作者 | 陈巍 千芯 科技
编者注: 苹果于3月9日公布其迄今最强自研电脑芯片M1 Ultra,它将两个M1 Max芯片拼在一起,使得芯片各项硬件指标直接翻倍,这背后的关键技术即是苹果创新定制的封装架构UltraFusion。千芯 科技 董事长陈巍通过分析苹果公司与其芯片代工厂台积电的专利和论文,对这一先进封装技术进行解读。
2022年3月,苹果又一次触动了 芯片界的 游戏 规则 。苹果发布的M1 Ultra芯片,是迄今为止该公司最强大的芯片,却是一个“ 拼装货 ”。尽管很多计算芯片已采用Chiplet(芯粒)技术提升性能,但“拼装货”M1 Ultra的性能还是让 PC界震撼 了。
M1 Ultra支持高达128GB的高带宽、低延迟统一内存,支持20个CPU核心、64个GPU核心和32核神经网络引擎,每秒可运行高达22万亿次运算,提供的GPU性能是苹果M1芯片的8倍,提供的GPU性能比最新的16核PC台式机还高90%。
苹果的新M1 Ultra芯片“拼装”性能之所以成为可能,要归功于其 UltraFusion架构 。其实,UltraFusion功能早已内置于之前发布的苹果M1 Max芯片中,但直到3月的苹果Peek Performance活动才被明确提出。
苹果公司M1 Ultra的UltraFusion架构
M1 Ultra芯片的UltraFusion架构使用 硅中介层(Silicon Interposer) 和 微型凸块(Micro-Bump) ,将芯片连接到超过10,000个信号。
该技术提供25TB/s的超高处理器间带宽,以及低延迟。这一性能是其他多芯片互连技术带宽的4倍多。这个速率带宽也明显领先于英特尔、AMD、Arm、台积电和三星等众多行业巨头组成的通用芯粒互连联盟(UCIe)当前的性能。
英特尔等巨头主推的UCIe
根据苹果公司和台积电已发表的专利和论文,我们从25D/3D互连和技术层面解析UltraFusion封装架构。
一、芯片封装走向25D/3D互连
按摩尔定律描述,芯片上的晶体管数量每24个月翻一番。这对于CPU、GPU、FPGA和DSA依然适用。
芯片晶体管数量逐渐增长(Y H Chen et al, 2020)
随着芯片算力呈指数级增长,芯片尺寸逐渐 超出光刻掩模版尺寸 ,系统级封装(System on Package,SoP),特别是Chiplet技术,成为维持摩尔定律,超越掩模版限制的有效方式。(Y H Chen et al, 2020)
图灵奖得主姚期智院士也非常重视Chiplet技术,在2020年指导成立了中国自己的 Chiplet产业联盟 ,该联盟与北极雄芯共同为国内设计企业提供Chiplet交流合作的平台和高性价的解决方案。
高性价比的Chiplet方案(北极雄芯/中国Chiplet产业联盟提供)
通过快速发展的片间互连技术和封装技术,摩尔定律从单独的晶体管缩放(摩尔定律10)演变为系统级缩放(被业界戏称为 摩尔定律20) 。
片间互连技术逐年快速发展(Y H Chen et al, 2020)
封装从2D(二维)逐渐发展到 25D和3D 。集成电路从扩大面积和立体发展两条路来提升整体性能。
封装从2D(二维)逐渐发展到25D和3D(Kuo-Chung Yee et al, 2020)
二、从苹果台积电专利论文,解析UltraFusion架构
从M1 Ultra发布的UltraFusion图示,以及苹果及其代工厂(台积电)的公开专利和论文来看,UltraFusion应是基于台积电第五代CoWoS Chiplet技术的互连架构。
苹果公司Chiplet专利与M1 Ultra(参考专利US 20220013504A1)
Chip-on-Wafer-on-Substrate with Si interposer (CoWoS-S)是一种基于TSV的多芯片集成技术,被广泛应用于高性能计算(HPC)和人工智能(AI)加速领域。
随着CoWoS的进步,可制造的中介层(Interposer)面积稳步增加,从一个全掩模版尺寸(大约830mm2)到两个掩模版尺寸(大约1700mm2)。中介层的面积决定了最大的封装后的芯片的面积。
