新器件引入了灵活性更高的主动波形整形 (AWS)改进技术,可以简化射频输出调整过程,方便优化过冲和下冲问题。射频调整 *** 作非常容易,先在支持的图形界面软件上修改寄存器设置,然后再用示波器进行快速验证。这项技术简化了EMVCo 3.1a和NFC Forum CR13规范认证,而无需处理天线匹配问题。
ST25R3916B 和ST25R3917B可提供高达 1.6W 的射频输出功率,并能高效直接驱动天线。动态功率输出 (DPO)调整技术让设计人员能够将辐射功率控制在 EMVCo 和 NFC Forum规范定义的上下限内。
ST25R3916B/17B 整合高抗噪输入结构和意法半导体专有噪声抑制接收器(NSR),具有很高的抗干扰能力,防止附近的电源、POS终端等设备干扰芯片工作。对辐射噪声和传导噪声,这两款器件都也有很强的防干扰能力。
现已可以从意法半导体电子商城 ST eStore申请ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT的免费样片,新产品采用 32 引脚 VFQFPN 5mm x 5mm x 1mm 封装和 36焊球晶圆级芯片封装 (WLCSP) 。
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