现代颗粒：
作为全球几大内存颗粒生产厂家的现代公司自从进入中国以后假货也随之而来并且花样之多令人发寒。以往所谓的现代原厂内存不过是使用些小伎俩比如贴塑料纸，喷漆等下三滥的REMARK手段，而现在真正的仿冒品出来了，不仔细看的话真的会被假货所蒙骗。同时HY公司的内存颗粒一直以来算的上中规中矩，除了稳固TSOP II封装的颗粒外，根本没有生产过其他封装的产品，这里就暴露了假货的致命点。虽然外观漂亮，但是最终难逃假货的命运。
目前现代主流的内存颗粒有两种，默认频率在200MHz的D-43颗粒以及250MHz的D-5颗粒。
海力士（Hynix）颗粒：
与英飞凌的情况类似，海力士以前是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司，后来从母公司中独立，改名为Hynix，所以严格的说，它的产品不能再称之为“现代内存”了。
KINGSTON系列：
虽然他比KINGMAX出道晚，但是他却以迅雷不及掩耳的速度在国内走红，可能最主要的原因就是内存质量了。同样市场上也就出现了仿冒的盒装KINGSTON。辨别是否是正品非常的简单。首先，正品的封口贴纸印刷色彩丰富。假冒的产品则逊色很多。
如果不能通过包装外表来识破真假，那么就看看内存颗粒，假货为了节省成本通常使用廉价的杂牌内存颗粒，而正品则是以SAMSUNG，HY等为主的。但是必须要提防打磨的颗粒。还有一招就是拨打内存上的800电话来辨别真假。
三星原厂颗粒：
三星与现代原厂内存一直都是比较崇尚的，自从去年进入市场以来也都没有过的清闲，频繁受到了仿冒品的骚扰。
现在的所谓三星原厂的仿冒品如同以前的散装条，做工较为粗糙，PCB质量较为低劣，并且分量也不及原厂条来的重。内存颗粒的激光字体原厂的非常清晰，而仿冒品则有摩擦过的痕迹。
内存的背面也可以看到真品的走线比较清晰自然，而仿冒品则比较零乱，包括焊点的质量，谁真谁假一目了然。
为了防止仿冒品三星原厂内存的代理商未雨绸缪的使用了防伪技术，在真品的内存中贴上了一张镭射三星金条的贴纸，同时整体原厂的包装中也附带有了一张质量保证卡。相信这些仿冒者除非下血本，不然还是难以与真品的附件质量相抗衡的。
三星内存颗粒上的编号“TC”，其中的“T”代表采用TSOP封装方式。
一、三星DDR系列内存芯片：
三星TCB3颗粒：
TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700, 2-2-2-X的时序，参数非常优秀，此外它同样可以工作在PC3200，但是不能继续维持这么高的时序，200MHz时的时序为2-3-3-6，不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右，对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大，TCB3对于电压并不太敏感，30V电压下频率提升也不是很大。现在来看这种颗粒有些过时。
三星TCCC颗粒：
TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz时可以保持25-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少DDR500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留给这款内存的超频空间已经很小了。电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，不过在28V时已经基本可以达到最高频率。
三星TCC4颗粒：
TCC4：TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。TCC4并不太适合超频用户，因为在加压情况下最高也只能稳定在210-220MHz，3-3-3-X的时序模式下，对电压很不敏感，只适合追求容量和性价比的用户。
三星TCC5颗粒：
TCC5：TCC5是三星TCC系列的一款新产品，在各方面比它的前辈TCC4都要优秀很多，一般多用在DDR466内存产品上，超频性能很不错。这款内存的默认工作频率为233MHz，初始频率比TCC4要高，默认工作时序可以达到25-3-3-X，在超频模式下，可以工作在250MHz和3-4-4-X的时序下，对于电压也不太敏感。这款颗粒相比TCCC和现代的D43来说并不常见，售价相对较高，对于AMD,Intel的平台都比较适应，200MHz下可以提供不错的时序，而超频状态下可以提供不错的频率，是一个不错的选择。
三星TCCD颗粒：