第5代CoWoS-S(CoWoS-S5)达到了大至三个全光罩尺寸(~2500mm2)的水平。通过 双路光刻拼接 方法,该技术的硅中介层可容纳1200mm2的多个逻辑芯粒和八个HBM(高带宽内存)堆栈。芯粒与硅中介层的采用面对面(Face to Face,互连层与互连层对接)的连接方式。
CoWoS技术所能承载的总芯片面积逐渐增大(P K Huang 2021)
在UltraFusion技术中,通过使用 裸片缝合(Die Stitching) 技术,可将4个掩模版拼接来扩大中介层的面积。在这种方法中,4个掩模被同时曝光,并在单个芯片中生成四个缝合的“边缘”。
UltraFusion架构互连技术(单层与多层,参考专利US 20220013504A1/US 20210217702A1)
根据苹果公司的专利显示,在这一技术中,片间互连可以是单层金属,也可以是 多层金属 。(US 20220013504A1/US 20210217702A1)
三、六大技术特别优化
UltraFusion不仅仅是简单的物理连接结构。在这一封装架构中,有几项特别优化过的技术。(P K Huang 2021)
1)低RC互连
在UltraFusion中,有新的低RC(电容x电阻=传输延迟)金属层,以在毫米互连尺度上提供更好的片间信号完整性。
与多芯片模块(MCM)等其他封装解决方案相比,UltraFusion的中介层在逻辑芯粒之间或逻辑芯粒和存储器堆栈之间提供密集且短的金属互连。片间完整性更好,且能耗更低,并能以更高的时钟速率运行。这种新的中介层互连方案将走线电阻和通孔电阻降低了50%以上。
跨中介层传输的互连功耗控制(US 20210217702A1)
2)互连功耗控制
苹果的专利显示,UltraFusion使用了可关闭的缓冲器(Buffuer),进行互连缓冲器的功耗控制,有效降低暂停的互连线的能耗。
3)优化TSV
高纵横比的硅通孔(TSV)是硅中介层技术另一个非常关键的部分。UltraFusion/CoWoS-S5重新设计了TSV,优化了传输特性,以适合高速SerDes传输。
4)集成在中介层的电容(iCAP)
UltraFusion在中介层集成了深沟槽电容器(iCap),帮助提升芯片的电源完整性。集成在中介层的电容密度超过300nF/mm2,帮助各芯粒和信号互连享有更稳定的供电。
5)新的热界面材料
UltraFusion通过集成在CoWoS-S5中的新型非凝胶型热界面材料(TIM),热导率>20W/K,覆盖率达到100%,为各个高算力芯粒提供更好的散热支持,从而增强整体散热。
通过Die-Stitching提高良率并降低成本(US 20220013504A1)
6)通过Die-Stitching技术有效提升封装良率降低成本
UltraFusion中,仅将KGD(Known Good Die)进行键合,这样避免了传统的WoW(Wafer on Wafer)或CoW(Chip on Wafer)中失效的芯粒被封装的问题,进而 提升封装后的良率 ,降低了整体的平均成本。(坏的芯片越少,在固定的流片和研发费用前提下,单芯片平均成本就越低)
四、结语:为更强算力芯片提供想象空间
本文中,我们从苹果公司和台积电的专利和论文出发,对UltraFusion技术进行了初步的解析。
UltraFusion充分结合了封装互连技术、半导体制造和电路设计技术,为整合面积更大、性能更高的算力芯片提供了 巨大的想象空间 ,为计算架构的发展提供了非常好的助力和参照。
从等离子体内部发出的从红外到真空紫外波段的电磁辐射谱。它携带了大量有关等离子体复杂的原子过程的信息。利用光谱学的原理和实验技术,并借助于等离子体的理论模型,测量分析等离子体光谱,对于等离子体的研究是有重要意义的。来源
从等离子体内部发出的从红外到真空紫外波段的电磁辐射谱。它携带了大量有关等离子体复杂的原子过程的信息。利用光谱学的原理和实验技术,并借助于等离子体的理论模型,测量分析等离子体光谱,对于等离子体的研究是有重要意义的。
