FBDIMM运用了JEDEC的DDR2标准，使得这一种新世代的服务器用内存，初问世的产品就是DDR2-533以上的速度。目前制定的规格自DDR2–533到DDR2–800，下图为FBDIMM之，中间那一块上装散热片的芯片，是AMB。
简单的来说，以往的RDIMM设计理念，是主机板上的内存控制芯片会跟每一条内存模块联系，进而沟通工作内容，而FBDIMM是一种串连接口，各个FBDIMM之间以及FBDIMM和内存控制器之间透过AMB连接。这种讯号的沟通方式，使得FBDIMM可以在维持内存的高性能同时，并可以大幅增加主板上内存插槽的数量，而不用担心效能的减弱。
一般而言，内存的工作频率越高，主机板上的能运用的内存插槽越少。这对于一般的桌上型主机来说并不会是个太大的问题，因为一般的桌上型主机只需要2–4个内存插槽，但是如果是在服务器上，8 ~ 16个以上的内存插槽往往只是基本数量。对于FBDIMM来说，不需要牺牲内存的工作速度来增加更多的内存，因为FBDIMM的设计原理，可以使得工作效能与内存的数量二者兼顾。
而可以成功的达成这个目标，最重要的关键是，AMB (Advanced Memory Buffer)。这颗芯片是内存模块与主机板上的内存控制组件，以及主机板上其它的FBDIMM之间的沟通桥梁。主要的工作原理如下图:
若是将DDR系列的RDIMM与FBDIMM来做一比较，FBDIMM架构无论是在工作频宽与可扩充容量方面，皆胜过RDIMM的架构，因此，在不久的将来，FBDIMM架构取代RDIMM架构，应该是可以预见的结果。
而在未来，当开始应用DDR3颗粒于FBDIMM架构中时，新一代的FBDIMM或是FBDIMM2将会采用跟现有FBDIMM相同的架构，对于IT人员来说，未来的升级方法，只要主机板上的芯片组有支持，则只需要购买FBDIMM/FBDIMM2，即可直接使用，不需要跟采用RDIMM架构的系统一般，由DDR1变更为DDR2时，还需要变更主机板。简单的说，FBDIMM规格的设计，不但使IT人员节省时间，更可以节省公司的支出。分类: 电脑/网络 >> 硬件
问题描述:
DDR2 DDR3到底是怎么回事呢！性能的却很高吗？现在最好的内存是海盗船吗？还有性价比最高的内存是什么品牌啊
解析:
DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次 *** 作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次 *** 作，在方波的下降沿时也做一次 *** 作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR内存不向后兼容SDRAM
DDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。
DDR-II内存将是现有DDR-I内存的换代产品，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高（包括现代在内的多家内存商表示不会推出DDR-II 400的内存产品）。从JEDEC组织者阐述的DDR-II标准来看，针对PC等市场的DDR-II内存将拥有400-、533、667MHz等不同的时钟频率。
高端的DDR-II内存将拥有800-、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR-II内存将采用013微米的生产工艺，内存颗粒的电压为18V，容量密度为512MB。 DDR-II将采用和DDR-I内存一样的指令，但是新技术将使DDR-II内存拥有4到8路脉冲的宽度。DDR-II将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和中断指令。DDR-II标准还提供了4位、8位512MB内存1KB的寻址设置，以及16位512MB内存2KB的寻址设置。
DDR-II内存标准还包括了4位预取数（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技术的预取数位只有2位。
DDR3的市场导入时间预计为2006年下半，最高数据传输速度标准较达到1600Mbps。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到200MHz，因此再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是：
更高的外部数据传输率
更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：
8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz
采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担
采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从18V降至15V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
下面我们通过DDR3与DDR2的对比，来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新成员。
DDR3与DDR2的不同之处
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取 *** 作加上一个BL=4的写入 *** 作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断 *** 作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
3、寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
4、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的 *** 作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
5、新增功能——ZQ校准
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新 *** 作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
6、参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。
7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新 *** 作。
8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。
9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）
这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-o-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。
除了以上9点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了。下面我们来总结一下DDR3与DDR2之间的对比：
DDR2与DDR3规格对比，业界认为DDR3-800将被限定于高端应用市场，这有点像当今DDR2-400的待遇，预计DDR3在台式机上将以1066MHz的速度起步
从整体的规格上看，DDR3在设计思路上与DDR2的差别并不大，提高传输速率的方法仍然是提高预取位数。但是，就像DDR2和DDR的对比一样，在相同的时钟频率下，DDR2与DDR3的数据带宽是一样的，只不过DDR3的速度提升潜力更大。所以初期我们不用对DDR3抱以多大的期望，就像当初我们对待DDR2一样。当然，在能耗控制方面，DDR3显然要出色得多，因此将可能率先受到移动设备的欢迎，就像最先欢迎DDR2内存的不是台式机，而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也将经历一个慢热的过程不行的,你原来主板只能支持DDR的内存,不能用DDR2的内存的,威盛有一款DDR,DDR2都可以用的主板,不知道你主板不是那个主板如果是的话,就可以换成DDR2的
你下个CPU-Z就能看到内存的频率了可以倒是可以。但由于服务器和家用主机的设计理念和应用领域不同，和家用机相比有优势也有劣势。\x0d\\x0d\首先。\x0d\ 由于服务器和家用机的应用领域不同，造成了它们在硬件配置上也有所不同。虽然都配有主板，CPU，内存这些基本的配件。服务器更注重专业领域的应用，在硬件的性能上会有所注重。比如。服务器的主板芯片组与家用家的不同，更注重系统的稳定和拓展性。CPU也与家用机不同，需要更强大的运算能力。与家用机CPU所集成的指令集和架构等等都有所区别。显卡，服务器显卡多是集成主板上的。但也提供PCIE显卡插槽。\x0d\\x0d\其次。\x0d\ 家用机与服务器相比更注重通用性和日常民用应用。比如玩游戏之类。以游戏来说。目前游戏的优化还只针对家用机的硬件系统。对于服务器用CPU和芯片组来说基本没有优化。所以玩起来的感觉服务器并不一定比家用机的表现好。\x0d\\x0d\最后。\x0d\ 对于 *** 作系统的支持要看相应的硬件情况。理论上说只要系统和硬件相互支持，就可以安装和使用。\x0d\\x0d\对比总结。\x0d\ 服务器相比家用机有运行稳定，数据处理能力强，拓展性强的优势。家用机相比服务器有成本更低，简单易用，游戏，日常应用支持性好的特点。
一 不能通用。
二 台式机插服务器的内存条，开机时电脑会报警。而服务器可以兼容台式机的内存条，但稳定性和性能会差很多。
三 台式机和服务器的内存工作原理相同，基于服务器更高的可靠性和安全性的要求，内存会多一些功能，而这些功能台式机用不上，就导致了无法识别。
具体原因：
1、台式机内存由4颗/8颗/16颗/32颗存储芯片组成，常见的单面8颗粒或双面16颗粒，目前常见的内存容量：8G/16G/32G。
2、ECC服务器内存有5颗/9颗/10颗/18颗存储芯片组成，从外观上颗粒比台式的每面要多1颗“错误校验芯片”。
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