华丽转三星Galaxy S9首次曝光,高通骁龙845,7nm工艺首发

华丽转三星Galaxy S9首次曝光,高通骁龙845,7nm工艺首发,第1张

  Galaxy S8这才发布没几天,刚刚开始发售,韩国媒体就开始报道下一代旗舰了,也就是Galaxy S9。据报道,高通三星已经展开合作,为新旗舰研发新的移动处理器

  韩国媒体表示,三星已经同高通达成共识,三星Galaxy S系列的下一代旗舰智能手机,也就是Galaxy S9,其将搭载高通最新移动芯片,该芯片将被命名为Snapdragon 845。

  针对这款高通骁龙845,目前还没有太多信息泄露,不过据说该芯片将会采用三星第二代10nm芯片制造技术,号称比第一代性能可提升10%,功耗可降低15%;另外一种说法是很可能使用7nm工艺制造。

  

  Galaxy S8依然是双处理器战略,一边是高通骁龙835,一边是三星Exynos 8895,都首次使用了新的10nm FinFET工艺,而且从架构到规格都有大幅度提升,从而带来了更佳的性能和能耗比。

  至于这个新的S9处理器,自然应该是下一代旗舰级骁龙,但具体情况一无所知,可能是骁龙835的小改款,也可能是又一次飞跃。

  命名就更没法猜了,高通已经彻底学坏(三星一直很坏),产品型号相当的任性,下一代叫骁龙840、骁龙845都不好说。

  不过有一点基本可以肯定,那就是制造工艺,几乎肯定是三星刚刚宣布的第二代10nm,号称比第一代性能可提升10%,功耗可降低15%。

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原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/2554532.html

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