求关于双向可控硅的技术资料

双向可控硅又称为双向晶闸管
普通晶闸管(VS)实质上属于直流控制器件。要控制交流负载，必须将两只晶闸管反极性并联，让每只SCR控制一个半波，为此需两套独立的触发电路，使用不够方便。
双向晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
双向可控硅的命名
双向可控硅为什么称为“TRIAC”
三端：TRIode(取前三个字母)
交流半导体开关：ACsemiconductor switch
(取前两个字母)
以上两组名词组合成“TRIAC”
中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
-------------------------------------
双 向：Bi-directional(取第一个字母)
控 制：Controlled (取第一个字母)
整流器：Rectifier (取第一个字母)
再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”
中文译意:双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，
如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
--------------------------------------
双 向：Bi-directional (取第一个字母)
三 端：Triode (取第一个字母)
由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：
意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅
代表型号如：PHILIPS 的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；
Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。
而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：
四象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B 等等；
四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B 等等；
ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。
如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；
代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。
至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表含义如下：
PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，
型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA；
PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。
意法 ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，
注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明
一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值。
构造原理
尽管从形式上可将双向晶闸管看成两只普通晶闸管的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。小功率双向晶闸管一般采用塑料封装，有的还带散热板，外形如图l所示。典型产品有BCMlAM(1A／600V)、 BCM3AM(3A／600V)、2N6075(4A／600V)，MAC218-10(8A／800V)等。大功率双向晶闸管大多采用RD91型封装。双向晶闸管的主要参数见附表。
双向晶闸管的结构与符号见图2。它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。
检测方法
下面介绍利用万用表RX1档判定双向晶闸管电极的方法，同时还检查触发能力。
1判定T2极
由图2可见，G极与T1极靠近，距T2极较远。因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2极。 ，另外，采用TO—220封装的双向晶闸管，T2极通常与小散热板连通，据此亦可确定T2极。
2．区分G极和T1极
(1)找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极，另一脚为G极。
(2)把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右(参见图4(a))，证明管子已经导通，导通方向为T1一T2。再将红表笔尖与G极脱开(但仍接T2)，若电阻值保持不变，证明管子在触发之后能维持导通状态(见图4(b))。
(3)把红表笔接T1极，黑表笔接T2极，然后使T2与G短路，给G极加上正触发信号，电阻值仍为十欧左右，与G极脱开后若阻值不变，则说明管子经触发后，在T2一T1方向上也能维持导通状态，因此具有双向触发性质。由此证明上述假定正确。否则是假定与实际不符，需再作出假定，重复以上测量。显见，在识别G、T1，的过程中，也就检查了双向晶闸管的触发能力。如果按哪种假定去测量，都不能使双向晶闸管触发导通，证明管于巳损坏。对于lA的管子，亦可用RXl0档检测，对于3A及3A以上的管子，应选RXl档，否则难以维持导通状态。
典型应用
双向晶闸管可广泛用于工业、交通、家用电器等领域，实现交流调压、电机调速、交流开关、路灯自动开启与关闭、温度控制、台灯调光、舞台调光等多种功能，它还被用于固态继电器(SSR)和固态接触器电路中。图5是由双向晶闸管构成的接近开关电路。R为门极限流电阻，JAG为干式舌簧管。平时JAG断开，双向晶闸管TRIAC也关断。仅当小磁铁移近时JAG吸合，使双向晶闸管导通，将负载电源接通。由于通过干簧管的电流很小，时间仅几微秒，所以开关的寿命很长
图6是过零触发型交流固态继电器(AC-SSR)的内部电路。主要包括输入电路、光电耦合器、过零触发电路、开关电路(包括双向晶闸管)、保护电路(RC吸收网络)。当加上输入信号VI(一般为高电平)、并且交流负载电源电压通过零点时，双向晶闸管被触发，将负载电源接通。固态继电器具有驱动功率小、无触点、噪音低、抗干扰能力强，吸合、释放时间短、寿命长，能与TTL＼CMOS电路兼容，可取代传统的电磁继电器。

