尔必达40纳米制程正式对战美光

尔必达40纳米制程正式对战美光

一度缺席全球DRAM产业50纳米制程大战的尔必达(Elpida)，随著美光(Micron)2010年加入50纳米制程，尔必达状况更显得困窘，在经过近1年卧薪尝胆后，尔必达2010年开春终于宣布，40纳米6F2制程技术已于广岛厂顺利完成试产，良率水平优于预期，确定2010年可一举进入40纳米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新台币120亿元，就可将旗下8万片12寸晶圆厂全数转到40纳米制程，与美光及南亚科、华亚科阵营对战烟硝味浓厚。

　　DRAM产业在50纳米制程是重要分水岭，除技术难度外，1台动辄逾新台币10亿元的机台设备，更让甫从金融风暴深渊爬出来的 DRAM厂傻眼，2009年真正转进50纳米制程的DRAM厂，仅有三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，美光2010年才要大量转进，全球4大DRAM阵营中，只有尔必达没有打算转进50纳米制程。

　　存储器业者指出，其实尔必达2009年就向设备厂预订机台，但因资金缺乏而一路延宕，最后尔必达决定跳过50纳米，一举转进40纳米制程，才有胜过竞争对手的机会，经过近1年卧薪尝胆，尔必达2010年开春终于宣布，40纳米制程技术于2009年底在广岛厂试产相当顺利，良率优于预期，确定2010年可一举进入40纳米世代，大吐一口闷气。

　　尔必达旗下子公司瑞晶亦把40纳米制程列为2010年积极导入重点，瑞晶旗下12寸晶圆厂全数将转到 40纳米制程，预计资本支出约新台币120亿元。瑞晶总经理陈正坤表示，穷人家小孩有自己生存之道，母公司给一笔钱协助公司成立后，其它营运花费都要自己想办法，因此，必须将现有产能和设备效益极大化。

　　随著尔必达40纳米制程2010年量产，与正大量转进50纳米制程的美光阵营，烟硝味越来越浓厚，尤其2阵营2009年在全球DRAM市占率差距仅几个百分点，竞争相当激烈，下世代制程技术攸关整个阵营胜负关键。

　　DRAM 业者认为，美光50纳米制程已准备多时，2010年上半便可逐渐量产，在时间点上可抢得先机，而南亚科和华亚科除要由70纳米转至50纳米制程，还面临沟槽式转至堆叠式制程挑战，在转换制程过程中，花费自然会增加，不过，美光阵营40纳米技术将紧接著量产，届时与50奈制程同时量产，可拥有最佳成本效益的优势。