包括
等离子体光谱主要是线状谱和连续谱。线状谱是等离子体中的中性原子、离子等由其高能级的激发态跃迁到较低能级时所产生的,单个粒子发射的谱线强度主要决定于:①原子或离子的外层电子处于上能级的几率,②这种电子从上能级跃迁到下能级的跃迁几率,③光子在逸出等离子体之前被再吸收的几率。但谱线的总强度与电子和离子的密度和温度有关,每条谱线有它自己的强度分布规律,因此从谱线强度的测量,结合理论模型和上述光谱中的原子数据,可以得到电子、离子的密度、温度等信息。根据多普勒效应,从谱线波长的移动可确定等离子体的宏观运动速度。连续谱是电子在其他粒子的势场中被加速或减速而产生的。从连续光谱强度的测量,也可得到电子密度、温度等数据。
变化
随着等离子体温度的升高,如到达10度以上,原子的外层电子逐渐被剥落,形成各种离子态的离子,如CⅣ、CⅤ、OⅥ、NⅤ、FeⅪⅩ、TiⅪⅩ(Ⅰ为中性原子,Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、…为失去 1、2、3、…个外层电子的离子)等。这些高次电离的离子,其线状谱大都处在远紫外波段。连续谱的情形,也是随着温度的升高,其发射强度的极大值往短波方向移动。对于高温等离子体,如目前聚变高温等离子体,其工作物质是氢及其同位素氘和氚,但不可避免地会含有一些杂质,如C、O、Fe、Ti、Mo、W等元素,温度已达10度以上,这些杂质离子的光谱大部分是在真空紫外及 X射线波段。分析这些较重杂质的高次电离谱线的出现时间和位置,比较它们的强度,对这样高的温度的等离子体的参量测量、输运过程和等离子体的辐射损失等的研究都是很重要的。尤其是对类氢、类氦离子的谱线强度的分析,更为有用,因为对于这些离子的原子数据较为完全。
形状
等离子体光谱的另一个重要方面,是谱线的形状或轮廓。光谱线并不是“线”,而是有一定宽度的轮廓。在等离子体光谱中,谱线增宽的机制较复杂,其中有两个因素比较重要,就是多普勒效应 和斯塔克效应。等离子体中的各种粒子处于无规热运动状态,它们相对于观察者具有各种方向和大小的速度,就会产生多普勒频移,因此,所发射的光谱线不再是“线”,而是按波长的某种分布,即谱线“变宽”了,这就是多普勒增宽。多普勒增宽同离子速度分布有关,如这种离子的速度呈麦克斯韦分布,则与其离子温度有关。用多普勒增宽测量高温等离子体中的离子温度是一种常用的方法,离子温度可用下式计算: ,
式中k为玻耳兹曼常数,Ti为离子温度,A为所测原子或离子的原子量,墹λ为谱线轮廓在半高度处的宽度。计算时要扣除其他因素引起的增宽。
效应
另一个重要效应是斯塔克效应。等离子体中的每个发光粒子都处于其他粒子所带电荷产生的电场中,由于电场的作用,这个粒子所发射的光谱发生分裂,这就是斯塔克效应。分裂情况同等离子体中的粒子密度有关。带电粒子产生的微观电场是复杂的,引起各式各样的斯塔克分裂,叠加的结果,使光谱线变宽,形成斯塔克增宽。在温度较低(几个电子伏)、密度较高(大于10τm )的等离子体中,常用斯塔克增宽来测量电子密度。 的斯塔克增宽理论较为完整,理论指出这类斯塔克增宽谱线轮廓的半高全宽度与成正比,Ne为等离子体的电子密度。
聚变装置的高温等离子体往往处于强磁场中,会引起光谱线分裂,这就是光谱学中熟知的塞曼效应。在一些大型聚变装置中,磁场强度为几个特斯拉(T),分裂正比于磁场强度B和波长λ的二次方的乘积,如λ=5000┱,B=1T时,则塞曼分裂=0117┱。根据谱线塞曼分裂的大小可推算等离子体中的磁场强度。
辐射
如上所述,测量等离子体的辐射,如谱线强度、谱线轮廓以及谱线的分裂、位移等后,就可以得到等离子体的一些参量,如等离子体成分、温度、密度等。这方面的工作构成等离子体光谱诊断学,是等离子体诊断学的一个重要组成部分。
相关知识
特点
光学系统:全新竖式光室设计,全封闭驱气型,采用精密温控恒温系统,高能量中阶梯光栅石英棱镜交叉色散内光路,波长和级次二维色散,所有光学元件均使用全反射球面镜,保证高光通量和低图象失真。
光栅: 采用超高分辨干涉刻制技术,5291条/mm,635闪耀角