目前在中国的澳大利亚经纪商有63家，仅有ASIC牌照的平台：

amdforex

Cardiff

IFGM

Advanced Markets

Best Leader

卓德外汇charterprime

格伦外汇Rubix FX

高柏资本PGWG

澳洲易汇EightCap

GS Deep Ocean

Global Prime

美联金融Millennium

威石资本WistonFX

INVAST

OGFX

迈肯司MARKETS

DV Markets（IFS Markets）

JB Alpha

City index

ILQ

Trend

FOREX CT

VT Markets

ETO Markets

TradeMax

高汇GO Markets

AUGS Markets

亨达外汇Hantec Markets

GMT Markets

联准国际USGFX

SuperTrader

澳洲百汇BCR

稀万证券ACY

凯石Capstone

格伦外汇Rubix FX

昂首资本Anzo Capital

海湾资本TBC

有ASIC牌照的同时还拥有其他牌照的平台，虽然澳大利亚监管下客户进入ASIC受到监控，但是多元化的牌照对于客户归属的安排仍有优势，这些平台包括（排名不分先后）：

AVATrade

艾迪麦admiral markets

昆仑国际KVB

智汇ThinkMarkets

XM

盈透证券

IC Markets

艾拓思AETOS

MahiFX（已出售零售业务）

FXOpen

万致Vantage FX

Xforex

FP Markets

欧福市场

Velocity

皇家Royal

大通金融MEX Group

激石pepperstone

AxiTrader

易信easyMarkets

CMC Markets

嘉盛

福汇FXCM

IG Markets

宣布暂停中国客户入金的有：OANDA、乐天证券；

目前澳大利亚监管机构旗下经纪商可能在向海外零售交易者提供场外衍生品的过程中触犯了中国和欧盟的法律，ASIC经纪商4月底之前要求向ASIC发送书面答复，详细说明为遵守监管机构关于海外客户的要求所采取的措施；需要特别注意的是，仅有ASIC牌照的平台，在4月底前如果还没有好的方案，那么中国区客户必定受到影响

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。由于采用过零触发，因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。 1 过零检测电路电路设计如图1 所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。 2 过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51 的P1 0 引脚输出负脉冲信号时T2 导通，MOC3061 导通，触发BCR 导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感性交流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el 作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。 原理简介： 1可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 2，由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，条件如下： A、从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位，2、控制极有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。 B、维持导通1、阳极电位高于阴极电位，2、阳极电流大于维持电流，两者缺一不可。 C、从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位，2、阳极电流小于维持电流，任一条件即可。

导读： “UPOROUT”的用人机制正在为越来越多的世界一流企业所认可和应用。；“杰出的人才是麦肯锡惟一的，也是最重要的资产”；那在麦肯锡的眼中，谁是合适的新员工？
猫叔曾经非常有幸参与过二次麦肯锡的项目运作，对于麦肯锡的选才之道，除了专业知识和技能以外，麦肯锡更注重一个人在四个方面的素质：

案例（情景模拟）成为麦肯锡挑选员工的必备武器，每一轮面试都会有案例来考察应聘者。其实答案不重要，重要的是你如何思考！
例如，当你抽到了“美国有多少加油站？”这个乍看让人有些摸不着头脑的问题时，你可能要从问这个国家有多少小汽车入手。面试者也许会告诉你这个数字，但也有可能说：“我不知道，你来告诉我。”那么，你对自己说，美国的人口是275亿。你可以猜测，如果平均每个家庭（包括单身）的规模是25人，你的计算机会告诉你，共有11亿个家庭。你回忆起在什么地方听说过，平均每个家庭拥有18辆小汽车，那么美国大约会有198亿辆小汽车。接着，只要你算出替198亿辆小汽车服务需要多少加油站，你就把问题解决了。“重要的不是加油站的数字，而是你得出这个数字的方法。”

在比如，猫叔曾经在做校招时问，你觉得盗墓怎么搭配才会成功率高且不会发生内斗？（估计是盗墓笔记看多了~）

如果你连话都说不清楚，没有条理，无法和别人愉快的进行沟通，哪怕再优秀，麦肯锡都不考虑，这是因为，在工作中，我们无时不刻的在和“客户”打交道，这里的客户，不仅仅是外部的客户，还有你的内部客户。

