武汉新芯上马，中国存储的救世主？

　　昨日，总投资240亿美元的武汉新芯半导体厂正式动工，据官方预测，工厂建成后，产能预计会达到每月产能100万片。按照投资方的说法，他们的目标就是做行业龙头。这种语气和近年来在半导体行业“买买买”的紫光集团如出一辙。

　　据武汉新芯发言人称，240亿美元的投资将分三个阶段部署，第一家工厂专注NAND闪存生产，第二家工厂专注DRAM芯片生产，第三个阶段的设施将专为供应商服务。武汉新芯和Spansion去年在建立合作关系的联合声明中称，首批产品将于2017年上市销售。

　　新芯的出现，对于国内半导体行业，对于国内的DRAM产业来说，意味着什么？我们从NAND FLASH和DRAM的全球市场现状和存储的中国布局入手，一窥当中的玄机。

　　存储产业的全球现状

　　开始谈这个之前，我们先厘清一下NAND FLASH和DRAM的定义。

　　NAND FLASH

　　Nand Flash是Flash的一种技术规格，基本存储单元是页（Page），NAND Flash的页类似硬盘的磁区，硬盘的1个磁区也为512位元组，而每页的有效容量是512位元组的倍数。所谓的有效容量是指用于资料存储的部分，实际上还要加上16位元组的校验资讯，因此用（512+16）Byte表示。这类型产品被广泛应用在手机、电脑、物联网和各种需要存储数据的设备上。

　　目前的NAND Flash市场以SLC和MLC储存为主，SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以1次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度，且可利用老旧的生产程备来提高产品的容量，拥有成本与良率的优势，与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大，但寿命较短、存取速度较慢及高能耗等缺点。

　　另外还有一个TLC，即为1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较便宜。TLC于2009年开发出来，到2010年第1季东芝和新帝开始销售，到2010年3月三星也开始销售，制程技术还在持续改进中。TLC成本比较低，但读写次数为三者最少，寿命最短。

　　根据TrendForce 旗下记闪存事业部 DRAMeXchange 最新调查显示，2015年NAND Flash整体产业规模提升至266亿美元，年成长9%。预计2016年NAND Flash市场供应量将增长35%达1100亿GB当量，这也将加速NAND Flash价格快速下滑，再加上全球经济景气不明等影响，NAND Flash市场销售额恐不乐观。

　　单单中国市场，根据DRAMeXchange预估，2015年中国内需市场在NAND的总消化量换算产值高达66.7亿美元，占全球产值的29.1%。当中大部分是来自国外的供应商。

　　目前市场上的主要NAND供应商分别是三星、东芝、闪迪、美光、海力士、英特尔，国内厂商在这块庞大的市场上基本上是一片空白。

NAND Flash市场分析

　　而NAND Flash的制造工艺也从2D向3D演进。

NAND工艺演进

　　与2D工艺相比，3D技术具有更高的速度，更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量，但三星32层TLC 3D NAND成本仅介于2D 19nm TLC与16nm TLC之间，缺乏竞争力。2016年3D技术进入48层256Gb TLC NAND，再加上Flash原厂3D NAND投产竞争下，3D技术将越来越有成本优势，预计2016年底3D NAND市场占有率将达20%，2018年将提高到45%，逐渐成为NAND Flash主流。

　　DRAM

　　DRAM的基本架构，是运用两个电路元件（一个竟日管及一个电容器）构成一个记忆细胞，以记忆细胞内电容的带电荷状态储存一位元的资料。

　　DRAM架构中使用到电容器，而电容器会自动放电，所以必须另外设计一个电路经常性的检查电容器上的电压，并经常充电或放电以免资料遗失，这就是”记忆体更新”的动作，因DRAM 须不断做记忆体更新的动作，所以又称为”动态”随机存取。