，AVR等等。高阻输入可以认为输入电阻是无穷大的，认为I/O对前级影响极小，而且不产生电流（不衰减），而且在一定程度上也增加了芯片的抗电压冲击能力。

若51的P00为高阻态,用汇编语言怎么来表示置1就行了

三态门，是指逻辑门的输出除有高、低电平两种状态外，还有第三种状态——高阻状态的门电路。具备这三种状态的器件就叫做三态(门,总线,)

高电平，低电平可以由内部电路拉高和拉低。而高阻态时引脚对地电阻无穷，此时读引脚电平时可以读到真实的电平值。高阻态的重要作用之一就是I/O(输入/输出)口在输入时读入外部电平用。

高阻态相当于该门和它连接的电路处于断开的状态。(因为实际电路中你不可能去断开它，所以设置这样一个状态使它处于断开状态)。三态门是一种扩展逻辑功能的输出级，也是一种控制开关。主要是用于总线的连接，因为总线只允许同时只有一个使用者。通常在数据总线上接有多个器件，每个器件通过OE/CE之类的信号选通。如器件没有选通的话它就处于高阻态，相当于没有接在总线上，不影响其它器件的工作。

如果你的设备端口要挂在一个总线上，“必须通过三态缓冲器”。因为在一个总线上同时只能有一个端口作输出，这时其他端口必须在高阻态，同时“可以输入这个输出端口的数据”。所以你还需要有总线控制管理， 访问到哪个端口，那个端口的三态缓冲器才可以转入输出状态，这是典型的三态门应用。 如果在线上没有两个以上的输出设备, 当然用不到三态门，而线或逻辑又另当别论了。

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准双向口和双向口的区别

在最初的51系列单片机中

P0口：双向8位三态I/O口

P1口：准双向8位I/O口

P2口：准双向8位I/O口

P3口：准双向8位I/O口

这里特别要主要准双向与双向三态I/O的区别：

P1口，P2口，P3口是3个8位准双向的I/O口，各口线在片内均有固定的上拉电阻，当这三个准双向I/O口作输入口使用时，要想该口先写1，另外准双向I/O口无高阻的“浮空”状态。

而双向口P0口线内无固定上拉电阻，由两个MOS管串接，既可开漏输出，有可处于高阻的“浮空”状态，故称为双向三态I/O口。

P0口是双向指的是它被用作地址／数据端口时，只有在这个时候，P0口才处于两个开关管推挽状态，当两个开关管都关闭时，才会出现高阻状态．

当P0口用于一般I/O口时，内部接Vcc的那个开关管是与引脚（端口）脱离联系的，这个时候，只有拉地的那个开关管其作用，P0口作为输出，是必须外接上拉电阻的，不然就无法输出高电平；如果P0口作为输入，则必须先对端口写1，使拉地的开关管断开，这个时候，如果不接上拉电阻，则是高阻状态，就是一个双向口，如果接上拉电阻，则本身输出高电平，对输入信号的逻辑无影响（注意是对逻辑无影响，对实际参数有无影响我不确定，但是我认为是有的）．

双向与准双向，根本原则是双向包含了高阻这个状态，而不在于是否需要先写1或者不写，P1~P3口因为有内部上拉电阻，因此无论如何不是双向；P0口内部无上拉电阻，在处于数据／地址功能时，自动完成3态的转换，是双向，处于一般I/O口时，如果不接外部上拉，而且先向端口写了1，那么就处于高阻状态，此时，它也是一个人为的双向口，这与它处于地址／数据功能时的自动双向有区别，以及与P1~P3处于输入时输出锁存器为1是有区别的。

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浮空和高阻态的区别

悬空（浮空，floating）：就是逻辑器件的输入引脚即不接高电平，也不接低电平。由于逻辑器件的内部结构，当它输入引脚悬空时，相当于该引脚接了高电平。一般实际运用时，引脚不建议悬空，易受干扰。

