ddr43200选海力士还是三星

三星内存条
和海力士内存条都很不错。
内存颗粒
基本上被三星、海力士、镁光
垄断，他们的内存条主要面向OEM而非零售市场。所以能买到的基本上是工包或者后包产品，质量是OK的，但是售后只能店保。有这种需求一般都是原先机器里自带的就是这些品牌之一，而这些机器一般都不能超频。
所以说如果不超频或者不能超频的情况下，谁便宜买谁就行了。至于担心兼容性问题，有是有但是比较少，况且不兼容也是可以随便退换的。

相较于PC端、智能手机芯片制程的更新换代速率， 汽车 、家用电器等传统芯片制程过渡到尖端芯片制程的时间相对较长。步入2021年后，内存市场迎来了一波升级， 眼下PC端领域已经步入到DDR5时代 。低端的 DDR3内存逐渐被三星、SK海力士淘汰。 但对于国产厂商来说，这是 切入DDR3内存市场的最佳时机 。

2021年11月18日消息 ， 合肥长鑫重拾DDR3业务 ，为 兆易创新代工DDR3内存芯片 。据了解，合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3内存芯片采用的是 19纳米制程 。这比业界普遍使用的 30~40纳米 制程的 DDR3芯片 ， 领先了11~21纳米 。

目前合肥长鑫的19纳米DDR3内存芯片还处在工厂测试阶段， 出货时间暂定在2022年第一季度，预计2022年下半年，合肥长鑫将增加DDR3内存芯片产能。 可能有些朋友会说，DDR3早已被淘汰了，眼下已经是DDR5时代，兆易创新委托合肥长鑫代工的DDR3内存芯片，用往何处呢？

正如前面所说的，比起PC端、智能手机行业，家电、灯具等利基市场产品所用芯片的更新换代速率较慢。 合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3芯片用于家电、灯具当中 ，这些设备对内存芯片的性能、容量要求并不高。更何况合肥长鑫负责代工的DDR3内存芯片采用的是19纳米制程，因此能够满足大多数智能家居设备的内存需求。

大数字智能时代的到来，各行各业都在朝着信息智能时代过渡，台灯、厨房油烟机、扫地机器人等家用设备对芯片的需求量不断提高。虽说比起PC端、智能手机等高精尖设备，家电家居的利润并不高，但“蚂蚁再小也是肉”。显然，相较于手机、PC端，灯具、家电设备的市场规模更大。

为了在短期内实现效益的最大化，三星、SK海力士、美光等内存芯片巨头，将目光放在了DDR5身上。但DDR5对于大多数家居家电来说，有些性能过剩，容易造成制程浪费。兆易创新瞅准市场空档期，趁此机会加大对DDR3的市场布局，一定程度上能够提高兆易创新的营收以及市场竞争力。

当然，对于合肥长鑫来说，重拾DDR3制程，只是为了扩宽公司的业务营收，推动产业产品链多元化发展。作为国产存储芯片巨头，合肥长鑫采用自主研发技术于2019年实现了DDR4芯片的量产。关于制程更精密，设计难度更高的DDR5、LPDDR5等内存芯片，合肥长鑫不断加大资金投入力度，争取破冰技术壁垒。

值得一提的是，另一家国产存储芯片巨头，长江储存于2021年7月29日率先攻坚128层闪存芯片技术壁垒，成功推出128层堆栈的闪存芯片。这拉动了我国内存芯片产业的发展。

相较于三星、SK海力士等内存芯片巨头，虽说我们还与之存在一定的距离，但千里之行，始于足下。相信在长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片厂商的努力下，总有一天我们会实现对三星、SK海力士等内存芯片巨头的持平、赶超。

对于合肥长鑫重拾DDR3内存芯片业务这件事情，大伙有什么想说的呢？眼下长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片商不断破冰技术壁垒，在内存芯片领域中取得了许多不错的成绩。你认为我们能否在内存芯片领域中与国外内存芯片技术实现持平呢？

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科创板被誉为"中国版纳斯达克"，自获批以来即被火速推进。6月27日共有10家公司科创板IPO申请获受理，单日受理企业数量新高。目前，过会企业增至27家；受理企业达141家。这速度，跟点了火的窜天猴一样，噌噌噌的往上升。不仅投资者们跃跃欲试，创投机构也热血沸腾。这不，科创猫君了解到一家逾40家VC/PE入局，以908亿美元的金额高居美元融资榜首的芯片"独角兽"--澜起 科技 。

