三星首次开发出第三代10nm级DRAM高级存储器

三星首次开发出第三代10nm级DRAM高级存储器,第1张

(文章来源:DeepTech深科技)

三星电子有限公司(Samsung Electronics)在其官网上发布消息,该公司正式宣布,首次开发了第三代 10nm 制程工艺(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。

自开始批量生产第二代 10nm 级 8Gb DDR4 以来仅仅 16 个月,就得到了突破性进展,开发出 1z-nm 8Gb DDR4,而不使用 Extreme Ultra-Violet(EUV)处理,突破了 DRAM 存储器扩展的极限。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jung-Bae-Lee 表示:“我们致力于突破技术领域的最大挑战,推动实现更大的创新。很高兴能再次为稳定生产下一代 DRAM奠 定基础,确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出 10nm 级别的制程工艺(1z-nm)的 DRAM 系列产品。未来,三星将继续致力于支持其全球客户部署尖端系统,并推动高端内存市场的增长,为重要目标。”

上面多次提到的 DRAM,中文名叫动态随机存取存储器,这是一种随机存取的半导体存储记忆器,它将每一位数据存储在集成电路内的单独的微小电容器中。DRAM 的主要作用原理,是利用电容内储存电荷的比特值,代表一个二进制位元(bit)是1还是0。

由于在现实中,电晶体会有漏电电流的现象,导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别资料,而导致资料毁损。因此,通过 DRAM 进行充电是一个无可避免的事情。这种产品的必要性和技术性,是非常高的,也是存储芯片中最值得关注的点。

DRAM 广泛用于需要低成本和高容量存储器的数字电子设备中。最典型的是在 RAM 中内置。与大部分的随机存取记忆体(RAM)一样,由于存在 DRAM 中的资料会在电力切断以后很快消失,因此它属于一种挥发性记忆体(volaTIle memory)设备,没有长期的记忆保存。

据悉,三星开发的 10nm 级别的(1z-nm)DRAM,将为整个行业的技术改进做出了巨大的贡献,也为下一代 DRAM 接口(如 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6)过渡铺平了道路,这些接口将推动未来的数字创新。

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