高阻态：从逻辑器件内部电路结构来说，就是其输出电阻很大，该状态即不是高电平，也不是低电平。当三态门处于高阻态时，无论该门的输入如何变化，都不会对其输出有贡献。

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线驱动（差动输出）

线驱动器是一个源电流输出器件。在导通状态时，线驱动器输出为电源（vcc）；在关断状态时，输出悬空。因此，线驱动器需要一个灌电流输入接口。下面表格中给出了一个简单的线驱动器的原理图。

差动输出、线性驱动输出：就是根据rs-422a的数据输送回路。可通过双股搅合线电缆进行长距离输送。

线驱动 集电极开路 推挽式

集电极开路

集电极开路电路是灌电流输出器件。在关断状态时，集电极开路输出连到地；在导通状态时，集电极开路输出悬空。因此，集电极开路输出需要一个源电流输入接口。下面表格中给出了一个简单的集电极开路输出电路的原理图。

推挽式

推挽式输出结合了线驱动与集电极开路输出，在关断状态时，推挽式输出接地；在导通状态时，推挽式输出连到电源（vcc）。推挽输出（欧姆龙称为互补输出）输出回路有2种，即npn与pnp2种晶体管输出。根据输出信号h或l，2种晶体管输出互相交叉进行on或off动作，使用时，正电源，0v分别为吸合，拉下互补输出是输出电流流出或流入2种动作，特征是信号的上升、下降速度快，可进行导线的长距离延长。可与开路集电极输入机器（npn/pnp）连接，另外还可以连接到电压输入机器上。但是为了能更好的发挥未来的性能，一般推荐在电压输入机器上使用电压输入的编码器。

OC门主要用于3个方面：

1、实现与或非逻辑，用做电平转换，用做驱动器。由于OC门电路的输出管的集电极悬空，使用时需外接一个上拉电阻Rp到电源VCC。OC门使用上拉电阻以输出高电平，此外为了加大输出引脚的驱动能力，上拉电阻阻值的选择原则，从降低功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；从确保足够的驱动电流考虑应当足够小。

2、线与逻辑，即两个输出端（包括两个以上）直接互连就可以实现“AND”的逻辑功能。在总线传输等实际应用中需要多个门的输出端并联连接使用，而一般TTL门输出端并不能直接并接使用，否则这些门的输出管之间由于低阻抗形成很大的短路电流（灌电流），而烧坏器件。在硬件上，可用OC门或三态门（ST门）来实现。用OC门实现线与，应同时在输出端口应加一个上拉电阻。

3、三态门（ST门）主要用在应用于多个门输出共享数据总线，为避免多个门输出同时占用数据总线，这些门的使能信号（EN）中只允许有一个为有效电平（如高电平），由于三态门的输出是推拉式的低阻输出，且不需接上拉（负载）电阻，所以开关速度比OC门快，常用三态门作为输出缓冲器。

正常。

建筑给水聚丙烯（PP-R）管道压力试验程序、方法要求如下：

1）压力表应安装在管道系统的最低点，加压泵宜设在压力表附近。

2）向系统充水，同时打开系统最高点的排气阀，待排气阀连续不断的排出水时，说明系统充水已满，关闭排气阀。

3）系统充满水后，对系统进行水密性检查。

4）加压宜采用手动加压泵，升压应缓慢。

5）试验压力。冷水管试验压力应为系统工作压力的15倍，但不得小于09MPa；热水管试验压力应为工作压力的2倍，但不得小于12MPa。

6）强度试验。试验时间为1h，用加压泵将压力增至试验压力，然后每隔10min重新加压至试验压力，重复两次。

记录最后一次泵压10min及40min后的压力，它们的压力差不得大于006MPa。

7）严密性试验。试验时间为2h。强度试验合格后，立即进行严密性试验，记录下强度试验合格后2h的压力。此压力比强度试验结束时的压力降不超002MPa，且系统无渗漏为合格。

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