网络授时设备,GPS网络授时服务器,公安网时钟同步的主要特点?

网络授时设备:所谓的网络授时设备就是指能够输出网络对时
信号
给网络内的各种不同的
网元
提供
正确的时间
信息，现在互联网上通用的
对时
信号为NTP对时协议。但是网络授时设备本身也是需要获得时间源的，一般来源有GPS、
北斗
等，
卫星
授时系统
。
GPS网络授时
服务器
:深一点理解，其实就是NTP服务器，输出携带正确信息的NTP协议信号给网络内的网元授时，服务器本身的时间源来自GPS。
公安网
时钟
同步:一般的
通信网络
无论是公安、电信还是
电力
的时钟
同步网
，都包括两个需要同步的信号包括
频率
信号、时间信号。以确保网内的
信息传递
安全、可靠、不出现
故障
。

车辆GPS定位系统的功能：精确定位、电子围栏、伪装、历史再现、街景。全球定位系统。

GPS全球定位系统采用多星高轨测距体制，以距离作为基本观测量，通过对4颗卫星同时进行伪距测量，即可推算出接收机的位置。由于测距可在极短的时间内完成，即定位是在极短的时间内完成的，故可用于动态用户。

现代测距实质上是使用无线电信号测量其传播时间来推算距离。可以测量往返传播延迟，也可以测量单程传播延迟。往返传播测距即主动测距，要求卫星与用户均具备收发能力。对用户来说，这不仅大大增加了仪器的复杂程度，而且从隐蔽性来看也是十分不利的，因为发射信号易造成暴露。单程测距（即被动测距）则在很大程度上避免了上述的缺点。

扩展资料：

GPS接收机主要由GPS接收天线、GPS接收机主机和电源三部分组成。

1．GPS接收机天线

GPS接收机天线由天线单元和前置放大器两部分组成。天线的作用是将GPS卫星信号的微弱电磁波能量转化为相应电流，并通过前置放大器将接收到的GPS信号放大。

2．GPS接收机主机

接收机主机由变频器、信号通道、微处理器、存储器和显示器组成。变频器的主要任务是使接收到的L频段射频信号变成低频信号。信号通道是软硬件结合的电路，是接收机的核心部分，其作用是搜索、牵引并跟踪卫星，对广播电文信号进行解扩、解调成为广播电文，进行伪距测量、载波相位测量及多普勒频移测量。

3．GPS接收机电源

GPS接收机电源有两种，一种为内电源，一般采用锂电池，主要对RAM存储器供电；另一种为外接电源，常用可充电的12V直流镍镉电池组。

1、如果钟表是变慢而保持一直走动的话是电池的电量不足，需要更换。家里的钟表慢了可能不会立即发现，有可能到停走的时候才发现，就出现误以为挂钟走着走着就不动的现象。

2、可能是分针和秒针碰到卡住了，可以先取出挂钟的电池，然后打开后盖，可以调整一下分针和秒针的位置，然后再装回去，安装好电池，看下是否会转动。如果都无法使得钟表转动起来，那可能是钟表的机芯坏了，需要去钟表店换个机芯。

3、轮系故障，大多数是轮齿间有灰尘、异物，使轮系齿间相互卡住。也有部分表是 油显过多或极少，油量过多使轮片之间，轮片与夹板之间发生粘连。油量过少使转动轮系阻力过大，这些都会使电子手表走不好。碰到步进马达和轮系的这些故障， 都应进行清洗，清除异物，重新加油才行。

4、接触不好，多数是正负极接触簧片上有污物，与电池接触不良。电路板上信号输出点与线圈线头引出点的接触也会发生接触不良。这些都会引起电路不导通，使石英电子手表不走或者走不好，发现由于接触不好引起的电路不通，首先将接触面充分清洁，然后再重新装配好。

5、石英表无输出信号，其它各方面检查都正常，用万用表检查电路板无输生信一号，大多数原因是石英振子损坏或集成电路故障引起，经更换石英振子无效，则需更换整个电路板。石英表走慢80%以上都是电池电量不足导致的，因此及时更换电池，到专业的维修点更换相应型号的电池。

扩展资料：

石英钟的种类：

1、电波钟表

电波钟表的性能很稳定，是现在非常受欢迎的一种。它的工作原理是由标准时间的授权中心将时间信号进行加密，然后通过低频载波以无线电的形式发播出去，最后由电波钟通过内置的信号接收器接收该信号。

