BluGlass通过RPCVD技术减少GaN膜生长杂质

　　电子发烧友网讯 [翻译/Joyce] 澳大利亚的BluGlass公司声称使用他们的低温远程等离子体化学气相沉积（RPCVD）技术可以产生理想纯度的氮化镓（GaN）。该公司说，他们的RPCVD技术可以产生低含量的碳、氢和氧杂质的氮化镓，其杂质含量程度可以与金属有机物气相沉积的GaN层相媲美。

　　知名且独立的材料特性公司Evans AnalyTIcal Group采用了二次离子光谱学予以证明，BluGlass的技术可以将碳、氢和氧杂质的水平控制在每立方厘米为1*1017个原子以下。

　　现在BluGlass计划对p-GaN层进行优化，并将RPCVD的优点介绍给顾客，包括该技术跟传统的MOCVD 相比所获得的LED设备效率的提高。

　　BluGlass的CEO Giles Bourne说：“这一成果对于我们公司来说是一个突破，也是给业界和未来顾客证明我们技术实力的关键一步。众所周知，碳和氧抑制了RPCVD技术的障碍，所以这两种杂质的降低将是一个重要的发现。“