电涌保护器的原理

电涌保护器的原理,第1张

电涌保护器像电力海绵一样,能够吸收危险的额外电压,防止大多数这样的电压进入您的敏感设备。电涌保护器(Surge protection Device)是电子设备雷电防护中不可缺少的一种装置,过去常称为“避雷器”或“过电压保护器”英文简写为SPD。电涌保护器的作用是把窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压限制在设备或系统所能承受的电压范围内,或将强大的雷电流泄流入地,保护被保护的设备或系统不受冲击而损坏。
电涌保护器的类型和结构按不同的用途有所不同,但它至少应包含一个非线性电压限制元件。 用于电涌保护器的基本元器件有:放电间隙、充气放电管、压敏电阻、抑制二极管和扼流线圈等。
一、SPD的分类:
1、按工作原理分:
1.开关型:其工作原理是当没有瞬时过电压时呈现为高阻抗,但一旦响应雷电瞬时过电压时,其阻抗就突变为低值,允许雷电流通过。用作此类装置时器件有:放电间隙、气体放电管、闸流晶体管等。
2.限压型:其工作原理是当没有瞬时过电压时为高阻扰,但随电涌电流和电压的增加其阻抗会不断减小,其电流电压特性为强烈非线性。用作此类装置的器件有:氧化锌、压敏电阻、抑制二极管、雪崩二极管等。
3.分流型或扼流型
分流型:与被保护的设备并联,对雷电脉冲呈现为低阻抗,而对正常工作频率呈现为高阻抗。
扼流型:与被保护的设备串联,对雷电脉冲呈现为高阻抗,而对正常的工作频率呈现为低阻抗。
用作此类装置的器件有:扼流线圈、高通滤波器、低通滤波器、1/4波长短路器等。
按用途分:(1)电源保护器:交流电源保护器、直流电源保护器、开关电源保护器等。
(2)信号保护器:低频信号保护器、高频信号保护器、天馈保护器等。
二、SPD的基本元器件及其工作原理:
1.放电间隙(又称保护间隙):
它一般由暴露在空气中的两根相隔一定间隙的金属棒组成(如图15a),其中一根金属棒与所需保护设备的电源相线L1或零线(N)相连,另一根金属棒与接地线(PE)相连接,当瞬时过电压袭来时,间隙被击穿,把一部分过电压的电荷引入大地,避免了被保护设备上的电压升高。这种放电间隙的两金属棒之间的距离可按需要调整,结构较简单,其缺点时灭弧性能差。改进型的放电间隙为角型间隙,它的灭弧功能较前者为好,它是回路的电动力F作用以及热气流的上升作用而使电弧熄灭的。
2.气体放电管:
它是由相互离开的一对冷阴板封装在充有一定的惰性气体(Ar)的玻璃管或陶瓷管内组成的。为了提高放电管的触发概率,在放电管内还有助触发剂。这种充气放电管有二极型的,也有三极型的,
气体放电管的技术参数主要有:直流放电电压Udc;冲击放电电压Up(一般情况下Up≈(2~3)Udc;工频而授电流In;冲击而授电流Ip;绝缘电阻R(>109Ω);极间电容(1-5PF)
气体放电管可在直流和交流条件下使用,其所选用的直流放电电压Udc分别如下:在直流条件下使用:Udc≥18U0(U0为线路正常工作的直流电压)
在交流条件下使用:U dc≥144Un(Un为线路正常工作的交流电压有效值)
3.压敏电阻:
它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻,当作用在其两端的电压达到一定数值后,电阻对电压十分敏感。它的工作原理相当于多个半导体P-N的串并联。压敏电阻的特点是非线性特性好(I=CUα中的非线性系数α),通流容量大(~2KA/cm2),常态泄漏电流小(10-7~10-6A),残压低(取决于压敏电阻的工作电压和通流容量),对瞬时过电压响应时间快(~10-8s),无续流。
压敏电阻的技术参数主要有:压敏电压(即开关电压)UN,参考电压Ulma;残压Ures;残压比K(K=Ures/UN);最大通流容量Imax;泄漏电流;响应时间。
压敏电阻的使用条件有:压敏电压:UN≥[(√2×12)/07]U0(U0为工频电源额定电压)
最小参考电压:Ulma≥(18~2)Uac (直流条件下使用)
Ulma≥(22~25)Uac(在交流条件下使用,Uac为交流工作电压)
压敏电阻的最大参考电压应由被保护电子设备的耐受电压来确定,应使压敏电阻的残压低于被保护电子设备的而损电压水平,即(Ulma)max≤Ub/K,上式中K为残压比,Ub为被保护设备的而损电压。
4.抑制二极管:
抑制二极管具有箝位限压功能,它是工作在反向击穿区(图19),由于它具有箝位电压低和动作响应快的优点,特别适合用作多级保护电路中的最末几级保护元件。抑制二极管在击穿区内的伏安特性可用下式表示:I=CUα,上式中α为非线性系数,对于齐纳二极管α=7~9,在雪崩二极管α=5~7。
抑制二极管的技术参数主要有