麦肯锡希望培养的是具有领导意识和领导能力的人，而不是一个追随者。因为公司要求员工主动寻找机遇，主动去解决问题。
全球各地分公司的每一个咨询人员都可通过麦肯锡知识管理系统访问这些专业知识和信息，使用全球知识库；同时，任何一位咨询人员可向其全球各地的同事寻求帮助。猫叔这么说吧，麦肯锡的某一个咨询顾问可能不是最优秀的，但这个团队组合起来就是世界最强的。
好玉也需细雕琢； 尽管麦肯锡招揽了一流的人才，但各种学习培训将贯穿员工在麦肯锡的整个职业生涯。

比如，所有新的咨询人员在开始工作的第一周内将得到“基础咨询入门（BCR）”的培训，BCR设计的宗旨是为了让新的咨询人员在参与首个咨询项目之前了解并运用关键的咨询技能；商业分析员在加入之后的一个月内会接受新人培训（NAT），主要侧重基础的业务理念和咨询技能，以便有效地发挥绩效；

在加入后的7～12个月内，商业分析员将参加分析员培训（BAT），培养高级的解决问题的技能、人际沟通技能，为下一年的工作做准备；没有MBA学位的员工还可参加公司“短期MBA”课程培训，与来自全球的麦肯锡咨询人员交流；

除了正式培训以外，麦肯锡对员工帮助更大的是 基于工作实践的“导师制” 培训方式。麦肯锡的合伙人占咨询顾问的比例是同行业中最高的，达到1∶6左右（一般咨询公司比例为1∶10～1∶20），所以，每位咨询人员都有条件配备一名合伙人担任“发展小组领导”（DGL），作为其专业的导师提供意见和建议，帮助他们确定职业发展方向和专业成长道路。麦肯锡认为，DGL的角色是麦肯锡支持架构中最重要的组成部分之一。就是这种类似传统国企内部“传帮带”授徒方式的导师制，使麦肯锡员工获益匪浅。

培训是投资，投资自然需要回报。麦肯锡的员工拥有很好的培训机会，同时也时刻面临着“UPOROUT”的考验。

一个咨询人员 在麦肯锡的同一个职位的平均工作年限是2～3年，在这个年限内，如果不能升职就要离开，这就是麦肯锡用人之道的核心机制———“UPOROUT”（不晋则退） 。事实上，每6～7个加入公司的咨询顾问中会有1～2人最终成为董事，80%左右的人会在这一过程中离开，也只有这样，才能将最优秀的人才留下。需要说明的是，即使成为麦肯锡的董事合伙人，甚至资深董事，也要接受专门委员会的测评，并不存在“锁在保险箱里”不会被OUT的特权。

当然，作为一个精英汇集的公司，离开公司的80%员工中大部分是主动离开的。选择主动离开的原因主要有两种，一是有更多的发展机会，因为凭借公司在商界独特的地位和影响力，麦肯锡的员工一直是猎头公司追逐的目标，经常有一些员工被知名企业“挖”走。二是对于咨询顾问这个特殊的行业来说，工作压力大、工作时间长，并且经常出差在外，与家人离多聚少等情况，使一些非常优秀但比较注重家庭观念或者年龄偏大的员工“忍痛割爱”，选择了另外的行业。

很少有人会永远呆在麦肯锡，但是没有人会真正地离开麦肯锡。在麦肯锡的眼中，离职的员工不但不是“泼出去的水”，而且是一笔弥足珍贵的资源。几十年来，麦肯锡一直通过组织“校友会”（McKinseyAlumni）搭建网络交流平台，通过校友通讯录，举办校友联谊会等方式，搭建其遍布各行业的“毕业生网络”（麦肯锡将员工离职视为“毕业离校”）。
麦肯锡从创始的第一天就吸收最好的员工，那是因为他们深深的明白一个道理，选材大于培训。当然他们即便离开麦肯锡也能成为社会精英，通过校友会与大家保持很好的联系，不仅仅是因为他们可能会发展成为公司的潜在客户或向公司推荐客户，同样重要的是，他们会传播麦肯锡品牌、推荐优秀人才加盟麦肯锡。

作为人力资源的从业者，在设计企业员工职业发展的时候，有没有考虑有升有降？麦肯锡“UPOROUT”和“校友录”的实践经验，绝对是企业人力资源管理领域的典范。通过上述两种机制的配合使用，麦肯锡实现了人才的合理流动，员工的健康发展，以及业务的持续增长。