TCCD：TCCD是另一款经典高频颗粒，可以在2-2-2-X的时序下稳定工作在220MHz,也可以在25-4-4-X的时序下以超过300MHz的频率稳定运行，是目前工作频率最高的DDR内存芯片。TCCD对于电压的比较敏感，但是并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态，在28V或者更低电压下即可达到，几乎适用于所有的主流主板。目前采用TCCD颗粒的内存产品在绝大多数主板上可以轻松达到DDR600的水准，可以满足不同用户的需要。TCCD和BH-5相比在高频时候的参数不足可以通过更高的工作频率来弥补。目前几乎所有的内存频宽记录都是由TCCD创造的，不少采用TCCD颗粒的品牌内存已经成为超频玩家们追捧的对象。
三星UCCC颗粒：
此外三星UCCC内存颗粒低延迟特性也为玩家所追捧，选用UCCC颗粒的DDR400内存条，默认工作时序为3-3-3-6，在不加电压超频模式下，可以工作在240MHz和25-3-3-X下。相对价格也要便宜一些，非常适合大众选择。
三星DDR2系列内存芯片
GCCC是目前最常见的三星颗粒，多用于DDR2-400产品
使用三星ZCD5颗粒的三星金条DDR2-533内存在不加电压超频情况下，能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式，更具备挑战DDR2-900的实力。
目前全球速度最快的三星金条DDR2-800采用三星ZCE7颗粒
最近生产的三星颗粒上，厂家标识已经从原来的“SAMSUNG”改为“SEC”了
DDR2时代，三星全面进入到GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。
目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、5/ZCD5(多用于DDR2-533)、6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星金条内存品质非常好的一个原因。GCCC和5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。三星金条作为韩国三星电子的原厂原装内存，多选用这种颗粒。
KINGMAX系列：
KINGMAX的产品以他的TINYBGA封装形式得以闻名，同时因为技术的独特性也一定程度抑制了假货的生存。在去年KINGMAX为了丰富自己的产品线推出了一个SUPER-RAM的系列，这个系列采用了TSOP封装技术，当然这也给仿冒工厂带来了又一个利润点。
不过KINGMAX公司也意识到了这一点，对这个系列的内存使用了非常多的防伪手段。最另人值得注意的就是PCB板正面SPD下方新设计一颗ASIC芯片(特殊用途芯片)，该颗粒采用KINGMAX专利的TinyBGA技术进行封装，内部存储了ID CODE，具有全球统一识别码，也就是说拥有唯一性，同时还附上了800电话的查询贴纸，这样假货就无处藏身了。
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Winbond(华邦)系列
Winbond(华邦)是台湾著名的内存芯片生产商，该公司生产的DDR内存颗粒在玩家心目中的地位是其他任何厂商没办法取代的，该公司的BH-5内存芯片已经成为高档内存的代名词。
1、BH-5
BH-5是华邦公司最出名的内存颗粒，也可以称得上到目前位置最出名的内存颗粒！这些颗粒以其超强的内存参数而著称，并且对于电压相当地敏感；大多数的BH-5颗粒可以工作在2-2-2-X的参数下，当然在32-34V高压下，部分采用BH-5颗粒的极品内存甚至工作在280MHZ的频率，并且仍然维持2-2-2-x这样的时序。
当然这样体质的BH-5颗粒还比较少见，对于内存的整体要求也相当高。如果你的主板不支持28V以上的内存电压调节，采用BH-5颗粒的内存或许不太适合你，但是对于那些狂热的超频玩家来说，OCZ的DDR booster可以帮助他们榨干BH-5的所有能量，最高39V的电压可以轻松让你的BH5达到DDR500，2-2-2-X以上，当然笔者不推荐正常使用中采用这么高的电压(毕竟大多数采用BH5颗粒的内存默认电压为25-26V之间)。
2003年是BH-5颗粒产量最多的一年，但目前华邦已经宣布停产BH-5颗粒，因此现在的市面上新售内存中采用BH-5的比例非常少，多数出现在售价超贵的高端内存中，如Mushkin Black Level ram，Kingston Hyper X，Corsair XMS，TwinMos，Buffalo以及极少数低端内存产品中；当然另外一种寻找BH-5内存的方法就是在销售商的库存产品中，或二手市场，网友之间的交易来获得。
2、CH-5
CH-5颗粒是华邦公司继BH-5以后推出的另外一款试用于DDR400内存产品的内存芯片，可以称之为BH-5的缩水版，为什么这样说呢？因为CH-5超频后工作参数一般只能达到2-3-2-X，频率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚远；并且对于电压的敏感程度比不上BH-5，高于3V的电压通常也起不到太明显的效果，这种现象虽然主要还是内存颗粒的本身体质来决定的，但是和内存厂商的PCB板设计，用料还是脱不了干系的。