高额融资的背后反映出创投机构对芯片"独角兽"的热 捧。公开资料显示，澜起 科技 是一家从事研发并量产服务器内存接口芯片的企业。能让创投机构青睐有加，这个"独角兽"有什么过人之处呢？

1

DRAM市场规模总体向上

首先，先在这里做一个简单的科普，内存接口芯片和DRAM是什么？

我们知道服务器有两大核心部件：CPU和DRAM内存。所谓的内存接口芯片就是服务器CPU存取内存数据的连接通路，主要应用于服务器内存条，用来提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器CPU对内存模组的大容量需求。

在公司2018年的营业收入中，内存接口芯片贡献了9949%的营业收入。内存接口芯片直接面向DRAM存储器市场，要说公司业绩取决于DRAM市场行情也不为过。

DRAM是什么？DRAM属于易失性存储芯片，断电之后数据就会消失，我们最常说的系统内存就是DRAM。

根据技术规格的不同，DRAM可分为DDR系列、GPDDR系列、LPDDR系列等类别。简单点说，DDR/DDR3/DDR4/DDR5就是内存颗粒，而内存条就是把多颗颗粒一起嵌入板中而成，用于电脑等。目前，DDR和DDR2已经基本退出市场，而以DDR3、DDR4以及LPDDR系列为主，预计DDR5在2019年底实现量产。

2018年，DRAM的制程工艺处于1X/1Ynm阶段，预计1Znm以下制程要在2021年才大规模进入市场。1Xnm处于16-19nm之间，1Ynm处于14-16nm之间，1Znm处于12-14nm之间。数值越小说明相同芯片上可以放下的电子元件更多，能让晶体管运行速度变小，能耗变小的同时，降低单个芯片的制造成本。

DRAM的市场基本被三大寡头垄断，2019财年1季度，三星，海力士，美光 科技 这三大巨头市占率分别为427%、299%、23%。

近几年，云服务、数据中心一路发展壮大，推动DRAM的需求急剧上升。一时间供不应求，导致产品价格大幅上涨。随后全球厂商们纷纷加大产量，2018年三星扩产8%，海力士无锡厂也小幅扩产，快速填补2017年残存的需求缺口，结果就是DRAM价格应声而落。2019财年以来，DRAM二季度的价格比一季度下降了30%。预计2020年左右前期库存和轻微的供大于求会一并消化完毕，重新达到平衡。2020年以后，5G和AI热潮到来，拉动半导体需求，叠加下一代制程的DRAM（1Znm）也将开始普及，整个DRAM市场供需关系会更加复杂，但规模总体向上的趋势是确定的。

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净利润爆发式增长，2018年毛利率高增

澜起 科技 的主营业务是为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案。2017年及以前，公司以内存接口芯片和消费电子芯片为主。2017年剥离消费电子芯片业务后，公司主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。

公司采用无晶圆厂的集成电路设计企业模式，只需负责芯片的电路设计与销售，生产、测试、封装等环节则外包。市场上，海思、高通、联发科、博通均采用该模式。在这种模式下，公司无需花费成本建立晶圆生产线，企业运行费用较低，能充分发挥技术优势，快速开发出相关产品。

公司营收保持稳健高速成长，净利润呈现爆发式增长。 2016-2018年，公司实现营业总收入845、1228、1758亿元，CAGR达4423%。实现归母净利润093、347、737亿元，同比增速23798%、27381%、11241%。

公司经营业绩高速成长主要得益于三个因素，一是全球数据中心服务器内存市场需求的持续增长，二是因为公司发明的DDR4全缓冲"1+9"架构被JEDEC（全球微电子产业的领导标准机构）采纳为国际标准，公司凭借在DDR4内存接口芯片的技术先进性、可靠性和良好口碑，市场份额持续提升，三是剥离消费电子芯片业务后，公司更专注于内存接口芯片领域的深耕。可以看到，公司内存接口芯片实现了销售额的快速提升，2016-2018年CAGR高达7704%，有力地推动了公司营业收入的大幅增长。

2016-2018年，公司实现毛利率512%、5349%、7054%。2018年毛利率大幅提升是剥离消费电子业务所致。高毛利率也反应公司内存接口芯片具有极强的竞争优势和盈利能力。