STM32 FSMC学习记录-SRAM
MOSUI1994
翻译
关注
1点赞·122人阅读
 
目录
FSMC简介
FSMC-SRAM引脚分析
SRAM读写时序
 SRAM读写步骤
FSMC寄存器
FSMC时钟控制逻辑（时钟信号）
FSMC 的地址映射
FSMC控制SRAM时序​编辑
FSMC-SRAM结构体​编辑
 1FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef
1FSMC_NORSRAMInitTypeDef
​编辑
FSMC简介
 
FSMC-SRAM引脚分析
1地址线 FSMC_A 和数据线 FSMC_D 是所有控制器都共用的。
接 SRAM
FSMC_A[18:0] A[18:0] 行地址线
FSMC_D[15:0] I/O[15:0] 数据线
2FSMC_NE   接 SRAM CE#
FSMC_NE[1:4] CE# 片选信号
是用于控制 SRAM 芯片的片选控制信号线， STM32 具有
FSMC_NE1/2/3/4 号引脚，不同的引脚对应 STM32 内部不同的地址区域。例如，当 STM32 访
问 0x6C000000-0x6FFFFFFF 地址空间时， FSMC_NE3 引脚会自动设置为低电平，由于它连接
到 SRAM 的 CE# 引脚，所以 SRAM 的片选被使能，而访问 0x60000000-0x63FFFFFF 地址时，
FSMC_NE1 会输出低电平。当使用不同的 FSMC_NE 引脚连接外部存储器时， STM32 访问 SRAM的地址不一样，从而达到控制多块 SRAM 芯片的目的。
3地址译码器UB# 或 LB
FSMC_NBL[1:0] LB#、 UB# 数据掩码信号
访问时，使用 UB# 或 LB# 线控制数据宽度，例如，当要访
问宽度为 16 位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把 UB# 和 LB# 线都设置为低电平，那
么 I/O0-I/O15 线都有效，它们一起输出该地址的 16 位数据 (或者接收 16 位数据到该地址)；当要
访问宽度为 8 位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把 UB# 或 LB# 其中一个设置为低电平，
I/O 会对应输出该地址的高 8 位和低 8 位数据，因此它们被称为数据掩码信号。
4读写使能
FSMC_NWE WE# 写入使能
FSMC_NOE OE# 输出使能 (读使能)
SRAM读写时序
 SRAM读写步骤
(1) 主机使用地址信号线发出要访问的存储器目标地址；
(2) 控制片选信号 CS1# 及 CS2# 使能存储器芯片；
(3) 若是要进行读 *** 作，则控制读使能信号 OE# 表示要读数据，若进行写 *** 作则控制写使能信
号 WE# 表示要写数据；
(4) 使用掩码信号 LB# 与 UB# 指示要访问目标地址的高、低字节部分；
(5) 若是读取过程，存储器会通过数据线向主机输出目标数据，若是写入过程，主要使用数据
线向存储器传输目标数据
 
上面不同类型的引脚是连接到 FSMC 内部对应的存储控制器中的。
1、NOR/PSRAM/SRAM 设备使用相同的控制器
2、NAND/PC 卡设备使用相同的控制器
不同的控制器有专用的寄存器用于配置其工作模式
FSMC寄存器
控制 SRAM 的寄存器
1、FSMC_BCR1/2/3/4 控制寄存器
•FSMC_BCR 控制寄存器可配置要控制的存储器类型、数据线宽度以及信号有效极性能参数。
2、FSMC_BTR1/2/3/4 片选时序寄存器
• FMC_BTR 时序寄存器用于配置 SRAM 访问时的各种时间延迟，如数据保持时间、地址保
持时间等
3、FSMC_BWTR1/2/3/4 写时序寄存器。
• FMC_BWTR 写时序寄存器与 FMC_BTR 寄存器控制的参数类似，它专门用于控制写时序
的时间参数。
FSMC时钟控制逻辑（时钟信号）
1、FSMC 外设挂载在 AHB 总线上，时钟信号来自于 HCLK(默认 168MHz)
2、NOR 控制器的 FSMC_CLK 的时钟频率可通过 FSMC_BTR 寄存器的 CLKDIV 位配置，可以配置为 HCLK 的 1/2 或 1/3。
原文：NOR 控制器的 FSMC_CLK 引脚输出的时钟，它可用于与同步类型的SRAM 芯片进行同步通讯，它的时钟频率可通过 FSMC_BTR 寄存器的 CLKDIV 位配置，可以配置为 HCLK 的 1/2 或 1/3，也就是说，若它与同步类型的 SRAM 通讯时，同步时钟最高频率为84MHz。
本示例中的 SRAM 为异步类型的存储器，不使用同步时钟信号，所以时钟分频配置不
起作用。
 
