22纳米3D晶体管技术

　　Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破，沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构，一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。

　　3D Tri-Gate晶体管使用了一个微薄的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，使得晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流，同时在晶体管关闭状态(节能)时将电流降至几乎为零，并能在两种状态之间极速切换。这种高效支持发展的速度能让摩尔定律延续数年，促进处理器性能大幅提升，并且可以更节能，而一款代号为Ivy Bridge的22纳米处理器将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。该处理器不仅可以用在电脑、手机和消费电子产品上，还可以用在汽车、宇宙飞船、家用电器、医疗设备和云计算服务器上。3D Tri-Gate晶体管架构能够有效提高单位面积内的晶体管数量，非常适合轻薄著称的移动设备，它将取代CPU领域现有的2D架构，手机和消费电子等移动领域都将应用这一技术。

　　摩尔定律

　　硅技术的发展使得每2年晶体管密度就会翻倍，伴随性能增加与成本降低。这已是半导体产业的基本商业模式。

　　性能和能耗大幅改进

　　在低电压条件下22纳米的3D Tri-Gate晶体管比Intel32纳米平面晶体管性能提高37%，同等条件下其耗电量也不及后者的一半，这意味着它能用在许多小的手持设备中。

　　给ARM构成威胁

　　Intel推出的新芯片技术，在微处理器装上更多的晶体管，并希望借此掌握平板、智能手机市场的话语权。