DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM系列内存产品,与DDR2SDRAM相比,可提供更高的运行效率和更低的电压。
DDR3技术介绍
为了更省电,传输效率更快,DDR3SDRAM采用SSTL15的I/O接口,工作I/O电压为1.5V,采用CSP和FBGA封装。除了延续DDR2SDRAM的ODT、OCD、PostedCAS和AL控制方式外,还增加了更复杂的CWD、复位、ZQ、SRT和RASR功能。
DDR3内存的技术改进
逻辑存储体数量:DDR2SDRAM有4个存储体和8个存储体,是为了满足未来大容量芯片的需求。DDR3很可能是从2Gb的容量起步,所以初期的逻辑库是8个,也为未来的16个逻辑库做好了准备。
封装:DDR3有一些新特性,所以管脚会增加。8位芯片采用78引脚FBGA封装,16位芯片采用96引脚FBGA封装,DDR2采用60/68/84引脚FBGA封装。
突发长度:因为DDR3的预取是8^8位,所以突发长度(BL)也固定为8。对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的。DDR3增加了4位突发斩波模式,即BL=8由BL=4读 *** 作和BL=4写 *** 作合成。
寻址时序:DDR3的延迟在5-11之间,附加延迟(al)的设计也有所改变。
降低功耗:DDR3在高带宽的同时,可以降低功耗,核心工作电压从1.8V降低到1.5V,相关数据预测DDR3将比目前的DDR2节省30%的功耗。
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