(1)额定击穿电压,它是指在指定反向击穿电流(常为lma)下的击穿电压,这于齐纳二极管额定击穿电压一般在29V~47V范围内,而雪崩二极管的额定击穿电压常在56V~200V范围内。
(2)最大箝位电压:它是指管子在通过规定波形的大电流时,其两端出现的最高电压。
(3)脉冲功率:它是指在规定的电流波形(如10/1000μs)下,管子两端的最大箝位电压与管子中电流等值之积。
(4)反向变位电压:它是指管子在反向泄漏区,其两端所能施加的最大电压,在此电压下管子不应击穿。此反向变位电压应明显高于被保护电子系统的最高运行电压峰值,也即不能在系统正常运行时处于弱导通状态。
(5)最大泄漏电流:它是指在反向变位电压作用下,管子中流过的最大反向电流。
(6)响应时间:10-11s
5.扼流线圈:扼流线圈是一个以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件,它由两个尺寸相同,匝数相同的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯上,形成一个四端器件,如图15e所示,要对于共模信号呈现出大电感具有抑制作用,而对于差模信号呈现出很小的漏电感几乎不起作用。扼流线圈使用在平衡线路中能有效地抑制共模干扰信号(如雷电干扰),而对线路正常传输的差模信号无影响。
这种扼流线圈在制作时应满足以下要求:
1)绕制在线圈磁芯上的导线要相互绝缘,以保证在瞬时过电压作用下线圈的匝间不发生击穿短路。
2)当线圈流过瞬时大电流时,磁芯不要出现饱和。
3)线圈中的磁芯应与线圈绝缘,以防止在瞬时过电压作用下两者之间发生击穿。
4)线圈应尽可能绕制单层,这样做可减小线圈的寄生电容,增强线圈对瞬时过电压的而授能力。
6. 1/4波长短路器
1/4波长短路器是根据雷电波的频谱分析和天馈线的驻波理论所制作的微波信号电涌保护器,其结构如图21所示。这种保护器中的金属短路棒长度是根据工作信号频率(如900MHZ或1800MHZ)的1/4波长的大小来确定的。此并联的短路棒长度对于该工作信号频率来说,其阻抗无穷大,相当于开路,不影响该信号的传输,但对于雷电波来说,由于雷电能量主要分布在n+KHZ以下(如图22所示),此短路棒对于雷电波阻抗很小,相当于短路,雷电能量级被泄放入地。
由于1/4波长短路棒的直径一般为几毫米,因此耐冲击电流性能好,可达到30KA(8/20μs)以上,而且残压很小,此残压主要是由短路棒的自身电感所引起的,其不足之处是工频带较窄,带宽约为2%~20%左右,另一个缺点是不能对天馈设施加直流偏置,使某些应用受到限制。
三、SPD的基本电路
电涌保护器的电路根据不同需要,有不同的形式,其基本元器件就是上面介绍的几种,一个技术精通的防雷产品研究工作者,可设计出五花八门的电路,好似一盒积木可搭出不同的结构图案。研制出既有效又性能价格比好的产品,是防雷工作者的重任。
四、电涌保护器的主要参数
1、标称电压Un:被保护系统的额定电压相符,在信息技术系统中此参数表明了应该选用的保护器的类型,它标出交流或直流电压的有效值。
2、额定电压Uc:能长久施加在保护器的指定端,而不引起保护器特性变化和激活保护元件的最大电压有效值。
3、额定放电电流Isn:给保护器施加波形为8/20μs的标准雷电波冲击10次时,保护器所耐受的最大冲击电流峰值。
4、最大放电电流Imax:给保护器施加波形为8/20μs的标准雷电波冲击1次时,保护器所耐受的最大冲击电流峰值。
5、电压保护级别Up:保护器在下列测试中的最大值:1KV/μs斜率的跳火电压;额定放电电流的残压。
6、响应时间tA:主要反应在保护器里的特殊保护元件的动作灵敏度、击穿时间,在一定时间内变化取决于du/dt或di/dt的斜率。
7、数据传输速率Vs:表示在一秒内传输多少比特值,单位:bps;是数据传输系统中正确选用防雷器的参考值,防雷保护器的数据传输速率取决于系统的传输方式。
8、插入损耗Ae:在给定频率下保护器插入前和插入后的电压比率。
9、回波损耗Ar:表示前沿波在保护设备(反射点)被反射的比例,是直接衡量保护设备同系统阻抗是否兼容的参数。
10、最大纵向放电电流:指每线对地施加波形为8/20μs的标准雷电波冲击1次时,保护器所耐受的最大冲击电流峰值。
11、最大横向放电电流:指线与线之间施加波形为8/20μs的标准雷电波冲击1次时,保护器所耐受的最大冲击电流峰值。
12、在线阻抗:指在标称电压Un下流经保护器的回路阻抗和感抗的和。通常称为“系统阻抗”。
13、峰值放电电流:分两种:额定放电电流Isn和最大放电电流Imax。
14、漏电流:指在75或80标称电压Un下流经保护器的直流电流。