不同批次的CH-5颗粒的差别也很大，一些少数CH-5颗粒同样可以达到BH-5所能够达到的成绩，当然几率非常小。目前华邦仍然在继续生产CH-5颗粒，在BH-5停产后，缩水版的CH-5也逐渐被很多高端内存所选购，成为新一代的“极品”，不少采用CH-5颗粒的内存在适当的加压后可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS，Kingston Hyper X以及其他几个高端品牌的内存产品的一些型号均采用了CH-5颗粒。
3、BH-6
BH-6作为BH-X系列的6ns版本，同样具有非常不错的性能，某些批次的BH-6的超频性能甚至能够比得上同门大哥BH-5，大多数BH-6同样可以工作在2-2-2-2X的参数下，并且在32-34V电压下可以稳定工作在240-250MHz。
不过由于华邦在推出BH-6颗粒不久后由于产能不足停止了该型号颗粒的生产，因此相比BH-5颗粒来说BH-6颗粒数量更为稀少。Mushkin Special 2-2-2，Corsair XMS，Kingston Hyper X，Kingston Value Ram PC2700等型号的内存产品上采用了BH-6颗粒。
4、CH-6
CH-6是华邦CH-X系列的6ns版本，虽然大家对这款华邦低端DDR颗粒不是很看好，但是它仍然继承了华邦系列一贯的优秀品质。CH-6在大多数情况下和CH-5很相似，不过不太容易稳定在2-2-2-X的时序，和CH-5一样同样对于电压不是很敏感，最高的工作频率应该是220MHz，2-3-2-X的时序。CH-6面对的是性价比比较高的市场，在一些较低端的内存产品上比较常见，如Kingston Value Ram，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。
5、UTT
UTT是华邦最新推出的DDR内存颗粒，可以说和BH-5颗粒非常相似，无论是能够达到的极限频率以及工作时序，和BH5不同的是UTT颗粒需要稍高的电压才能做到这些，因此大多数超频玩家选择让UTT在34-36V的电压下工作。
UTT在一点上做的要比BH-5颗粒出色，那就是UTT颗粒无论是双面还是单面分布超频性能几乎相同，但BH-5更偏爱单面分布的方式，因此BH-5系列内存的最好超频搭配为2x256MB,但UTT无论是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同样出色，这一优势在1GB内存成为主流容量的今天显得特别重要，512MB的容量在对付主流的3D游戏和软件应用已经捉襟见肘。
UTT颗粒在辨认上显得有点困难，可以通过印刷在颗粒表面的商标很容易地辨认出上面介绍的华邦其他四款内存芯片，但是UTT的颗粒印刷种类比较多，在寻找的时候会带来不小的难度。UTT常见的颗粒表面印着MTec或者Twinmos的商标，并且拥有华邦系列内存的特征(颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片)。
一般具备华邦内存颗粒特征但是没有印刷BH-5/CH-5的DDR400颗粒通常就是UTT颗粒了。一但拥有了采用UTT颗粒的内存，你会发现拥有1GB容量并且可以工作在275MHz 2-2-2-X时序的内存是多么值得兴奋的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多种品牌的低价内存上看到它的身影。1GB容量的售价在150美元左右，非常超值。
华邦系列内存颗粒的特征－颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片。
镁光(Micron)系列颗粒
镁光系列DDR内存颗粒以出色的超频性能以及兼容性好而著称，好多超频玩家称之为“中庸内存”，在中端领域镁光的颗粒无人能敌。目前常见的DDR颗粒包括-5B C/-5B G系列。
1、-5B C
说实话镁光的5B系列颗粒本来应该十分热卖才对，这款-5B C颗粒不仅能够达到很高的频率并且同时拥有很棒的时序，通常可以稳定工作在230MHz，25-2-2-X，虽然CAS延迟不能达到20或者更低，但是TRD和TRP却很低，均可稳定在时序2，当然工作频率还可以上的更高。-5B C对于电压同样很敏感，在30V电压下基本上可以达到最高频率250MHz以上。
镁光的颗粒的效能非常好，CAS25可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外该款内存的异步性能非常好，对于高端的Athlon64，Intel平台处理器FSB的提升尤其有帮助。目前多家厂商推出的PC3200内存均采用了镁光的这款芯片，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外还包括Crucial，OCZ和其他品牌。
-5B G
