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该产品主要针对商用EMC测试IEC 61000-4-3 标准(覆盖频率范围为80MHz至1GHz)。据悉,新产品放大器采用了第三代宽带隙GaN晶体管技术,与现有的来自IFI、TESEQ、AR、 PRANA和BONN的放大器相比,新产品的技术具有领先性,在同一封装内,功率可比上一代Si LDMOS、GaAs技术高10~20倍,可靠性提高20倍,寿命达到100万小时;放大器具有250W、400W和750W 三种不同的P1dB输出功率,可用在3U、7U和15U机箱中;放大器c.XJR2~0设计采用了出色可靠的CSA拓扑结构,支持从250W到750W 的轻松升级,具有可扩展、便于功率和频率升级等特点。
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