3

机遇与风险

澜起 科技 面临的机遇大概有以下几点，一是大环境下旺盛的市场需求，二是公司市占率高，三是公司技术壁垒高企，护城河渐深。

在国家政策大力支持，全球集成电路产业重心转移至中国，下游云计算、大数据、物联网等产业逐步成熟的背景下，行业具有爆发增长的趋势，前景广阔。

目前，行业已经进入三足鼎立的状态，三巨头分别是澜起 科技 、IDT和Rambus。公司和IDT在内存接口芯片领域市占率较为接近，Rambus占比则相对较小。马太效应告诉我们，强者会愈强，而弱者只会愈弱。 商场如战场，在一个行业里面，独占鳌头的永远只有那两三个公司。 澜起 科技 已经位列全球前三，在可预见的未来，会有较高的投资回报。

2016年至2018年内存接口芯片市场规模情况（单位：亿美元）

对于芯片设计企业来讲，人才和技术研发就是生命线。澜起 科技 的核心技术均系自主研发结果，公司每年的研发支出占营收比例均在15%以上。截至2019年4月1日，公司已获授权的国内外专利达90项，获集成电路布图设计证书39项。公司整体员工中70%以上为研发类工程师，且研发人员中50%以上拥有硕士及以上学位，为公司持续的产品创新提供了重要的人才基础。

澜起 科技 面临的挑战大概有以下三点，一是客户集中度较高，二是下游客户出货量下滑将导致公司经营业绩波动，三是中美贸易摩擦风险。

受下游DRAM市场三星电子、海力士、美光 科技 市占率合计超90%的影响，公司客户集中度较高。 2016-2018年，公司对前五大客户的销售占比分别为7018%、8369%和9010%。根据公司披露，公司主要客户是三星、海力士、海昌电子，如果公司产品开发策略不符合市场变化或不符合客户需求，则公司将存在不能持续、稳定地开拓新客户和维系老客户新增业务的可能，从而面临业绩下滑的风险。

根据下游客户（DRAM生产商）公开披露的资料及行业研究报告分析，DRAM市场规模预计在2019年将出现一定程度的下滑，其主要原因是受行业周期性波动和供求关系的影响，DRAM产品的平均销售价格处于下行周期。同时，受行业景气度影响，公司下游客户的总体出货量存在下滑的风险。如果DRAM行业景气度进一步下滑或回升不及预期，将有可能导致内存接口芯片市场规模同步出现下滑或增速放缓，可能对公司未来业绩造成一定不利影响。

公司的主要晶圆代工厂为富士通和台积电，主要封测厂为星科金朋和矽品 科技 ，相关供应商在中国大陆外均有相关产能。经过多年的发展，公司的销售区域覆盖中国大陆、亚洲、欧洲、美洲等地。2018年来自境外、国内、其他（地区)的营收分别为1107亿元、568亿元、083亿元。其中，来自美国地区的营收占总收入比为453%、658%、322%。

美国于2018年3月22日公布计划对中国600亿美元的商品加征关税，其后中国也采取相应反制措施，近一年来中美双方就经贸问题进行了多轮磋商。截至2019年6月29日，中美双方元首会晤，美方表示将不再对中国出口产品加征关税。但具体贸易协议仍未未达成。鉴于集成电路产业是典型的全球化分工合作行业，如果中美贸易摩擦进一步升级，有可能造成产业链上下游交易成本增加，下游需求受限，上游供给不畅，从而有可能给公司的经营带来不利影响。

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澜起 科技 市值大概有多少

澜起 科技 充分享受了2017-2018年两年下游DRAM行业高速增长的红利，现在摆在公司面前的是下游景气度下滑、产品价格下降将带来公司内存接口芯片需求的下降。

是争取做到成本领先，还是寻找新的增长点呢？目前来看，津逮服务器占收入比仍然只有05%左右，人工智能芯片研发项目才刚刚起步。看来，摆脱产品结构单一，寻找新的增长点，澜起 科技 还有很长一段路要走。

话说，如果每台电脑都像苹果公司新推出的Mac Pro那样配12个DDR4 DIMM插槽。对，没错，就是那个被调侃的刨丝器！1配12！下游DRAM市场需求妥妥的暴增，将会带动澜起 科技 的业绩爆发，但前提是"刨丝器"热销。"刨丝器"能引起抢购潮吗？科创猫君觉得，理想很远大，现实有点骨感23333。