严格说来不能说轨道,应说是亚层
只有指明电子层数时才说轨道,如1s 2p 轨道
s亚层是角量子数L为1的轨道,能容纳一对自选相反的电子
p亚层是角量子数为2的轨道,能容纳三对自选相反的电子
d亚层是角量子数为3的轨道,能容纳五对自选相反的电子
往下f,g亚层以此类推,容纳2L+1个电子
在多电子的原子中,我们根据电子自身能量的高低,将其排布在不同的电子层中,电子层用n表示,n的取值范围是正整数,即n=1,2,3,4,5电子的n值越大,代表电子的能量越高。
而同一电子层中的电子的能量还不完全相同,为了区别这些能量不同的电子,我们将其排入不同的亚层,亚层根据能量的高低可用s、p、d、f、g表示,每个电子层的亚层数等于电子层的序数。如:
n=1,只有一个s亚层
n=2,有s、p两个亚层
n=3,有s、p、d三个亚层
依此类推
一个电子层中的每个亚层称作一个能级。
每个亚层的形状各不相同,亚层的形状在空间有不同的伸展方向,s、p、d、f亚层分别有1、3、5、7个伸展方向,每个伸展方向叫做一个轨道。笼统来说,s亚层的轨道可简称为s轨道,p亚层的轨道可简称为p轨道,d亚层的轨道可简称为d轨道。要是准确描述轨道,需要将电子层和亚层结合一起,如:1s,2s,2p,3s,3p,3d等等。
原子有核外电子,电子要排在轨道上;
总的说来,核外电子层分K、L、M、N、O、P,
可是科学家发现,在这每一层上,又有很多能量不同的区域,即电子亚层;
这种电子亚层有四种,分别用字母s,p,d,f来表示;
电子亚层,其实你就可以理解为电子轨道群,
每个亚层上都有若干个轨道,
s亚层有1个轨道,p亚层有3个轨道,d亚层有5个轨道,f亚层有7个轨道,
有了这些轨道,电子才能装进去,每个轨道上能容纳2个自旋方向相反的电子(意思就是说,这两个电子旋转方向不一样)。
那么我再给你找些实用的资料,以后对你会很有用的:
①K层只有s亚层,简称为1s;L层有s,p两个亚层,简称为2s,2p;M层有s,p,d三个亚层,简称为3s,3p,3d;等等。
②由于亚层的存在,使同一个电子层中电子能量出现不同,甚至出现低电子层的高亚层能量大于高电子层的低亚层,各亚层能量由低到高排列如下:
1s,2s,2p,3s,3p,4s,3d,4p,5s,4d,5p,6s,4f,5d,6p,7s,5f 补充一点:根据能量最低原理,电子通常总是先填充能量低的亚层(懂了这个你就知道为什么有时第三层,就是M层有时没有填满,电子就去添下一层N层了吧,如钙,3s和3p都填满了,但是没填3d,就去填4s)
③:如果你想更了解关于电子亚层的知识,可以再了解一下:能量最低原理,洪特原理,保里不相容原理,洪特特例,如下:一、原子核外电子排布的原理处于稳定状态的原子,核外电子将尽可能地按能量最低原理排布,另外,由于电子不可能都挤在一起,它们还要遵守保里不相容原理和洪特规则,一般而言,在这三条规则的指导下,可以推导出元素原子的核外电子排布情况,在中学阶段要求的前36号元素里,没有例外的情况发生。 1.最低能量原理电子在原子核外排布时,要尽可能使电子的能量最低。怎样才能使电子的能量最低呢?比方说,我们站在地面上,不会觉得有什么危险;如果我们站在20层楼的顶上,再往下看时我们心理感到害怕。