请教关于FLASH读写的问题

1，CS接上拉电阻了吗？读出的都是FF，可能的原因很多，可能你的VCC电压不够，可能是你的延迟时间不足，导致无法写（你的应该不是）。在上电过程中，你的CS与VCC引脚的电平保持一致了吗，而且在VCC达到最小值之前，不能 *** 作。不能读的原因，可能写保护了（掉电后或者写禁能、页编程、扇区擦出块区擦除、芯片擦除、写状态寄存器 指令之后）。

2，你的flash读出的ID不一样的原因：开发板时钟与你的时钟一样啊？晶振是否一致。

暂时想到这么多。

至于开发板上最小系统的电容阻值问题，没有电路图，真的不好办，但是既然是接地电容，大部分是滤波的，影响应该不大，而且你是按照datasheet连的。

如果是在单片机程序中写Flash，这是一个很复杂的过程，

Atmega单片机

Flash分为两个区：可读写区(RWW)，不可读写区(NRWW)

RWW:

read-while-write，也就是常说的

bootloader

区，

NRWW:no-read-while-write

一般的应用程序是在NRWW区的，也就是说不可以对flash进行 *** 作，但是你可以写一段

程序下载

到RWW区，然后这一段的程序可能对整个Flash进行读写 *** 作，所以你要实现写Flash的话，你的应用程序必须跳转到RWW区，将要写的地址传给它，然后由该部分的程序去完成 *** 作，然后再跳回你的应用程序

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