51单片机P1口的结构及应用方法介绍

从P1口的结构上可以看出，P1口输出驱动部分与P0口不同，内部有上拉负载与电源相连。实质上电阻是两个场效应管FET并在一起，一个FET为负载管，其电阻固定;另一个FET可工作在导通或截止两种状态，使其总电阻值变化近为0或阻值很大两种情况。当阻值近似为0时，可将引脚快速上拉至高电平，当阻值很大时，P1口为高阻输入状态。当P1口输出高电平时，能向外提供拉电流负载，所以不必再接上拉电阻。在端口用作输入时，也必须先向对应的锁存器写入“1”，使FET截止。由于片内负载电阻较大，约20-40K欧。所以不会对输入的数据产生影响。