2、电子钟表

电子钟表的工作原理主要是由电池发出的电能转化成磁能，再将磁能转换成能带动钟表的机械能，以此达到目的。

3、晶体管钟

晶体管钟看上去有跟普通的闹钟一样，内部采用晶体管作为开关，而且还有专门的机芯。这种钟表的性能比较稳定，功能齐全，价格适中，受到非常多人的青睐。

4、数显钟

数显钟是现在比较常见的一种，外观时尚，图案种类很多，使用寿命很长，很多人进新房的时候就会购买这种钟表。它虽然是采用石英晶体作为振荡器，但是可以不用机械传动，就可以在显示器上显示时间。

没有什么区别，都是可独立基于NTP/SNTP协议工作的时间服务器，时间同步服务器从GPS卫星上获取标准时钟信号信息，将这些信息在网络中传输，网络中需要时间信号的设备如计算机，控制器等设备就可以与标准时间源同步。具体的可以咨询北京泰福特电子，他们主要做这方面的。

在半导体领域，功率器件的总体表现一向以平稳著称，然而近段时期产业热度却在迅速提高，相关投资扩建的消息不断涌现。这与市场需求的迅速增长密切相关。
“新基建”的激励之下，市场对电力电子设备的需求越来越强烈，这为功率半导体器件行业的发展添了一把火。在功率半导体领域深耕多年的华微电子，也携带自身优势，率先入局新基建赛道，助推行业发展。
在过去的半个多世纪中，华微电子持续突破诸多关键技术，加速推动功率半导体器件的国产化替代，助力我国工业强基与民族产业发展，成为具有国际竞争力的功率半导体企业。
现如今，华微电子厚积薄发，在国内功率半导体器件市场低端产品竞争加剧且中高端产品大量依赖进口的形势下，华微电子也加快高端产品的推广和研发布局，从2016 年开始，华微电子便开始规划生产高性能功率器件，包括超结MOSFET、CCTMOSFET、Trench FS IGBT、超高压快恢复二极管、Trench肖特基产品和大功率IGBT模块等。
未来几年，随着新能源汽车、5G通信等新兴产业日益崛起，功率半导体市场需求势必会持续增长，而作为国内主要功率半导体生产商之一的华微电子，其具有全系列的功率半导体器件门类，随着国内功率半导体器件市场保持快速且稳定的增长，华微电子也将迎来发展的快车道。
替代进口的有力竞争者
作为全球汽车和工业大国，中国是全球最大的功率半导体器件市场。然而，在经济的快速发展中，国外在极力阻止中国的崛起特别是美国对中国高科技技术发展制造了障碍，中兴、华为事件给我国功率半导体行业的发展敲响了警钟，目前中国功率半导体市场被美国、欧洲和日本品牌掌控，在国内市场占有绝对的优势，市场占有率60%以上。
华微电子自成立以来，一直致力于建设芯片制造能力，扩大生产线规模及提高芯片交付能力，目前拥有4英寸、5英寸与6英寸功率半导体芯片生产线，加工能力为每年400万片，在建8英寸生产线，设计产能96万片/年，具有单管封装资源为24亿只/年，IPM模块封装1800万块/年。
经历了半个多世纪的技术积累，华微电子在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有了多项专利及工艺诀窍，尤其在IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等方面拥有独特的核心技术达到国内领先，国际同行业先进水平。其中，IGBT产品五大关键技术，包括薄片制造技术、透明集电极IGBT制造技术、纵向和横向结构设计技术、背面注入及激活和硅片测试技术均已攻破难关，研发完成600V-650V，1200V-1350V的IGBT产品，产品采用国际主流的Trench-FS技术，主要应用在新能源电动汽车、变频家电和电磁炉等领域。Trench MOS先后经历了几代产品开发后，成功解决了深Trench刻蚀技术、阻挡层金属化淀积技术、W回刻技术等，已经完成了30V-250V的产品开发。
“要实现国产化替代，目前公司面临的主要困难是客户对国产半导体功率器件的接受度，主要是在新的应用领域和高端应用领域，需要客户给予一定的机会和时间，给予国产品牌与客户磨合的机会。”华微电子表示，当下，公司主要解决的问题是，在产品应用方面加强与客户的交流和改进，同时根据客户的实际应用需求开发更加契合应用场景的定制化产品。而这也逐渐在实现，华微电子的产品广泛应用于消费类电子、汽车电子、电力电子、工业控制与LED照明等领域，并不断在新能源汽车、光伏逆变、轨道交通等战略性新兴领域快速拓展，是飞利浦、松下、日立、海信、创维、长虹等国内外知名企业的配套供应商。
向高端细分领域迈进
在国内功率半导体器件市场低端产品竞争加剧且中高端产品大量依赖进口的形势下，华微电子也加快高端产品的推广和研发布局，在工业、汽车电子、5G、充电桩等领域产品的应用，已经取得一定的效果，并获得了国内知名企业的认可。