这是因为物体在越高处具有的势能越高,物体总有从高处往低处的一种趋势,就像自由落体一样,我们从来没有见过物体会自动从地面上升到空中,物体要从地面到空中,必须要有外加力的作用。电子本身就是一种物质,也具有同样的性质,即它在一般情况下总想处于一种较为安全(或稳定)的一种状态(基态),也就是能量最低时的状态。当有外加作用时,电子也是可以吸收能量到能量较高的状态(激发态),但是它总有时时刻刻想回到基态的趋势。一般来说,离核较近的电子具有较低的能量,随着电子层数的增加,电子的能量越来越大;同一层中,各亚层的能量是按s、p、d、f的次序增高的。这两种作用的总结果可以得出电子在原子核外排布时遵守下列次序:1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p…… 2.保里不相容原理我们已经知道,一个电子的运动状态要从4个方面来进行描述,即它所处的电子层、电子亚层、电子云的伸展方向以及电子的自旋方向。在同一个原子中没有也不可能有运动状态完全相同的两个电子存在,这就是保里不相容原理所告诉大家的。根据这个规则,如果两个电子处于同一轨道,那么,这两个电子的自旋方向必定相反。也就是说,每一个轨道中只能容纳两个自旋方向相反的电子。这一点好像我们坐电梯,每个人相当于一个电子,每一个电梯相当于一个轨道,假设电梯足够小,每一个电梯最多只能同时供两个人乘坐,而且乘坐时必须一个人头朝上,另一个人倒立着(为了充分利用空间)。根据保里不相容原理,我们得知:s亚层只有1个轨道,可以容纳两个自旋相反的电子;p亚层有3个轨道,总共可以容纳6个电子;f亚层有5个轨道,总共可以容纳10个电子。我们还得知:第一电子层(K层)中只有1s亚层,最多容纳两个电子;第二电子层(L层)中包括2s和2p两个亚层,总共可以容纳8个电子;第3电子层(M层)中包括3s、3p、3d三个亚层,总共可以容纳18个电子……第n层总共可以容纳2n2个电子。 3.洪特规则从光谱实验结果总结出来的洪特规则有两方面的含义:一是电子在原子核外排布时,将尽可能分占不同的轨道,且自旋平行;洪特规则的第二个含义是对于同一个电子亚层,当电子排布处于全满(s2、p6、d10、f14)半满(s1、p3、d5、f7)全空(s0、p0、d0、f0)时比较稳定。这类似于我们坐电梯的情况中,要么电梯是空的,要么电梯里都有一个人,要么电梯里都挤满了两个人,大家都觉得比较均等,谁也不抱怨谁;如果有的电梯里挤满了两个人,而有的电梯里只有一个人,或有的电梯里有一个人,而有的电梯里没有人,则必然有人产生抱怨情绪,我们称之为不稳定状态。二、核外电子排布的方法对于某元素原子的核外电子排布情况,先确定该原子的核外电子数(即原子序数、质子数、核电荷数),如24号元素铬,其原子核外总共有24个电子,然后将这24个电子从能量最低的1s亚层依次往能量较高的亚层上排布,只有前面的亚层填满后,才去填充后面的亚层,每一个亚层上最多能够排布的电子数为:s亚层2个,p亚层6个,d亚层10个,f亚层14个。