目前在全球范围内从事研发并量产服务器内存接口芯片的主要包括3家公司，分别为澜起 科技 、IDT和Rambus。IDT是一家为通信、计算机和消费类行业提供组合信号半导体解决方案的公司，曾是美国上市公司，2019年1季度被瑞萨电子收购。Rambus是一家在美国上市的技术解决方案研发公司，同时提供安全研发、高级LED照明设备和显示器以及拟真移动媒体领域的产品与服务。总体上看，澜起 科技 和IDT在内存接口芯片市场占有率较为接近，Rambus占比则相对较小。

国内公司中暂无与澜起 科技 在业务模式、产品种类上均完全可比的竞争对手。考虑到科创板的特点及Rambus内存接口芯片业务占比较低等因素，选取A股IC设计公司全志 科技 、东软载波、纳思达、汇顶 科技 、欧比特、圣邦股份、中颖电子、和紫光国微作为可比公司对其进行估值。目前，可比A股上市公司股价对应2019年PE平均为4035倍。

预计澜起 科技 2019-2021年营业收入为2081、2472、2934亿元，净利润875、1015、1174亿元。

采用相对估值法，以国内行业平均PE（2019E）4035计，澜起 科技 市值353亿元，除以总股本113亿股，得到澜起 科技 的合理估值为3124元/股。

若剔除国内行业企业PE（2019E）最高值紫光国微PE（2019E）656、圣邦股份PE（2019E）656、最低值纳思达PE（2019E）193、则行业平均PE（2019E）3446。以行业平均PE（2019E）3446计，澜起 科技 市值301亿元，除以总股本113亿股，得到澜起 科技 的合理估值为2664元/股。

据以上，预计澜起 科技 的询价区间为2664-3124元/股。

十大内存品牌1
金士顿（Kingston）内存
(全球内存领导品牌)
2
现代（Hynix）内存
(全球品牌,畅销品牌)
3
威刚（ADATA）内存
(知名畅销品牌
)
4
金邦（GEIL）内存
(知名畅销品牌
)
5
三星（Samsung）内存
(全球品牌,畅销品牌)
6
胜创（Kingmax）内存
(知名畅销品牌
)
7
海盗船（Corsair）内存
(知名品牌
)
8
宇瞻（Apacer）内存
(知名品牌
)
9
黑金刚（Kingbox）内存
(知名品牌
)
10
金泰克（KINGTIGER）内存
(知名品牌
勤茂
勤茂（TwinMOS）CAS为2的DDR433内存，采用CSP技术封装—这款，勤茂DDR433内存的CAS
Latency控制在2，Burst
Length控制在2、4、8，性能指数不错。此外，内存外面包裹着金内存罩，能起到散热和屏蔽的作用，内存颗粒与散热片之间则填充了导热的垫片。价格在350元左右，其可超性也不含糊，性价比不错。
现代
个人认为，原厂现代和三星内存是目前兼容性和稳定性最好的内存条，其比许多广告吹得生猛的内存条要来得实在得多，此外，现代"Hynix（更专业的称呼是海力士半导体Hynix
Semiconductor
Inc）"的D43等颗粒也是目前很多高频内存所普遍采用的内存芯片。目前，市场上比划超值的现代高频条有现代原厂DDR500内存，采用了TSOP封装的HY5DU568金士顿
作为世界第一大内存生产厂商的Kingston，其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务，赢得了众多中国消费者的心。
不过Kingston虽然作为世界第一大内存生产厂商，然而Kingston品牌的内存产品，其使用的内存颗粒确是五花八门，既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒。
Kingston的高频内存有采用"Hynix"D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DDR433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。
22CT-D5内存芯片，其性价比很不错

美光产品替代品有三星，海力士，英特尔和SanDisk。
1、三星（Samsung）：三星也是一家知名的半导体公司，其生产的DRAM和闪存产品与美光产品性能相当，可以作为美光产品的替代品。
2、海力士（Hynix）：海力士是一家韩国半导体公司，其生产的DRAM和NAND闪存产品也可以替代美光的产品。
3、英特尔（Intel）：英特尔是一家跨国科技公司，其生产的存储器件和其他计算机硬件产品也可以作为美光产品的替代品。
4、SanDisk：SanDisk是一家专门生产闪存产品的公司，其生产的闪存产品可以作为替代美光的NAND闪存产品。

这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。所以在之前的很长一段时间，三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发，并计划进行量产，奈何DDR4内存标准一直未见公布，他们也不敢轻举妄动。所以可以说DDR4内存的出现已经是酝酿已久了。