-5B G颗粒是镁光针对前者-5B C的改进版，虽然同样为5ns芯片，但是所能达到的最高频率要高于前者，著名的Crucial Ballistix系列内存就采用了这款型号的内存颗粒，不仅工作频率高，内存时序也相当出色。
-5B G颗粒可以在保持较高频率的同时拥有出色的时序，大多数-5B G可以工作在250-260MHz，25-2-2-X的时序，比大多数现代的D43/D5颗粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售价在250美元左右，此外你还可以在镁光原厂DDR400上发现这款颗粒的身影。
美光内存芯片编号的说明如下：
美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、SF、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。
在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表25V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400（3-3-3）。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Infineon(英飞凌)系列颗粒
Infineon(英飞凌)科技作为内存界的元老，其在SD时代的超频性能无人能敌，并且具备完美的兼容性能。有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。目前英飞凌常见的几款DDR内存颗粒在超频上都有不错的表现。
1、B5
这是英飞凌的5ns内存颗粒，不过并不多见，因为仅有Corsair XMS3200 rev 31这款内存使用了B5颗粒，默认设置为200MHz，2-3-3-6时序，相当不错，总体特征和华邦的CH-6颗粒很类似。B5颗粒对电压同样敏感，不过没有华邦的颗粒那么明显，即使加压后超频幅度也很一般，在29-30V的电压下只能工作在220-230MHz，尝试超过这个电压更是在浪费时间。
2、BT-6
这款是英飞凌的6ns颗粒，主要使用在PC2700内存产品上，和B5很类似，仅是在超频幅度上略逊于后者。Kingston的KVR2700就是采用了BT-6颗粒，可以稳定工作在215MHz，25-3-3-11的时序；目前6ns的BT-6算是比较落伍了，不过可以轻松达到200MHz，CAS25的水准，如果想要达到更高的频率和参数，就要在电压上下功夫了。综合来说，BT-6的好处就是以PC2700的价格带给你PC3200的体验。
3、BT-5
目前最常见的英飞凌DDR400芯片就是BT-5，默认工作频率为200MHz,30-3-3-8,DDR400通常优化时序为25-3-2-X,显得一般，不过BT-5擅长的是频率制胜，并且对于电压敏感程度很高，在28V以上电压，BT-5颗粒大多可以工作在240MHz以上，少数可以达到275MHz，3-4-4-X的工作状态。目前在很多品牌包括英飞凌原厂的PC3200内存都采用了这款BT-5颗粒，是一款性价比不错的产品。
4、CE-5/BE-5
在BT-5 200MHz下的时序遭人诟病以后，英飞凌的另外一款5ns DDR颗粒进入了市场，CE-5颗粒可以稳定工作在200MHz 2-3-2-X时序，此外部分产品还可以上到260MHz以上的频率，不过目前采用CE-5颗粒的内存品质参差不齐，一部分产品甚至不能稳定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5颗粒，可以单面实现512MB容量，在参数和极限速度上相比CE-5又有进步。
英飞凌内存芯片编号的说明如下：
在以前，有些人一看开头是HYB就以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，现在可就不要再出这种错误了。在最新的编号中，英飞凌将DDR和DDR-2的产品编号进行了统一，比如DDR-2 400与DDR-400的速度编号是一样的，但在具体的产品上所代表的含义并不一样。英飞凌的编号比较简明（由于DDR内存目前都是4个逻辑Bank，所以英飞凌也就取消了该编号，但估计到了DDR-2时代，由于多了8Bank的选项，估计还会有该编码）
西门子内存颗粒(实际上还是上面的英飞凌)
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-75——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-75的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-75的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
南亚科技（Nanya）
南亚内存芯片编号说明如下：
