威刚4GB万紫千红内存时序可以调么

&nbsp不会，你只是改变了记忆的时序，不会影响记忆的颗粒。实际上，这个 *** 作并没有改变内存的任何物理属性，只是修改了逻辑。只有修改电压，才能损坏内存的粒子。同时，如果修改后的时序与系统其他硬件存在兼容性问题，会导致崩溃或无法引导。

CL(CASLatency):是CAS的延迟时间，是垂直寻址脉冲的反应时间，也是衡量某一频率下支持不同规格的存储器的重要标志之一。

ldquo；CPU等待时间。内存传输速度越慢，CPU等待时间越长，对系统整体性能的影响越大。因此，快速内存是有效提高CPU效率和整体性能的关键之一。

在实际工作中，无论是哪种类型的内存，在数据传输之前，发送方都必须花费一定的时间等待传输请求的响应。一般来说，发送方和接收方在传输之前都要进行通信，这样会造成一定的传输延迟。CL的设置在一定程度上反映了这个内存中的CPU在收到读取内存数据的指令后开始读取数据的等待时间。同样频率的内存不难看出，较低的CL设置有速度优势。

记忆延迟序列CL-tRCD-tRP-tRAS；设置
首先你需要打开BIOS中的手动设置，在BIOS设置中找到DRAM时序可选，BIOS设置中可能出现的其他描述有:自动配置、DRAM自动、时序可选、通过SPD配置时序等。将它们的值设置为手动(根据BIOS，可能的选项有:开/关或启用/禁用)。如果要调整内存时序，首先要打开手动设置，这时会自动出现一个详细的时序参数列表:
CommandPerClock(CPC)
可选设置:auto，Enable(1T
CommandPerClock(CPC:instructionRate，也翻译为:firstcommanddelay)，一般也就是DRAM命令速率、CMD速率等。因为现在的DDR内存寻址，要先选择P库(通过DIMM上的CS片选信号)，再选择L库/行激活和列地址。该参数的意义是指P-Bank被选中后多久，可以发出具体寻址的L-Bank/row激活命令，单位为时钟周期。
显然，越短越好。但是随着主板上内存模块的增加，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。所以，当你的内存插了很多，出现不稳定的时候，就需要调整这个参数了。目前大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值是Disable(2T)。如果玩家的内存质量不错，可以设置为Enable(1T)。
CAS延迟控制(TCL)
可选设置:自动、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5。
一般我们提到内存的定时参数时，比如3448；这种数字序列，对应上述数字序列的参数是CL-tRCD-tRP-tRAS；。这是第一个参数，即CL参数。