最外层电子到底怎样排布,还要参考洪特规则,如24号元素铬的24个核外电子依次排列为 1s22s22p63s23p64s23d4根据洪特规则,d亚层处于半充满时较为稳定,故其排布式应为:1s22s22p63s23p64s13d5 最后,按照人们的习惯“每一个电子层不分隔开来”,改写成1s22s22p63s23p63d54s1即可。三、核外电子排布在中学化学中的应用 1.原子的核外电子排布与轨道表示式、原子结构示意图的关系:原子的核外电子排布式与轨道表示式描述的内容是完全相同的,相对而言,轨道表示式要更加详细一些,它既能明确表示出原子的核外电子排布在哪些电子层、电子亚层上, 还能表示出这些电子是处于自旋相同还是自旋相反的状态,而核外电子排布式不具备后一项功能。原子结构示意图中可以看出电子在原子核外分层排布的情况,但它并没有指明电子分布在哪些亚层上,也没有指明每个电子的自旋情况,其优点在于可以直接看出原子的核电荷数(或核外电子总数)。 2.原子的核外电子排布与元素周期律的关系在原子里,原子核位于整个原子的中心,电子在核外绕核作高速运动,因为电子在离核不同的区域中运动,我们可以看作电子是在核外分层排布的。按核外电子排布的3条原则将所有原子的核外电子排布在该原子核的周围,发现核外电子排布遵守下列规律:原子核外的电子尽可能分布在能量较低的电子层上(离核较近);若电子层数是n,这层的电子数目最多是2n2个;无论是第几层,如果作为最外电子层时,那么这层的电子数不能超过8个,如果作为倒数第二层(次外层),那么这层的电子数便不能超过18个。这一结果决定了元素原子核外电子排布的周期性变化规律,按最外层电子排布相同进行归类,将周期表中同一列的元素划分为一族;按核外电子排布的周期性变化来进行划分周期如第一周期中含有的元素种类数为2,是由1s1~2决定的第二周期中含有的元素种类数为8,是由2s1~22p0~6决定的第三周期中含有的元素种类数为8,是由3s1~23p0~6决定的第四周期中元素的种类数为18,是由4s1~23d0~104p0~6决定的。由此可见,元素原子核外电子排布的规律是元素周期表划分的主要依据,是元素性质周期性变化的根本所在。对于同族元素而言,从上至下,随着电子层数增加,原子半径越来越大,原子核对最外层电子的吸引力越来越小,最外层电子越来越容易失去,即金属性越来越强;对于同周期元素而言,随着核电荷数的增加,原子核对外层电子的吸引力越来越强,使原子半径逐渐减小,金属性越来越差,非金属性越来越强。 3.元素原子的核外电子排布与元素的化学性质元素的化学性质直接决定于该元素原子的核外电子排布情况,如碱金属元素的最外层电子结构可表示为ns1,说明碱金属元素一般容易失去最外层的1个电子(价电子),变成正一价的阳离子,从而形成惰性气体的稳定结构(此性质即强还原性);而卤素的最外层电子结构可表示为ns2np5,说明卤素在一般情况下很容易得到1个电子,变成负1价的阴离子,从而形成惰性气体的稳定结构(此性质即强氧化性),当然,它们也可以失去最外层的价电子而呈现出+1、+3、+5、+7等价态。对于同一族元素而言,随着电子层数的增加,金属性越来越强,非金属性越来越弱,这也取决于元素原子的核外电子排布情况。有了这些理论知识作指导(如下式所示),我们可以理解和推测元素的化学性质及其变化规律,从而大大减轻我们的记忆量。