棱镜: 交叉色散,采用双通过设计确保成像质量,95角,超纯紫外熔融石英
波长覆盖: 166-847nm全波长覆盖,Al 167120nm测试可获得更高紫外灵敏度,对于K 766490nm和Na 818326nm长波同样性能优异
焦距: 383nm,紧凑型光室
分辨率
0007nm在200nm处的光学分辨率,采用大衍射角高的光谱级次,在短焦距下可获得高分辨率
光路: 驱气型光室,可以是氩气或者氮气,驱气量0-2L/分钟,典型1L/分钟即可获得优异的紫外性能,特别对于As和P的测定。外光路设计,对于垂直炬可选择观测高度,对于双向炬可选择观测方式
波长校准: 采用C、N和Ar线自动波长校准程序,确保长期波长稳定性
光室恒温: 38±01℃精密光室恒温,恒温速度小于20分钟
检测器
新一代RACID86电荷注入式检测器(CID)是高性能的固体成像系统。热电的CID是能够传输高反差/低噪音图象的加强型电荷传输器件,它可以对分析范围内的所有波长进行定性定量,而决无电荷溢出(Blooming)现象。
检测器模式: 随机读取积分(RAI)
经选择的分析波长以最佳信噪比的方式同时积分,这样光所产生的电荷量可以保持在CID的线性范围内。它是利用了CID所独有的非破坏性读取(NDRO) 功能而获得的。NDRO 允许观测任意曝光点的任何像数单元上的信号。在这种方式下,像数与像数之间的读出频率随着发射强度的实时观测而各不相同,因而得到最宽的动态范围线性。
阵列尺寸: 291,600个独立寻址检测单元,540×540阵列连续覆盖所有可用波长
像数尺寸: 27×27um
量子化效率: 200nm紫外区可达65%以上
石英窗: 前置成角度封闭式石英窗,提高CID可靠性并降低杂散光
检测器冷却: 高效三级半导体制冷,制冷温度-45℃,冷却时间小于3分钟,气体和冷却水安全连锁
等离子体观测:
观测方式
垂直观测: 等离子体使用高效氟化镁涂层镜子以垂直模式直接观测。入射光经封闭驱气的外光路,防腐蚀并可获得最佳的紫外区光谱性能。观测高度可以由软件自动最佳化,也可由 *** 作者进行选择。
双向观测: 等离子体可以水平观察以适应于最低检出限的应用要求,通过附加的垂直观测方式减少基体效应。两种观察方式可以由计算机全自动控制。观察方式的选择可以是全垂直、全水平或根据谱线灵活选择。
自动准直水平观测中心通道。
独特的SiN锥接口技术有效去除尾焰,并且保持良好的紫外性能。
等离子体源:固态RF发生器
频率: 2712MHz
*** 作模式: 全自动软件控制点火与 *** 作,直接耦合变频阻抗控制自动调谐。功率稳定性优于01%
功率输出: 750-1700W(确认值1500),计算机控制连续可调
输出效率: 大于78%,适用于包括甲醇等有机样品在内的各种样品分析
冷却方式: 水冷和风冷
进样系统:
雾化器: 玻璃同心圆雾化器
SeaSpray高盐雾化器、V型槽雾化器、耐HF酸雾化器和超声雾化器可选配
雾化室: 玻璃漩流雾化室,配置垂直和水平不同的连接管
蠕动泵: 高精度12滚轮3通道蠕动泵,0-125转/分钟连续可调。当等离子体熄火时处于Standby状态防止泵管损坏。
炬管
: 配置15mm垂直或20mm水平中心管的可拆卸式石英炬管。可选配10,15,20mm石英中心管和20mm耐HF酸刚玉中心管。预准直卡式炬管设计,方便快速更换,无需拆卸冷却气和辅助气气管。
气体控制:雾化器气体,冷却气和辅助气三路独立气体控制
雾化器气体: 采用MFC质子流量计控制,连续可调。
冷却气: 12L/分钟
辅助气: 0,05,10,15L/分钟可调
*** 作系统:Microsoft WindowsTM 2000或XP
iTEVA软件:iCAP6000系列的iTEVA *** 作软件提供对仪器所有功能全控制,包括等离子体点火,气体流量,观测方式和安全连锁的监控。
日常分析软件: 在任何像数位置或指定的子阵列区域中进行定量分析
自动或手动实时背景校正点选择
缺省的系统参数设置和全过程程序的执行
对于垂直观测,用户可选等离子体观测区域或全自动最佳化