FSMC 的地址映射
FSMC 连接好外部的存储器并初始化后，就可以直接通过访问地址来读写数据，这种地址访问与
I2C EEPROM、 SPI FLASH 的不一样，后两种方式都需要控制 I2C 或 SPI 总线给存储器发送地址，然后获取数据；在程序里，这个地址和数据都需要分开使用不同的变量存储，并且访问时还需要使用代码控制发送读写命令。而使用 FSMC 外接存储器时，其存储单元是映射到 STM32 的内部寻址空间的；在程序里，定义一个指向这些地址的指针，然后就可以通过指针直接修改该存储单
元的内容， FSMC 外设会自动完成数据访问过程，读写命令之类的 *** 作不需要程序控制。
 图中左侧的是 Cortex-M4 内核的存储空间分配，右侧是 STM32 FSMC 外设的地址映射。可以看到FSMC 的 NOR/PSRAM/SRAM/NAND FLASH 以及 PC 卡的地址都在 External RAM 地址空间内。
正是因为存在这样的地址映射，使得访问 FSMC 控制的存储器时，就跟访问 STM32 的片上外设
寄存器一样 (片上外设的地址映射即图中左侧的“Peripheral”区域)。
FSMC 把整个 External RAM 存储区域分成了 4 个 Bank 区域，并分配了地址范围及适用的存储器
类型，如 NOR 及 SRAM 存储器只能使用 Bank1 的地址。在每个 Bank 的内部又分成了 4 个小块，每个小块有相应的控制引脚用于连接片选信号，如 FSMC_NE[4:1] 信号线可用于选择 BANK1 内部的 4 小块地址区域，见图 26_8，当 STM32 访问 0x6C000000-0x6FFFFFFF 地址空间时，会访问到 Bank1 的第 3 小块区域，相应的 FSMC_NE3 信号线会输出控制信号。
FSMC控制SRAM时序
 
FSMC-SRAM结构体
 1FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef
这个结构体成员定义的都是 SRAM 读写时序中的各项时间参数，这些成员的的参数都与
FSMC_BRT 及 FSMC_BWTR 寄存器配置对应
 (1) FSMC_AddressSetupTime
本成员设置地址建立时间，即 FSMC 读写时序图 26_9 中的 ADDSET 值，它可以被
设置为 0-0xF 个 HCLK 周期数，按 STM32HAL 库的默认配置， HCLK 的时钟频率为
168MHz，即一个 HCLK 周期为 1/168 微秒。
(2) FSMC_AddressHoldTime
本成员设置地址保持时间，它可以被设置为 0-0xF 个 HCLK 周期数
(3) FSMC_DataSetupTime
本成员设置数据建立时间，即 FSMC 读写时序图 26_10 中的 DATAST 值，它可以被设
置为 0-0xF 个 HCLK 周期数。
(4) FSMC_BusTurnAroundDuration
本成员设置总线转换周期，在 NOR FLASH 存储器中，地址线与数据线可以分时复用，
总线转换周期就是指总线在这两种状态间切换需要的延时，防止冲突。控制其它存储
器时这个参数无效，配置为 0 即可。
(5) FSMC_CLKDivision
本成员用于设置时钟分频，它以 HCLK 时钟作为输入，经过 FSMC_CLKDivision 分频
后输出到 FSMC_CLK 引脚作为通讯使用的同步时钟。控制其它异步通讯的存储器时
这个参数无效，配置为 0 即可。
(6) FSMC_DataLatency
本成员设置数据保持时间，它表示在读取第一个数据之前要等待的周期数，该周期指
同步时钟的周期，本参数仅用于同步 NOR FLASH 类型的存储器，控制其它类型的存
储器时，本参数无效。
(7) FSMC_AccessMode
本成员设置存储器访问模式，不同的模式下 FSMC 访问存储器地址时引脚输出的时
序不一样，可选 FSMC_ACCESS_MODE_A/B/C/D 模式。一般来说控制 SRAM 时使用
A 模式。
这个 FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef 时序结构体配置的延时参数，将作为下一节的 FSMC
SRAM 初始化结构体的一个成员。
1FSMC_NORSRAMInitTypeDef
 