网络防雷设备SPD简介

常用的SPD响应时间开关型(SG)的为100nS,限压型(MOV)为25nS低压系统的第一级SPD要保护的大多是电磁型设备,这些设备对浪涌不敏感,因此无论是SG、MOV的响应时间是可以达到保护的目的。

如贴近设备安装的SPD,被保护的设备是电子设备或通信系统。例如设备的半导体组件对浪涌的响应时间为10nS或更小,对浪涌非常敏感,虽然SPD的Up满足要求,而tA太长,SPD还来不急放电,被保护的设备已被损坏。所以保护电子设备和通信线路SPD的响应时间tA要小于或等于被保护设备的响应时间。通常SG、MOV的SPD只用于低压供电线路中。贴近电子设备在信号线路中的SPD应选取tA更小的TVS或其他半导体抑制器件(例如雪崩二极管SAS)。

SPD的响应时间在级间配合中也很重要,现有很多标准规定第一级开关型SPD与第二级限压型SPD的间距大于10m(其原因取决于浪涌在低压线路的传播速度15×108m/s两级tA的时间差75ns)来保证在浪涌传到第二级之前第一级必须导通放电,否则第二级将承受全部的浪涌。

目前厂商为了降低Up值,生产了电子点火的开关型SPD,Up可小于1KV,但tA为1μS也就是说浪涌加至SPD点到SPD响应浪涌而开启的1μS的时间内,浪涌已在线路中向下游传了150m150m之内的第二级SPD等和被保护设备就要承受这个浪涌。因此,tA是SPD选择时的一个重要参数,特别是在信号线路中更为关键。

通信线路中SPD的选择还应考虑工作电压,最大持续工作电压,传输速率、插入损耗、驻波比、相移和接口形式等因素。

1SPD的安装

为了保护被保护设备,不但要选择适当的SPD还取决于合理的安装。

11SPD的安装位置

第一级SPD应安装在外线进入建筑物的入口处(LPZ的界面)将浪涌电流在界面处泄放入大地,该SPD能保护建筑物内的所有设备,会降低成本。

SPD贴近被保护设备安装,这样保护效果好,每个设备都装SPD成本会提高。

在第一级SPD与贴近设备安装的SPD之间是否安装SPD取决于能量配合、线路长度和电磁环境。

12振荡保护距离lpo

当SPD与被保护设备间线路太长,传播中浪涌会产生振荡。最严酷时设备终端过电压为2Up2Up可能会大于Uw为了使设备终端过电压仍小于Uw就要限制SPD到设备间线路最大的长度,这个长度就是振荡保护距离lpo

当Upf

当Upf>Uw/2时,lpo=〔Uw-Upf〕/K(m);其中K=25(V/m)

2感应保护距离

在雷击时LEMP的磁场会在SPD与被保护设备构成的回路内感应过电压,感应的过电压和Up之和可能会大于Uw感应保护距离lpi是SPD与被保护设备间的最大长度,保证其感应过电压加上Up小于设备的Uw

当建筑物的第一层屏蔽即做LPS的引下线又做LEMP防护的栅格时,建筑物电磁环境极为严酷,必须考虑lpi

lpi可以用下列公式估算:

lpi=〔Uw-Upf〕/h(m)

h=300K1×K2×K3(V/m)雷击建筑物附近(S2);

h=30000K0×K2×K3(V/m)雷击中建筑物(S1);

K1:LPZ0-LPZ1界面LPS或其他空间屏蔽;

K2:LPZ1-LPZ2或更高界面的空间屏蔽;

K3:内部布线的特性;

