请教nand flash interleave *** 作的问题

交错页编程（Interleave Page Program）

多片同时编程，是针对一个chip里面的多个Plane来说的，

而此处的交错页编程，是指对多个chip而言的。

可以先对一个chip，假设叫chip1，里面的一页进行编程，然后此时，chip1内部就开始将数据一点点写到页里面，就出于忙的状态了，而此时可以利用这个时间，对出于就绪状态的chip2，也进行页编程，发送对应的命令后，chip2内部也就开始慢慢的写数据到存储单元里面去了，也出于忙的状态了。此时，再去检查chip1，如果编程完成了，就可以开始下一页的编程了，然后发完命令后，就让其内部慢慢的编程吧，再去检查chip2，如果也是编程完了，也就可以进行接下来的其他页的编程了。如此，交互 *** 作chip1和chip2，就可以有效地利用时间，使得整体编程效率提高近2倍，大大提高Nand Flash的编程/擦写速度了。

尊敬的台电用户您好，建议您升级一下固件程序。

1、可以去台电的官方网站（>

要根据超级Pro 7500 NAND闪存编程器您的需求进行不同的 *** 作和设置，包括选择NAND类型和引脚设置。以下是一些大致的步骤：

1 将您要读取的NAND芯片插入编程器的插座中。确保正确插入，并设置正确的芯片类型和引脚设置。

2 软件设置完成后，使用适当的软件程序（如SuperPro软件）启动设备。

3 启动设备后，使用软件程序中的读取 *** 作命令来读取NAND芯片上的所有数据。

4 读取 *** 作完成后，您可以将数据在计算机上存储并查看数据。

在进行以上 *** 作之前，建议您查阅编程器的相关说明书，仔细阅读设备信息和使用说明。确保您已按照说明书正确设置并 *** 作设备，以避免可能的故障或错误。

同学，你是学微电子的么？要了解NAND芯片就要了解NAND和NOR储存芯片内部的结构单元，了解浮栅原理，才能对它有深入的了解。

楼上提的都是这两种芯片的特点，可能还没达到你的要求，我来补充下吧。

如图所示，

Nand比Nor晚开发出来，在基本单元结构上，Nand 是用的晶闸管(含浮栅）源极漏极首尾串联的形式，比如32个晶闸管串联称为一个块Block，擦除和编程必须以这个最小单元 *** 作。优点你可以从图上看出来，储存密度大大提升（虽然晶闸管数量并没少,布线空间节省了)。缺点也很明显，一个晶闸管坏了，一个块全坏，所以用Nand的话软件上要做很多纠错，比如ECC由于每个晶闸管没有单独的Bit line,所以读速度大受影响，随机读速度只能达到25us(微秒级)但擦除比较快。

而Nor呢，每个晶闸管(含浮栅）都连接Bit Line和Word Line,所以可以做到随机访问，随机读速度可以达到60~70ns(纳秒级)但Nor的缺点是擦除很慢，原因就是它不能一个块一个块擦。

基本结构上就是这个差别，也就是最基本的差别。衍生出来当然又更多不同，比如Nand接口没有地址线，Nor接口含完整地址线，兼容SRAM *** 作。Nand通常用来储存资料而不是放程序文件，因为程序文件大量用到随机存取，而这个是Nand不擅长的。

我这里有一份Nand的资料，是toshiba的资料，你如果需要更详细的，在里面能找到答案，留下邮箱我可以发给你~~

系统源码和编译方法，[参见连接] ( >

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