如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢下面我就为大家介绍一下吧，欢迎大家参考和学习。

DDR4内存的改进：

1DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状

2DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz

3DDR4内存容量提升明显，可达128GB

4DDR4功耗明显降低，电压达到12V、甚至更低

很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到085mm， 笔记本 电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从06毫米缩减到了05毫米。

第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。

频率和带宽提升巨大

DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是512GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。

Bank Group架构又是怎样的情况具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新 *** 作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次 *** 作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。

如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。

因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

容量剧增 最高可达128GB

3DS(3-Dimensional Stack，三维堆叠)技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。

3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠;另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。

所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。

更低功耗 更低电压

更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至12V

首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似)、DBI(Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换 *** 作)等新技术。

这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的 方法 是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的15V降低至DDR4的12V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。

人们对于DDR4的期望是相当高的，对于它的上市已经等待已久，不过要知道DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代，而DDR4的野心却是大多了，虽然要到今年底才会正式登场亮相，但是明年就有打算要占据半壁江山，成为新的主流规格。接下来让我们看一下近期关于各个厂商关于DDR4内存的生产发布情况。

支持下一代处理器 威刚DDR4内存曝光

威刚近日正式宣布了自己的首批DDR4内存产品，威刚首发的DDR4并不多，只有标准的服务器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，额定频率也是2133MHz，电压12，产品编号AD4R2133W4G15、AD4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。

不过威刚表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等类型也都正在研发之中，很快就会陆续推出。

这些内存都是供服务器、工作站使用的，威刚也说他们一直在与Intel密切合作，其DDR4内存完全支持下一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。

至于消费级的DDR4内存，谁也没有任何消息，不过Intel将在第三季度推出首个支持DDR4的桌面发烧平台Haswell-E，相信很快就会有新内存跟上。

2400MHz DDR4试产 美光DDR4大规模开工

威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。

美光表示，目前量产的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。

新平台架构基于22nm Haswell-EP，将取代去年9月份发布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向双路服务器领域。

目前已经发布的DDR4内存频率都只有2133MHz，这其实是DDR3也可以轻松达到的高度，自然不能凸显新内存的优势。美光称，2400MHz DDR4正在试产，预计2015年正式投产(也就是说今年别期望啥了)。

美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到今年第三季度初的时候还会增加NVDIMM。

窄条兼容性强 Virtium发布DDR4内存

DDR4内存终于全面开花结果了。嵌入式存储厂商Virtium今天也推出了他们的DDR4产品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型规格，高度只有区区178毫米(07英寸)。

DDR4 DIMM内存的标准高度为3125毫米，稍稍高于DDR3 3035毫米，而在笔记本上的SO-DIMM高度为30毫米，针对高密度服务器的VLP甚小型规格只有183-187毫米(072-0738英寸)。

ULP则是所有类型中最为小巧的，只有标准型的一半多，适用于空间狭窄的嵌入式领域。

Virtium ULP DDR4内存也是服务器型的URIMM，单条容量4GB(单Rank)、8GB(双Rank)、16GB(双Rank)，标准频率2133MHz，标准电压12V，标准耐受温度范围0～85℃，扩展/工业耐受温度范围-25/-40～95℃，五年质保。

Virtium表示，这种内存已经经过了客户的测试和验证，即将批量供货。

DDR4变活跃 三星加速投产DDR4内存颗粒

这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，而作为DRAM行业领头羊、第一家量产DDR4的三星电子又怎么能保持沉默韩国巨头近日宣布，正在加速投产DDR4内存颗粒、内存条。

和威刚、美光一样，三星也特别提到了Intel将在下半年发布的新一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，称自家的DDR4内存就是为该平台准备的。

三星目前已经量产的DDR4内存都是单Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同芯片封装规格，单条容量最高32GB，频率是标准的2133MHz，规格涵盖RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。

没区别，这两个牌子在oem市场都是出货大户，oem出货最大的三家分别是三星，海力士，镁光，因为这三家都有自己的内存颗粒，产能大，而且兼容性也好，零售市场目前则是只能买到镁光子品牌crucial的内存，三星也不做零售市场了。

三星和海力士的硬盘比海力士好。
1、三星和海力士都是代工内存条，同时出售内存颗粒，有自己的内存品牌。
2、海力士是最大的内存颗粒生产制造商。
3、三星主做服务器内存。

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