无线基础设施成砷化镓集成电路市场

　　根据市场战略研究公司Strategy AnalyTIcs分析：全球无线网络基础设施中使用砷化镓(GaAs)半导体的市场预计将增长，从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。

　　随着移动数据消费的持续猛增，运营商正在改进其无线基础设施网络架构，以支持日益增长的数据需求，根据Strategy AnalyTIcs公司(波士顿)报告。该公司的最新报告关于砷化镓和复合半导体市场的预测，像多输入/多输出(MIMO)天线，异构网络，远程无线和小 单元的发展将增加基地站部门的数量，但需要从每个部门减少发射功率。这两个趋势将为砷化镓器件带来始终如一的增长率，根据Strategy AnalyTIcs报告。

　　在Strategy AnalyTIcs的战略技术实践董事，Asif Anwa在一份声明中说：“4G技术，如LTE，正在迫使网络演变到大量的低功耗的基础设施部门，这将增加GaAs放大器的机会。”

　　Strategy Analytics的报告预测，基站部门的出货量将增加至略多于920万到2015年。这些部门的一半以上将用于低功耗，小单元，据预测。

　　“移动数据消费正在迅速推动无线基础设施市场的一个转折点，”Eric Higham，Strategy Analytics的GaAs和化合物半导体技术服务总监，在一份声明中说。“运营商实现的网络依赖更小，功耗更低的电池足迹，确保消费者继续欢迎数据应 用。这种架构扩展砷化镓元件的机会。”

　　该报告还详细介绍了天线，功率放大器，低噪声放大器，收发器和前端组件的历史和最新发展趋势，Strategy Analytics表示。它还按功能和技术将无线基础设施放大器市场分段，按照地理，频率和输出功率预测基站部门数量，根据公司报告。