Intel大连工厂投产:造世界最先进3D NAND!

Intel大连工厂投产:造世界最先进3D NAND!,第1张

  经过8个多月的努力,英特尔大连非易失性存储(NVRAM)制造新项目7月初在大连实现提前投产。

  去年10月,英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂,该项目是迄今为止英特尔在中国的最大一笔投资。

  新项目的存储产品是新的3D NAND存储产品,是世界上还没有人采用过的最先进技术,按照三维结构来制造存储单元。

  关于Intel 3D XPoint,最早发表于去年8月的IDF大会,这是一种基于电阻的非易失性内存存储方案,应用代表包括基于该技术的Optane固态硬盘、DIMM内存条等,前者比传统固态硬盘快足足5-7倍,后者号称可比传统DDR内存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本。

  另外,Intel 200系新主板也将开始支持Optane固态硬盘。

  据了解,英特尔大连工厂是英特尔在亚洲的唯一的晶圆制造工厂。

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/2681589.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-15
下一篇 2022-08-15

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存