USB闪存式软驱

简单说就是一个利用U盘启动电脑开机的一种选择方式，与硬盘启动和软驱启动一样的。主要是用来代替软驱启动电脑，是联想主板特定支持的。其它牌子主板不一定会有此项功能。 以下是一家生产USB内存式软驱工厂对产品的简单介绍，相关知识，可做为参考。
>U盘就是闪存盘 也是小一点的可移动硬盘
闪存盘是一种采用USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品,它采用的存储介质为闪存(Flash Memory)。闪存盘不需要额外的驱动器，将驱动器及存储介质合二为一，只要接上电脑上的USB接口就可独立地存储读写数据。闪存盘体积很小，仅大拇指般大小，重量极轻，约为20克，特别适合随身携带。闪存盘中无任何机械式装置，抗震性能极强。另外，闪存盘还具有防潮防磁，耐高低温（-40°C ~ +70°C）等特性，安全可靠性很好。
闪存盘只支持USB接口，它可直接插入电脑的USB接口或通过一个USB转接电缆(具有 A-Type Plug and A-Type Receptacle)与电脑连接。
闪存盘主要有两方面的用途： 第一，可用来在没有连网的电脑之间交流大于144MB的文件，例如在单位与单位、单位与家庭以及个人与个人之间的电脑之间交换文件。有了闪存盘，在单位没有完成的工作可以带回家继续做，有了闪存盘，可以将大型的设计文件带到客户哪里，有了闪存盘，可将在单位从宽频网上下载的或MP3文件带回家中。 第二，可用来在笔记本电脑上替换掉软驱。拎着笔记本电脑经常出差的商务人士都很头痛笔记本电脑的重量，而软驱在其中占了很大份量。用闪存盘就可随时随地与客户交换文件数据，从此和软驱说再见。从而使商务之旅轻松愉快，移动办公效率倍增。
闪存盘至少可擦除1,000,000次。
闪存盘里数据至少可保存10年。
理论上一台电脑可同时接127个闪存盘，但由于驱动器盘符采用26个英文字母以及现有的驱动器需占用几个英文字母，故最多可以接23个闪存盘（除开 A、B、C)且需要USB HUB的协助。

硬盘和内存的区别：
①、内存是计算机的工作场所，硬盘用来存放暂时不用的信息。
②、内存是半导体材料制作，硬盘是磁性材料制作。
③、内存中的信息会随掉电而丢失，硬盘中的信息可以长久保存。
U盘和软盘的区别：
①、U盘即称为优盘，也称为闪存盘（书名）。是采用USB接口技术与计算机相连接工作。使用方法很简单只需要将U盘插入计算机的USB接口，一般的U盘在windows2000系统以上的版本（包括XP、2003、win7、win8）是不需要安装驱动而系统自动识别的，使用起来非常方便
②、软盘则需要计算机配备软盘驱动器（即软驱，现在基本上已经看不到了，就算是服务器也很少很少能看见）。
U盘的读取速度较软盘快几十倍至几百倍，U盘的存储容量最小的为6MB（现在市面是几乎绝种），最大的上GB。而软盘的容量只有144MB，就容量来说一个在天一个在地的下面。U盘不容易损坏，而软盘极容易损坏，不便于长期保存资料。

硬盘和闪存的差别主要体现在使用寿命不同、输出接口不同、性能不同、容量不同。

1、使用寿命不同：硬盘的使用寿命要高于闪存，因为闪存是有使用次数寿命的，如100万次写入等。

2、输出接口不同：闪存通常的输出接口是USB，固态硬盘是SATA接口或其他接口，比如sata固态硬盘、msata固态硬盘、M2固态硬盘等。

3、性能不同：性能上差异较大，普通的闪存产品，同一时间内，只能进行读或者写其中一项 *** 作，因为闪存颗粒的电压变化收到主控的影响，通常只能有一种；固态硬盘主控更复杂，能够同时控制不同的电压变化，读和写几乎没有影响，可以同时进行。

4、容量不同：闪存通常是单闪存颗粒，偶尔有两个颗粒做双通道，固态硬盘是多颗粒，所以闪存通常容量不大，而固态硬盘可以以比较大的容量起步，比如256G固态硬盘。

扩展资料：

硬盘和闪存的相同之处：

1、都采用闪存颗粒作为存储的主体，主控+闪存芯片这样的结构。

2、基本运作原理相似，可以视为同一类产品的简化版和高配版。

各自特点：

1、硬盘特点：加了控制器的闪存，而影响闪存速度的是控制器的性能，比如固态硬盘性能高于U盘，主要靠的不是闪存的速度而是控制器的实现。

2、闪存特点：断电后数据仍然不会丢失（和硬盘相似），数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存产品现在被广泛应用于各个行业，特别是现在的手机、数码相机、摄像机等等，都大量采用闪存作为存储介质。