南亚的编号也是SDRAM、DDR SDRAM与DDR-2 SDRAM统一在起，而且也比较简明，在芯片结构方面，规则与美光的一样，并且也没有逻辑Bank数量的编码，在此不再详细说明了。不过，南亚代工的内存产品也非常多，如Elixir、PQI等，但这些产品已经非常少见，并且也没有对外公布明确的编码规则。
尔必达（ELPIDA）
尔必达是日立与NEC各自的内存分部合并的结果，也因此在产品的编号会有两种截然不同的规则与标识，早期以HM为开头的很可能就是原日立分部的延续，而目前则基本转移到了DD开头的编号规则。近期，尔必达的声势比较大，产销形势有明显的好转，采用其芯片的金士顿模组已经在国内上市，相信今后我们能见到越来越多采用尔必达芯片的产品。
尔必达内存芯片编号说明如下：
尔必达的编号也是比较简单的，需要指出的是，在速度编号的后面还有可能出现其他的编码，比如L，就代表低能耗，I则代表工业级产品，具有宽广的工作温度范围（-40至85°C），不过它们很不常见，在此就不多说了。另外，编码中的第一个字母E，一般不会有，在芯片上直接以DD形状，而E则变成了尔必达的英文名称——ELPIDA。
茂矽（MOSEL VITELIC）
茂矽内存芯片编号说明如下：
茂矽的编号也比较详细，而且比较明确，只是芯片结构一栏比较难以理解，我们可以这样看：前面的三位数是总容量，后面的两位数则是位宽（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。
2003年世界最大十家DRAM厂商排名：
从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。
最后要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。
三星内存哪个好。三星的内存是上品，质量非常好，兼容性的话，不怎么好，不过如果几个一起用，肯定得用一个牌子，这样出问题的可能比较小。
看价格也知道，虽然同一牌子的内存有贵有贱，同一个档次的三星的一般比较贵，这是因为它的性能和质量更好。
注意事项：
三星内存颗粒，目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以重点介绍这两部分的含义。编码规则：K4XXXXXXXX、XXXXX主要含义：第1位芯片功能K，代表是内存芯片。第2位芯片类型4，代表DRAM。第3位芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
现在常见的内存条品牌有以下几种，这里主要给大家参考 现代（HY） 个人认为，原厂现代和三星内存是目前兼容性和稳定性最好的内存条，其比许多广告吹得生猛的内存条要来得实在得多，此外，现代"Hynix（更专业的称呼是海力士半导体Hynix Semiconductor Inc）"的D43等颗粒也是目前很多高频内存所普遍采用的内存芯片。目前，市场上超值的现代高频条有现代原厂DDR500内存，采用了TSOP封装的HY5DU56822CT-D5内存芯片，其性价比很不错。 金士顿（Kingston） 作为世界第一大内存生产厂商的Kingston，其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务，赢得了众多中国消费者的心。 不过Kingston虽然作为世界第一大内存生产厂商，然而Kingston品牌的内存产品，其使用的内存颗粒确是五花八门，既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒。 Kingston的高频内存有采用"Hynix"D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DDR433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。 Kingston的ValueRam系列，价格与普通的DDR400一样，但其可以超频到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超频性也不错，Kingston 500MHz的HyperX超频内存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为26伏特，采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值为25，DDR500下的CAS值为3，所以性能也一般。 利屏 利屏是进来新近崛起的一个内存新秀。利屏科技（深圳）有限公司总部设在美国西部风景如画的世界高科技重镇旧金山。公司致力于研发、生产和销售利屏LPT极限高端内存条产品。公司拥有一支技术过硬的产品研发团队和足迹遍及中、外的专业销售队伍。产品深受广大游戏玩家和超频爱好者的喜爱。同时被冠以“超频之神”的美誉。 “利屏”眼镜蛇DDR400系列内存也是专门为追求性能的玩家所设计，它采用的也是D43的颗粒，但是时序更高，为了加强散热更是加上了金属散热片，其超频能力相当强劲，在加01V左右的电压下可以超频到DDR520。而利屏的DDR466内存，它采用的是编号为K4H560838E-TCCC的三星颗粒，运行在DDR466的时候内存时序为3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的报价就显得太高了。 而利屏的高端极限内存DDR560，提供单片256MB和512MB包装，同时双片装的512MB和1024MB支持双通道架构，每条内存的表面均有铜质散热片进行散热及确保运行的稳定性，其CAS值均为3，只能说刚好能用而已。 勤茂（TwinMOS） 勤茂（TwinMOS）CAS为2的DDR433内存，采用CSP技术封装—这款，勤茂DDR433内存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指数不错。此外，内存外面包裹着金**内存罩，能起到散热和屏蔽的作用，内存颗粒与散热片之间则填充了导热的垫片。价格在350元左右，其可超性也不含糊，性价比不错。 胜创（Kingmax） 成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。 通过严格的质量控制和完善的研发实力，胜创科技获得了ISO-9001证书，同时和IT行业中最优秀的企业建立了合作伙伴关系。公司以不断创新的设计工艺和追求完美的信念生产出了高性能的尖端科技产品，不断向移动计算领域提供价廉物美的最出色的内存模组。 在SDRAM时期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝国，开启了内存产品的高速时代，也奠定了Kingmax在内存领域领先的地位。而今DDR来了，从266到300，再到现在的500，Kingmax始终保持着领先的位置，继续引领着内存发展的方向。说到KingMax内存，就不能不说到它独特的 “TinyBGA”封装技术专利——作为全球领先的DRAM生产厂商，胜创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组，这项屡获殊荣的封装技术能以同样的体积大小封装3倍于普通技术所达到的内存容量。同时，胜创科技还研制了为高端服务器和工作站应用设计的1GB StackBGA模组、为DDR应用设计的FBGA模组以及为Rambus RIMM应用设计的速度高达16GB/秒的flip-chip BGA/DCA模组。 Kingmax胜创推出的低价版的DDR433内存产品，该产品采用传统的TSOP封装内存芯片，工作频率433MHz。Kingmax推出的这个SuperRam PC3500系列的售价和PC3200处于同一档次，这为那些热衷超频又手头不宽裕的用户提供了一个不错的选择。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500内存产品，其性能和其它厂家的同类产品大同小异。 海盗船（Corsair） Corsair（海盗船）是一家较有特点的内存品牌，其内存条都包裹着一层黑色金属外壳，这层金属壳紧贴在内存颗粒上，一方面可以屏蔽其他的电磁干扰。其代表产品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）内存，其在DDR400下，可以稳定运行在CL2-2-2-5-T1下，将潜伏期和寻址时间缩短为原来的一半，这款内存并不比一些DDR500产品差，而且Corsair为这种内存提供终身保修。 而Corsair DDR500内存采用Hynix芯片，这款XMS4000能稳定运行在DDR500，并且可以超频到DDR530，在DDR500下其CAS值为25，性能还算不错。 宇瞻（Apacer） 在内存市场，Apacer一直以来都有着较好的声誉，其SDRAM时代的WBGA封装也响彻一时，在DDR内存上也树立了良好形象。宇瞻科技隶属宏基集团，实力非常雄厚。初期专注于内存模组行销，并已经成为全球前四大内存模组供应商之一。据权威人士透露，在国际上，宇瞻的品牌知名度以及产品销量与目在前国内排名第一的品牌持平甚至超过，之所以在国内目前没有坐到龙头位置，是因为宇瞻对于品牌宣传一直比较低调，精力更多投入到产品研发生产而不是品牌推广当中。 最近，宇瞻相应推出的"宇瞻金牌内存"系列。宇瞻金牌内存产品线特别为追求高稳定性、高兼容性的内存用户而设计。宇瞻金牌内存坚持使用100％原厂测试颗粒（决不使用OEM颗粒）是基于现有最新的DDR内存技术标准设计而成，经过ISO 9002认证之工厂完整流程生产制造。采用20微米金手指高品质6层PCB板，每条内存都覆盖有美观精质的黄金色金属铭牌，而且通过了最高端的Advantest测试系统检测后，采用高速SMT机台打造，经过高低压、高低温、长时间的密封式空间严苛测试，并经过全球知名系统及主板大厂完全兼容性测试，品质与兼容性都得到最大限度的保证。 