分析过程中子阵列数据采集,用于条件优化后的数据后处理
多重光谱图叠加显示方式,简化方法的开发
全谱“指纹”摄谱研究模式:
拍摄整个发射光谱或部分谱图,以彩色或灰度显示发射强度,2D线性或对数(强度与波长)显示
全谱线或峰值识别,全互动式谱线库,评价潜在的谱线干扰,进行元素定性分析
同一材料的全谱图比对和基体或空白的减扣模式
自动进样器模式:全兼容自动进样器使得无人 *** 作和关机。基于HTML样品文件,灵活控制定制样品放置位置。
质量控制检查: 针对于QC表,自动检查QC样确保整个测试过程的重复性和准确度
校正模式: 多点校正曲线,每条校正曲线的标准点不受无限制
可选拟合类型:线性,曲线, 全拟合,
曲线拟合显示:线性或对数,自动调节量程
报告软件: 标准报告格式,用户可根据样品名称、方法名称、日期、时间、元素、浓度、强度、平均值、标准偏差、相对标准偏差等来过滤报告输出。使用第三方软件定制报告生成,兼容SQL服务器,DDE-格式数据库等无限制数据库功能
可选格式:分析数据可以复制到商用用户数据管理器,如电子表格,Word文字处理,图形程序等。
兼容附件:iCAP 6300可以兼容包括标准进样系统、有机和挥发性有机进样系统、高盐进样系统和耐HF酸进样系统在内的所有进样附件包。另外兼容:
自动进样器: Cetac ASX260、ASX520、EXR-8智能化自动进样器
超声雾化器: Cetac U5000AT+,对于水样的灵敏度可提高10-15倍
氢化物发生器:在线-氢化物组件分样品、硼氢化钠和废液独立通道,可 使As、Sb、Bi、Hg、Sn和Te的灵敏度提高8-10倍编辑词条vse 1、Virtual Server Environment,虚拟服务器环境 近几年,虚拟化成为一个非常热门的话题。因为在企业提供服务的不同时间,会有应用程序负载不同、容量规划困难和、供应不足而产生的供应不足。在多数数据中心里有两种负载。第一种是用户每天都要接触到的应用程序。另一种是从大量数据中提取信息的批处理。 用户日常接触的应用程序负载通常有高峰期。如右图所示。 如果它是产生营业额的该门户网站的负载图,即使在非常重负载的情况下也不容许有性能问题,因为它产生营业额。因此,这样负载所运行的平台需要能够处理峰值负载。如果这一负载使用固定规模的服务器或者分区,就需要至少6颗CPU。然而这一负载的平均负载仅需要15颗CPU。因此利用率仅为25%。 批处理工作负载的资源配比则大不相同。在运行阶段,批处理需要消耗几乎所有可用的资源,然后就降为零。 这样也会导致大量资源闲置,因为这些应用仅在高峰时间才需要资源,而在批处理任务没有运行的时候根本没有利用。所以批处理的高峰较宽,但峰值负载和最小负载之间相差巨大。 由于服务器的规模通常是针对峰值配置,平均负载与服务器规模(处理能力)相关性较小。 111、容量规划 另一个引起过度供应的原因在于容量规划是一门模糊学科。客户试着去预测未来的用量,在很多情况下,没有关于负载需求的真实信息。即使在有真实数据的情况下,新服务器需要多少资源也只能靠猜测,猜测系统生命周期中工作负载的增长。结果就是业务部门通常过高估计需求,以求安全。 112、供应不足的惩罚 另一个过高估计资源需求的原因在于估计不足产生的影响非常严重。如果购买一套不能提供足够满足负载所需求资源的新系统,则会: Ø 另外购买一套更大的服务器-大幅提升项目成本 Ø 等候新服务器到达 Ø 开始全新的安装、测试和移植计划,把负载转移到新服务器上 更明显的影响在于设计原来解决方案的部门会失去信用,这意味着以后任何建议都会被怀疑。于是这个部门需要在未来每一个项目上都做更多工作以评估自己的建议。 12虚拟化帮助避免过量供应 虚拟化提供的关键功能就是环境的灵活性。这个功能配合上工作负载的彼此隔离功能,就可以实现把多个工作负载整合到较少服务器上的目标。 121工作负载可以共享资源 虚拟化环境的灵活性意味着,一个工作负载不需要的资源可以由另一个工作负载利用。回过头再参考一下前面章节的那张图,可以看出工作负载需要6颗CPU的时间很短,多数时候3颗CPU就能够处理持续的峰值负载。