 这个结构体，除最后两个成员是上一小节讲解的时序配置外，其它结构体成员的配置都对应到
FSMC_BCR 中的寄存器位。各个成员意义介绍如下，括号中的是 STM32HAL 库定义的宏：
(1) NSBank
本成员用于选择 FSMC 映射的存储区域，它的可选参数以及相应的内核地址映射范
围见表 26‑4。
表 26‑4 可以选择的存储器区域及区域对应的地址范围
可以输入的宏 对应的地址区域
FSMC_Bank1_NORSRAM1 0x60000000-0x63FFFFFF
FSMC_Bank1_NORSRAM2 0x64000000-0x67FFFFFF
FSMC_Bank1_NORSRAM3 0x68000000-0x6BFFFFFF
FSMC_Bank1_NORSRAM4 0x6C000000-0x6FFFFFFF
(2) DataAddressMux
本成员用于设置地址总线与数据总线是否复用 (FSMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE
/DISABLE)，在控制 NOR FLASH 时，可以地址总线与数据总线可以分时复用，以减
少使用 STM32 信号线的数量。
(3) MemoryType
本成员用于设置要控制的存储器类型，它支持控制的存储器类型为 SRAM、 PSRAM
以及 NOR FLASH(FSMC_MEMORY_TYPE_SRAM/PSRAM/NOR)。
(4) MemoryDataWidth
本 成 员 用 于 设 置 要 控 制 的 存 储 器 的 数 据 宽 度， 可 选 择 设 置 成 8 或 16 位
(FSMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_8/16/32)。
(5) BurstAccessMode
本成员用于设置是否使用突发访问模式 (FSMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE
/DISABLE)，突发访问模式是指发送一个地址后连续访问多个数据，非突发模式下
每访问一个数据都需要输入一个地址，仅在控制同步类型的存储器时才能使用突发
模式。
(6) AsynchronousWait
本 成 员 用 于 设 置 是 否 使 能 在 同 步 传 输 时 使 用 的 等 待 信 号
(FSMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE /DISABLE)，在控制同步类型的 NOR 或
PSRAM 时，存储器可以使用 FSMC_NWAIT 引脚通知 STM32 需要等待。
(7) WaitSignalPolarity
本成员用于设置等待信号的有效极性，即要求等待时，使用高电平还是低电平
(FSMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW /HIGH)。
(8) FSMC_WrapMode
本成员用于设置是否支持把非对齐的 AHB 突发 *** 作分割成 2 次线性 *** 作
(FSMC_WRAP_MODE_DISABLE /ENABLE)，该配置仅在突发模式下有效。
(9) WaitSignalActive
本成员用于配置在突发传输模式时，决定存储器是在等待状态之前的一个
数据周期有效还是在等待状态期间有效 (FSMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS /
FSMC_WAIT_TIMING_DURING_WS)。
(10) WriteOperation
这个成员用于设置是否写使能 (FSMC_WRITE_OPERATION_DISABLE /ENABLE)，禁
止写使能的话 FSMC 只能从存储器中读取数据，不能写入。
(11) WaitSignal
本成员用于设置当存储器处于突发传输模式时，是否允许通过 NWAIT 信号插入等待
状态 (FSMC_WAIT_SIGNAL_ENABLE /DISABLE)。
(12) ExtendedMode
本成员用于设置是否使用扩展模式 (FSMC_EXTENDED_MODE_ENABLE /DISABLE)，
在非扩展模式下，对存储器读写的时序都只使用 FSMC_BCR 寄存器中的配置，即下
面的 FSMC_ReadWriteTimingStruct 结构体成员；在扩展模式下，对存储器的读写时序
可以分开配置，读时序使用 FSMC_BCR 寄存器，写时序使用 FSMC_BWTR 寄存器的
配置，即下面的 FSMC_WriteTimingStruct 结构体。
对本结构体赋值完成后，调用 FSMC_NORSRAMInit 库函数即可把配置参数写入到 FSMC_BCR
及 FSMC_BTR/BWTR 寄存器中。

---