宇瞻的DDR500内存（PC4000内存）采用金**的散热片和绿色的PCB板搭配。金属散热片的材质相当不错，在手中有种沉甸甸的感觉，为了防止氧化，其表面被镀成了金色。内存颗粒方面，这款内存采用了三星的内存颗粒，具体型号为：K4H560838E-TCC5，为32Mx8规格DDR466@CL=3的TSOPII封装颗粒，标准工作电压26V+-01V，标准运行时序CL-tRCD-tRP为3-4-4。在DDR500下其CL值为3，性能将就。 金邦（Geil） 金邦科技股份有限公司是世界上专业的内存模块制造商之一。全球第一家也是唯一家以汉字注册的内存品牌，并以中文命名的产品"金邦金条"、"千禧条GL2000"迅速进入国内市场，在极短的时间内达到行业销量遥遥领先。第一支"量身订做，终身保固"记忆体模组的内存品牌，首推"量身订做"系列产品，使计算机进入最优化状态。在联合电子设备工程委员会JEDEC尚未通过DDR400标准的情况下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美国上市。 金邦高性能、高品质和高可靠性的内存产品，引起业界和传媒的广泛关注。在过去几年中，金邦内存多次荣获国内权威杂志评为读者首选品牌和编辑选择奖，稳夺国内存储器市场占有率三强。 金邦的Geil Platinum系列的DDR500内存（PC4000），采用TSOPII封装，使用了纯铜内存散热片，可较妥善的解决内存的散热问题。采用六层低电磁干扰PCB板设计；单条容量256MB，在内存芯片上做了整体打磨并上打上了Geil的印记，"号称"使用了4ns的内存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的内存颗粒。额定工作频率可达500MHz，在内存参数方面这是默认为CL3，可达CL25。除此而外，其还有金条PC4200（DDR533）等款产品。 威刚（ADATA） 威刚的高频内存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款价格适宜的DDR500产品，CAS值为3，其没有使用散热片，在芯片上的标签显示了Adata ID号。 八图解内存的分类和命名方法 内存命名方法 内存命名方法 昱联Asint ASint记忆体颗粒从日系大厂尔必达(Elpida)严格的 Burn-In(烧机)测试中，严选出通过 Intel(英特尔)认证的特A级颗粒。 ASint记忆体模组针对超频速度及超频后的稳定度加以调适SPD，在提高记忆体性能与频率的极限值时，同时保有极佳相容性与高稳定度。重新解释系统DRAM的角色，并且加强其他系统元件表现，低电压高效能是ASint记忆体的一大特点。 ASint记忆体，圣殿骑士系列采用8层高压密集雷射电路板，用料布局整齐符合JEDEC规范，精细焊点与电镀金手指，有效提高抗氧化性。微型电容和绵密电阻皆经过严格认证，有效减少外来信号的干扰。载入滤波电路设计，滤除电磁杂波，增强抗扰能力。 ASint昱联科技源自矽统科技(SIS)晶片组的优异技术与测试平台，通过Intel官方指定认证机构(AVL)与JEDEC之认证。 ASint记忆体为确保整个系统的稳定与记忆体能长时间的运作，模组出厂皆经72hr的稳定性满载(Full-Loading)烧机测试与验证。 在愈来愈重视环保议题的社会，欧盟推出物质产品出货皆需符合绿色规范。 ASint对此更是不遗余力，坚持以无铅( Lead Free)BGA封装来制造符合RoHS的「环保导向」的「绿色」产品，为这环保绿色地球尽一份心力！ ASint记忆体与INTEL / AMD两大平台之间的相容性，符合全球一线品牌电脑商的工规要求除了业界标准测试程式(Memtest / RST)与双通道测试外，出厂前还经高端游戏测试软体(Golden Memory)筛选，提供高阶3D游戏大赛解决方案。 选购内存条时除了要考虑前面介绍的引脚数、容量和存取速度之外，还要考虑以下几个因素： (1) 奇偶性 为了保证内存存取数据的的准确性，有些内存条上有奇偶校验位，如3片或9片装的内存条。如果您对电脑运行的准确性要求很高，最好选择有奇偶校验功能的内存条。 (2) 价格 虽然现在的内存条和以前相比，价格已经大幅下降，但不同的品牌和性能，价格还是有一些差别，您可根据自己的需要和预算情况选择适合自己的价位。另外，购买内存时您还须注意品牌和质量，目前，生产内存的厂家较多，质量较为可靠的品牌有：南韩LG、金士顿,日本的东芝、日本精工、日本电气公司、日本松下。 内存在电脑中起着举足轻重的作用。内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。 通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
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