另外3颗CPU可以放入一个共享池,供其它正好是峰值的工作负载使用。 使用这种模式,仍然有极限容量的问题。然而这里的极限容量就小多了,因为空闲的容量可以被多个工作负载共享。 122公用资源可以放到线上解决峰值需求 许多客户对于没有足够空闲资源运行他们的环境而感到不满。针对这种情况,出现了公用定价解决方案,提供空闲容量。这样,在极端情况下多个工作负载同时忙的时候,如果系统中没有足够的空闲容量,可以激活附加的容量。 有一种解决方案称为即时容量(Instant Capacity),客户可以购买一台服务器,CPU超出所需要的量。即时容量CPU物理上已经安装在机箱里,但并未激活,也未被系统中的 *** 作系统所使用。过一段时间之后,它们可以激活,购买这部分CPU的价值在激活的时候才体现出来,而不是在购买的时候。另一个解决方案是临时容量,可以短时间打开iCAP CPU以处理峰值负载。 还从前面那个例子讲起。我们可以购买一台64颗CPU的服务器整合10个工作负载,但有36颗是固定容量,另外28颗是即时容量。这样的配置比全部64颗都按固定容量方式购买要便宜得多。加上一些临时容量的许可证后,用户就可以在所有工作负载都繁忙的时候激活最多64颗CPU。尽管这种情况极不可能发生,但它提供了一种衡量的方式,确保服务器能够处理任何峰值组合,同时因为客户只为实际打开的CPU付费,降低了成本。 123灵活性令容量规划简化许多 前述的灵活性意味着供应不足发生的风险大幅降低。如果某一个工作负载异常增加或者增长速度超出预期,系统中有许多空闲资源可以几乎实时取出,以满足应用程序需要。用户无需购买一台更大的服务器并移植工作负载,只需要激活附加的资源并将其安排给工作负载即可。 13虚拟化还可以缩短部署新服务的时间 虚拟化的另一项优势在于,新的工作负载可以快速部署在现有的空闲容量上。当前购买一台新服务器的流程大约是: 1 容量规划,决定服务器规模; 2 获得新服务器购买资金; 3 订购服务器; 4 等候服务器发货; 5 安装服务器、 *** 作系统、支持软件及应用程序运行; 6 测试新服务器/软件,确保可以在生产环境中正常发挥作用; 7 将服务器加入生产环境中。 这些步骤中的大多数在虚拟环境中也需要,而且最费时间的步骤都可以缩短或者完全不需要。 1 还需要做容量规划,但不需要非常精确,因此这一过程可以缩短; 2 资金批准可以快得多,因为资源已经可以使用,因此只需要一部分或完全不需要追加资金给新的工作负载; 3 因为使用的是现有的服务器,所以无需订购新的服务器。这一步骤被创建新的虚拟环境运行应用程序所取代。通常只需要几分钟时间就可以完成; 4 无需等候服务器到货。这是流程中最显著的节约时间的一步; 5 还需要安装 *** 作系统,支持软件及虚拟环境中运行的应用程序,但无需给新服务器在数据中心找地方并安装上线。另外,如果新的应用程序可以在现有的服务器上运行,或者分区上已经安装了该软件,这一步可以非常短; 6 新的服务器/软件组合还需要测试,以确保在生产环境中功能正常; 7 还需要把新的服务推出到生产环境中。 目前已经看到客户最多可以把新服务推出上线时间缩短至原来的1/10。 由于新的虚拟服务器可以快速部署,可以用于短期项目,完成后消除,他们在开发或者测试环境也会非常有用。这些短期项目中使用的资源可以释放并在后续的项目中使用。测试同一资源的不同 *** 作系统、应用程序、补丁版本也很方便。 2、Mcafee的VirusScan Enterprise McAfee VirusScan Enterprise是企业版杀毒软件,内含HIPS(Host Intrusion Prevent System)主机入侵保护系统。能够根据用户的规则自动阻止未知病毒。使用最多的是VSE80和VSE85版(可以免费使用),目前最新版本为87,暂时是测试版。 Mcafee拥有强大的病毒库和良好的杀毒引擎,是闻名世界的安全公司。
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