gd32图片加载慢

1、打开控制面板，选择网络和internet。然后点击网络和共享中心。

2、选择更改适配器设置。然后找到本地连接右键选择属性。

3、选择IPv4协议，双击打开，再DNS地方填入8888完成确认即可。以上是gd32加载慢的解决办法。

有，是以GD32F103CB和GD32F103Rxxx系列单片机上，库函数为之前同事移植的STM32的库函数为基础，其实也谈不上什么库函数，几乎是寄存器 *** 作类型，只不过部分外设资源序号与GD32对应不上，好在GD32在内存划分时，与STM32有差异的地址几乎都预留出来的，所以也保证了软件库地址的平移。是以GD32F103CB和GD32F103Rxxx系列单片机上，库函数为之前同事移植的STM32的库函数为基础，其实也谈不上什么库函数，几乎是寄存器 *** 作类型，只不过部分外设资源序号与GD32对应不上，好在GD32在内存划分时，与STM32有差异的地址几乎都预留出来的，所以也保证了软件库地址的平移。

不太好解。

如果精通这方面应该容易，就是常说的会者不难难者不会。使用J-Link配合seggerj-link软件中的Unsecure命令就很容易进行解除读保护。打开JLink-commander，可以发现芯片，输入mem0x1ffff80010，从0x1ffff800地址读取10个字节，如果读出来的前两个字节全是FF的话说明芯片处于读保护状态。

单片机是典型的嵌入式微控制器，由运算器，控制器，存储器，输入输出设备等构成，相当于一个微型的计算机。与应用在个人电脑中的通用型微处理器相比，它更强调自供应（不用外接硬件）和节约成本。它的最大优点是体积小，可放在仪表内部，但存储量小，输入输出接口简单，功能较低。

首先郑重声明，下面针对GD相比ST的优缺点是在2014年年末我个人使用后的结果比较，并不是最新的结果。

相比意法半导体的STM32，实话实说，先说优点：

1、内核是Cortex-M3的升级版，兼容Cortex-M3，实现了Flash的零等待技术，没有了提取指令的时间，代码执行效率更高了。通俗的说就是代码执行速度变快了。

2、同样的XX32F103系列芯片，主频上，ST的最高72MHz，GD的能达到108MHz，代码执行速度会更快。

3、Flash和RAM的容量更大，STM32F103xx系列的Flash最大512K，SRAM最大64K，而GD32的Flash高达1M（甚至还有更高，但我没用过），SRAM更大96K，能存放更多的代码（也能当普通Flash存放数据用），有更多的SRAM存放大块的数据。

然后我们再来说说缺点：

1、代码下和在线调试感觉不是很顺畅，在IAR开发环境下用20pin的Jlink进行代码调试偶尔出现无法调试，但多试几次可能就会好了。

2、SWD调试的效果很差，主要原因在于硬件上的抗干扰的原因，同样的电路板，STM32的在线调试很顺畅，但GD32的经常性的出现干扰而导致代码无法烧入或在调试过程中发生中断。

3、Flash执行速度问题，前256K的代码执行速度正常，256K后面的代码响应中断速度会很慢，所以做开发的时候中断函数最好要放在前256K的地址中。

另外，在芯片的外设问题上，只能是谁用谁知道，我用过I2C，感觉和ST并不是完完全全兼容，还是有一点点的差别。

最后我希望GD能越做越好，希望很快国产的能占领市场，国外的这些玩意在国外卖得很便宜，但在国内就卖得很贵，因为我们之前没有可以替代的东西，而现在有了就是个很好的趋势。

果芯片的打开了读保护程序不能烧写进芯片，keil的提示信息如下：

1、打开jlink-commander，可以发现芯片。

2、输入“mem0x1ffff80010"，从0x1FFFF800地址读取10个字节。

3、如果读出来的前两个字节全是FF的话说明芯片处于读保护状态，此时可以擦除芯片但是不能烧写程序。接触写保护的方法是打开]-flashARM。

4、点击Option->Projectseting，在CPU选项卡的Device里选择STSTM32F103RB，然后确定。

5、然后选择Target->Connect，下面显示连接成功。

6，连接成功后点击Target->Unsecurechip，如果成功的解除会提示如下信息。

7、下面的信息提示框会提示，说明成功解除了读保护。

8、此时回到ink-commander，再次输入'memOx1fff30010"读取Ox1FFFFSOO地址开始的10个。

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