三星紧急召回18nm制程存储模组 或因产品良率出问题

三星紧急召回18nm制程存储模组 或因产品良率出问题,第1张

自Galaxy Note 7 电池爆炸事件与管理层级涉及行贿被起诉后,三星近日又被传出其产业重心记忆体模组产品良率出问题需紧急召回,由于三星于 PC DRAM 市占过半,这次良率出问题除了可能让三星集团的处境雪上加霜外,也会让价格已上扬的 PC DRAM 价格再度飙高。

三星近来状况频传,在 Galaxy Note 7 电池出包与管理层级涉及行贿被起诉后,近日业界又传出其产业重心记忆体模组产品良率出问题需紧急召回,由于三星于 PC DRAM 市占过半,这次良率出问题除了可能让三星集团的处境雪上加霜外,也会让价格已上扬的 PC DRAM 价格再度飙高。

近来市场中得知三星自 2 月中旬陆续召回部分序号的 18nm 制程的记忆体模组,因这批 18nm 制程的 PC 记忆体,在部分组装场中装机测试后发现会导致系统出错出现蓝色荧幕(blue screen)当机,这也让三星不得不主动召回相关的记忆体模组。

此次出问题的为 18nm 制程的 8Gb PC 记忆体颗粒,可用来生产 4GB 与 8GB 的记忆体模组,此次召回名单多为一线 PC-OEM 厂商居多,就目前得知包含华硕(ASUS)、惠普(HP)、联想(Lenovo)、戴尔(Dell)等个人电脑品牌均受牵连,需召回的总数达到十万组记忆体模组以上,而且总数与受影响的品牌可能会持续扩大。由于 PC 记忆体短缺,因此部分采用此批次记忆体的产品可能已出货到市面,可能让回收成本与难度增加不少。

根据相关厂商表示,初期原厂仅告知部分制程发生问题,导致这批 18nm 记忆体模组有产品不良的现象,不过事隔二周在代工厂中又有相同情形,安装的同样是 18nm 的记忆体,因此不太可能为单纯生产过程中偶发事件。

业内人士也分析,由于先前 PC DRAM 的成本压力下,三星积极把 PC 记忆体转进至 18 奈米制程,如此一来生产成本的竞争优势才能拉大,方能维持获利,后来又逢记忆体价格上涨与缺货,让三星不得不加快脚步供货,因此极有可能在这个时程压缩, *** 之过急下,让整个产品产生设计上的瑕疵,造成此一状况。

由于 18 奈米制程的产品占三星半导体的 20% 产值,此次产品出问题的层面如再继续扩大,对近来受 Galaxy Note 7 手机业务影响的三星可能蒙受更大损失,也让外界对其产品可靠度再次失去信心,这也是此次三星为何迅速秘密召回的主因。

由于三星记忆体市占几近半数,在这波记忆体模组供货短缺价格上扬的情况下,三星记忆体召回若持续扩大,记忆体模组的价格可能会再次拉高,而其他记忆体厂商也可能因此得利。

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