K0:LPZ0-LPZ1界面LPS屏蔽;

K0=05×W05,W为栅格宽度;

K0=Kc无栅格时:Kc分流系统。

从上式可知,雷击建筑物附近时lpi要比雷击建筑物长的多。因此,建筑物采用分离的外部LPS要比建筑物的LPS与屏蔽栅格共用自然构件(如钢筋)在雷击时建筑物内的电磁环境要好的多。当建筑物和线路有很好的屏蔽就可以不考虑感应保护距离lpi

3SPD的协调配合

在一条线路上级联安装两个以上的'SPD时,应根据各个SPD的能量吸收能力共同分担施加在它们上面的能量。

通常每一级用的SPD都是单端口的,即SPD与被保护设备并联,一个端口将输入与输出分开。单端口SPD又称无串联阻抗的SPD使用单端口SPD系统便于维修。

级联安装时级间配合必须根据各个SPD特性,承受的电荷和位置来确定,这些工作大多基于实际经验、软件和实验分析,目前缺乏明了的现场分析和量化估算公式。

采用两端口多级集成的SPD(IMP)――即SPD有两组输入和输出端子,在这些端子之间有特殊的串联阻抗。

多级集成的SPD是级联的SPD与串联阻抗在内部协调配合好的,可以保证输出到被保护设备的能量最小并且响应速度快。多级集成的两端口SPD紧贴被保护设备安装特别适用于重要设备的保护和信号线路。使两端口SPD因与负载串联连接,所以SPD需要承受满负荷电流……

4SPD的自保护和后保护

为了保护设备,SPD与设备并联组成一个系统,系统中增加了SPD就增加了一个单元。如SPD是开路故障则对系统无影响,如SPD是短路故障,那么,从功能逻辑上SPD是系统中的一个串联单元,在串连系统中SPD单元故障系统就故障。所以应尽量避免SPD发生短路故障。

SPD自保护:在低压系统中为了防止SPD发生短路故障,SPD器件本身应具有热脱扣装置。当电压波动或SPD劣化时,SPD电流增大而发热,当达到1200C时,热脱扣装置动作,使SPD器件开路保护系统正常运行,这就是自保护。

SPD后保护:在SPD通道串连后保护器件,后保护器件可用熔断器或断路器。这些后保护器件在低于SPD标称放电电流(In)时不动作,只有当通过的浪涌大于Imax或SPD短路后工频电流通过时才启动。

后保护器件熔断器和断路器不同点是两端实际限制电压Upf相差很大。

例如:当In=20KA,Imax=40KA时——串联RT14-63熔断器,在198KA电流(8/20μS)冲击时,测得Upf为2674V;串联DZ47-63熔断器,在1829KA(8/20μS)电流冲击时,测得Upf为5014V串联断路器之所以限制电压高是因为断路器的电感线圈产生的压降所致。串联断路器限制电压高于串联熔断器的电压,这样就影响了SPD的限压效果,甚至会损坏被保护设备。

使用断路器 *** 作方便,断路器适用于对瞬态过电压不敏感被保护设备,否则应用熔断器做后保护。

5SPD的引线

为了进一步减小熔断器与SPD串联的引线感抗的压降,可将熔断器与SPD二合一,减少安装时线路盘绕,使电感量下降,输出的限制电压Upf也会下降。例如:设引线长度减少50cm,di/dt为1KA/μS,导线电感为1μH/m,则压降就会降低500伏。

为了减小引线产生的压降,一般要求连接SPD引线总长度小于50cm,减小压降的办法可采用凯文(Kelvin)接线法即V字形接线。

SPD输入端前和SPD接地的导线是通过浪涌电流的线称为“脏”线,SPD输出端后的导线称为“净”线。安装时应尽量使“净”线与“脏”线远离,将“脏”线穿铁管屏蔽也是很好的办法。

在雷电防护中,SPD的应用是最受关注的,SPD的选择和安装应由被保护设备的使用技术人员综合考虑,应把SPD当作被保护设备的一个组件。

;


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/10541035.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-05-09
下一篇 2023-05-09

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存