谈及未来的发展，华微电子表示将继续以公司传统的功率半导体芯片制造为核心，继续做大做强芯片制造能力，纵向发展建立8英寸芯片生产线，实现高端VDMOS、IGBT器件制造，满足快速增长的市场需要，横向扩展建立硅外延生产线，保证材料安全供应，建立封装测试生产线，重点建设模块生产线，向高压大功率方向发展，打造功率半导体产业制造基地，完善功率半导体产业链，加速功率半导体国产化进程。
“华微电子会继续发展自主研发、平台建设的IDM优势，不断升级硅基功率器件的性能和品质。公司具有IGBT、MOSFET、二极管、可控硅和BJT等全功率器件工艺平台，包括单管、IPM及PM等各类封装形式的产品，未来公司仍会把功率半导体作为主要的技术发展方向，结合公司市场领域，逐步建立配套的驱动IC生产线。”华微电子表示，在中低压MOSFET上，公司将进一步升级现有技术平台，不久将会推出第二代CCT MOSFET，以100V产品为例，单位面积导通电阻达到40毫欧。完善产品电压等级，建立起从10V~250V产品的全系列的电压平台，除了在消费类领域内应用外，拓展到服务器电源、5G、工业、人工智能和汽车电子。
对于高压MOSFET，今年年底会推出第二代超结MOSFET产品，进一步提升该系列产品的耐用性和效率，应用于充电桩和基站电源。在未来2~3年我们会继续提升超结MOS平台，采用多层外延结构，开发第三代超结MOS平台，达到与国际品牌一致的性能，产品系列涵盖了500V-900V，4A-72A全系列，能满足各个领域的产品需求。
“FRD二极管和IGBT一直是我们的核心产品，在未来2~3年，我们将致力于开发用于轨道交通和电网领域内需求的超高压产品系列，电压涵盖1700V~6500V。”华微电子还表示，Trench肖特基方面，公司已完成45V、60V、100V产品Trench SBD平台建设，正在开发80V、150V产品平台，具备势垒高度可调技术，可满足客户对于使用效率的更高需求，比平面产品具有更高的可靠性能力，应用在光伏领域和电源领域。此外，华微电子积极布局GaN和SiC器件，研发和生产增强型GaNHEMT，先在快充领域做GaN器件和应用方案，然后过渡到工业和通信电源领域；对于SiC器件，目前已经研发出了650V SBD二极管产品，将进一步拓展到1200V二极管和SiC MOSFET，主要应用于新能源汽车及充电桩。
市场红利渐释放
近几年来，中国功率半导体器件在工业控制、汽车电子、网络通讯等多领域应用带动下，需求持续上涨，中国功率半导体器件市场保持快速且稳定的增长。
“受新冠肺炎疫情影响，2020年功率半导体市场将会面临一定幅度的回落，之后将迎来快速复苏，预计到 2022年，中国功率半导体市场规模将达到 1960 亿元，2019~2022年年均复合增长率将会达到37%。”华微电子认为，未来几年，国内市场对功率半导体的需求仍然强劲。
这对华微电子来说，公司利润持续稳定增长已经有迹可循，公司具有全系列的功率半导体器件门类，随着市场需求的增长，公司也将会迎来发展的快车道。
而从细分市场结构来看，工业控制、汽车和网络通信，需求将大幅增长，其中 MOSFET和IGBT 成为最大受益产品。业内预计，2022年，MOSFET和IGBT 的市场份额合计占比超过30%，其MOSFET复合增长率为54%，至2022年市场规模将达到365 亿元；IGBT年市场规模达到251亿元，复合增长率74%。
“ MOSFET 和IGBT 已成为最主流的功率器件之一，广泛应用于汽车电子、工业电子、新能源汽车、充电桩、物联网、光伏新能源等领域。”但是，高端的MOSFET和IGBT绝大部分进口，只有华微电子等少数厂商可以生产，目前先进的生产技术基本被国外厂商垄断，全球最大的功率器件生产商有德国的英飞凌、美国的安森美、日本的三菱机电等。
2019 年初，华微电子计划投资新型电力电子器件基地项目建设，本次投资主要是为了建设8英寸生产线，以满足公司新型功率器件的生产，项目生产的产品主要有IGBT、低压Trench-MOS 、超结MOS 以及IC芯片，针对的市场是目前国内相对空白的高低功率半导体市场，产品下游市场增长迅速，进口替代空间巨大。投资项目产品性能和技术水平虽然与国际大厂的产品还略有差距，但是其主要性能已经和国际主流公司的产品相当，个别参数还具有一定优势。业内预测，未来几年，随着中高端技术产品在市场规模化应用，新产品、新领域重点项目指标的达成将带动华微电子整体业绩持续稳步增长。

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