三合一封装的DrMOS面积是分离MOSFET的1/4,功率密度是分离MOSFET的3倍,增加了超电压和超频的潜力。应用DrMOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。 编辑本段特点 DrMOS的特点,它能够在主板高负荷运作时,比其他厂牌同级主板有更高的用电效率,减少能源浪费,进而达到省电的效果;而在超频效果上,透过DrMOS的超低电 源反应时间和低阻抗特性,可以轻松应付狂热玩家对高端主板更严苛的超频工作,大幅提升整体效能。
此外,系统在高负荷运作时,DrMOS芯片的发热量低,减少了热能产生,自然也降低了风扇噪音,增加系统稳定性。经测试,同样条件下,传统供电部分的MOSFET温度可达121摄氏度,而DrMOS最大温度为689摄氏度,DrMOS温度要比传统供电部分的MOSFET温度约低一半,无疑会给用户带来超稳定的工作效率,对超频用户来说更是如虎添翼。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)