参考资料：

百度百科-硬盘

百度百科-闪存

U盘是USB(universal serial bus)盘的简称，据谐音也称“优盘”。U盘是闪存的一种，故有时也称作闪盘。U盘与硬盘的最大不同是，它不需物理驱动器，即插即用，且其存储容量远超过软盘，极便于携带 。
U盘集磁盘存储技术、闪存技术及通用串行总线技术于一体。USB的端口连接电脑，是数据输入/输出的通道；主控芯片使计算机将U盘识别为可移动磁盘，是U盘的“大脑”；U盘Flash（闪存）芯片保存数据，与计算机的内存不同，即使在断电后数据也不会丢失；PCB底板将各部件连接在一起，并提供数据处理的平台 。

闪存
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
概念
闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
技术特点
NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
单片机闪存
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身 *** 作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的 *** 作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB20接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的 *** 作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它 *** 作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块 *** 作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
闪存存取比较快速，无噪音，散热小。用户空间容量需求量小的，打算购置的话可以不考虑太多，同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的（如500G），就买硬盘，较为便宜，也可以满足用户应用的需求。
分类
按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡
按品牌分
金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK。
NAND型闪存内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资
Sandisk
料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。
NAND型闪存以块（sector）为单位进行擦除 *** 作。闪存的写入 *** 作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除 *** 作是闪存的基本 *** 作。一般每个块包含32个512字节的页（page），容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。
寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始 *** 作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
[1] 而比我们平常用的U盘存储量更大，速度更快的闪存产品要属PCIe闪存卡了，它采用低功耗，高性能的闪存存储芯片，以提高应用程序性能。由于它们直接插到服务器中，数据位置接近服务器的处理器，相比其它通过基于磁盘的存储网络路径来获取信息大大节省了时间。企业正在转向这种技术以解决存储密集
型工作负载，比如事务处理应用。在PCIe闪存卡方面，LSI公司新的Nytro产品，扩大其基于闪存的应用加速技术到各种规模的企业。LSI推出了三款产品，到一个正变得越来越拥挤的PCIe闪存适配器卡市场。LSI Nytro产品战略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，采用闪存存储、LSI的SAS集成控制器和来自公司收购的闪存控制器制造商SandForce的技术。其第二代基于PCIe的应用加速卡容量从200GB到32TB不等。Nytro XD应用加速存储解决方案的软件和硬件的组合。它集成了WarpDrive卡与Nytro XD智能高速缓存软件，以提高在存储区域网络(SAN)和直接附加存储(DAS)实现中的I/O速度。最后，还有Nytro MegaRAID应用加速卡，它结合了MegaRAID控制器与板载闪存和缓存软件，LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端，针对串行连接SCSI(SAS)DAS环境的性能增强解决方案。
微软的SQL Server产品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的闪存产品在微软服务器环境中的未来。因为 LSI的闪存产品Nytro MegaRAID可以帮助微软SQL实现了每秒交易的10倍增长，
[1] “闪存存储技术，如LSI的Nytro应用加速产品组合，可以用来加速关键业务应用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在Windows Server 8中提供的增强，这些技术的重要性将继续增长。”
存储原理
要讲解闪存的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
总体来说就是可以存储的设备
以上参考：>1
按下开机按钮，当电脑出现开机画面按F2进入bios设置界面。
2
进入bios设置窗口中，移动光标切换到“boot”项下，然后移动光标到“1st
Boot
Priority”回车确认。
3
在之后的回车确定后，d出的1st
boot
priority选项窗口中，移动光标选择“usb
storage
device”项然后回车确认。
4
完成设置之后，用户们可以直接按F10保存退出即可。
5
重启电脑后便会自动进入u深度主菜单界面。
6
U盘，全称USB闪存盘，英文名“USB
flash
disk”。它是一种使用USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品，通过USB接口与电脑连接，实现即插即用。
7
U盘的称呼最早来源于朗科科技生产的一种新型存储设备，名曰“优盘”，使用USB接口进行连接。U盘连接到电脑的USB接口后，U盘的资料可与电脑交换。而之后生产的类似技术的设备由于朗科已进行专利注册，而不能再称之为“优盘”，而改称谐音的“U盘”。
后来，U盘这个称呼因其简单易记而因而广为人知，是移动存储设备之一。现在市面上出现了许多支持多种端口的U盘，即三通U盘（USB电脑端口、iOS苹果接口、安卓接口）。

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