DDR内存和DIMM是什么关系？

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解析:

DDR(Double Data Rate)：双数据速率；

DIMM(Dual In-line Memory Module)：双面引脚内存；

就象我们越来越熟悉Rambus和PC133一样，一个新的名词DDR出现在我们面前。我们经常被问到："什么是DDR？"简单的回答就是"双数据速率同步DRAM。它以两倍的速度传输数据。"那么，它意味着什么呢？

DDR的历史
在1997年，我们在JEDEC存储器会议上第一次看到了配备DDR内存的PC。那时，DDR内存只由Samsung制造和推广。主板上的芯片组是DDR可选的VIA M3。其数据传输速率是150Mhz。不幸的是，此主板只工作了两个小时。

虽然第一块带有DDR内存的主板工作的并不很好，但是它给了半导体界足够的信心去继续发展DDR的商业产品。DDR存储器协会和任务组的目的就是继续优化DDR存储器结构。同时，Rambus内存也在此时出现来参与竞争。

什么是DDR？

DDR非常类似常规的同步DRAM，不象Rambus是基于数据包概念工作的。普通的同步DRAM（我们称之为SDR）是从标准DRAM演化而来的。

标准DRAM接收两个字的地址命令。它以复用方式节省输入管脚。第一个地址字由行地址选通信号（RAS）存贮在DRAM芯片中。随后是列地址选通信号（CAS）以存贮第二个地址字。紧接着Ras和Cas选通，所存储的数据就可以被读取了。

SDRAM将时钟加入到标准DRAM的之中。它的Ras 、Cas和数据有效都发生在每个时钟周期的上升沿。由于时针周期，数据的位置和其它的信号都可以被预测。因此，数据读取指针就可以被非常精确的定位。因为数据的有效窗口很容易被预知，所以内存也被分为四个存储体以便内部单元预充电和预读取。同时，它还可以用突发模式进行连续地址读取而不必重复Ras选通信号。只需用连续的Cas选通信号就可以把同一行中的数据顺序读出。

除了数据在时钟的上升沿和下降沿都可以读取以外，DDR内存的工作模式与SDR很相似。因此，单一时钟频率可以使数据传输的速率两倍于时钟频率。新一代的DDR内存将工作在200 Mhz和266 Mhz的数据速率。

DDR DRAM的设计

第一代的DDR内存（通常称为DDR 1）有很多新特性。

它的标准是4个内部存储体以减少时延（随机存取访问的建立时间）。

它的双数据传输结构是2倍的预读取设计，可以在每个时钟周期内传输2 个数据字。

DQS指针在读周期由DDR发送，而在写周期由控制器发送，它应用于对齐数据。输入输出数据均参照DQS信号。

DDR DRAM以差动时钟信号工作，以使噪音干扰最小。

突发（连续数据输出）模式可以被编程为2、4或8个突发长度。

芯片中包括一个DLL（数据琐向环）以帮助锁定和调整内部时钟。

I/O接口工作在25V的SSTL-2 Class Ⅱ及Vref参考电压。

一些早期的DDR产品工作在33V的VDD电压，当低电压技术成熟时，它最终将改变成25V，以达到节能的目的。

机械封装

标准的DDR SDRAM使用66pin 400mil TSOP封装，类似于标准SDRAM封装。管脚间距为065mm。这使得它可以适用于常规的PCB装配板，而无需特殊的组装设备。64Mbit芯片、128 Mbit芯片、256 Mbit芯片和512 Mbit堆积式芯片是管脚兼容设计，这样可方便地应用统一的DIMM PCB。

DDR模块和选项

标准的DDR内存条是184 pin DIMM。它很象标准的168 pin SDRAM DIMM，只是用了一个凹槽而不是SDR上的2个凹槽。组件的长度也是525英寸以节省宝贵的主板空间。

标准化协会定义了两种不同配置的DDR内存条。第一种是无缓冲DDR DIMM，它成本低，可应用在PC和Inter设备上。第二种是缓冲DDR DIMM，它将板上PLL与缓存结合在一起，应用于较高存储密度的服务器应用。

DDR的设计中还包括了可用于内存条上FET开关的可选控制信号。这种设计用于高存储密度工作站中存储器输出的噪声隔离。

工业标准也规定了贮存在EEPROM芯片中的特定的SPD。

将来会出现支持特殊市场的200针SODIMM模块和232针模块，无论怎样，基本特点和功能是相同的。

DDR的价格

谈到价格，DDR在开始阶段会比SDR高10%~15%，然而，由于几乎相同的晶片(DIE)尺寸和结构，很快就会实现价格齐平。我们会发现存储器厂商会将 DDR和SDR设计 在相同的晶片上 。那时，价格差异将非常小。

至于DDR模块，由于无需特殊的组装与测试设备，184针非缓冲模块的出厂价和销售价都会相对较低，额外售价会对缓冲模块和特殊配置模块收取。

结语

由于DDR是具有突出性能和低价格的演进产品，计算机行业会很快采用它。从今夏至2003年，它都会在业界盛行，直至下一代存储器出现。

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