SK海力士与三星都着手研发喷雾式EMI遮蔽技术降低成本

SK海力士（SK Hynix）正对喷雾式电磁波干扰（ElectromagneTIc Interference；EMI）遮蔽（Shielding）技术量产可能性进行评估，有望接手过去委外进行的EMI遮蔽制程，着手研发喷雾式的EMI遮蔽技术，期望达成降低生产成本与提高产量的目标。

据韩媒ET News报导，SK海力士未来技术研究院首席李弼秀（音译），日前于首尔出席ET News与南韩半导体研究协会共同主办的“半导体尖端封装技术研讨会”，并在其间发表上述消息。

半导体晶片过去以屏蔽罩方式阻断EMI，近来随着半导体晶片性能提高，渐走向个别晶片均需EMI遮蔽处理，如此可预防晶片间电磁干扰引发的异常动作，电路板也可设计得更加精密，晶片间距缩小后多出来的空间，可用于扩充电池容量，延长产品待机时间，然而增加新制程将会提高主要晶片生产成本。

苹果（Apple）相当早就尝试，将iPhone里搭载的个别半导体一一进行封装后，试图增加EMI遮蔽制程。2016年上市的Google Pixel手机，其无线区域网路晶片据说也采用EMI屏蔽处理，李弼秀认为，将个别半导体晶片进行EMI遮蔽的需求将会持续增加。

截至目前为止，EMI遮蔽多采溅镀（Sputtering）方式，将超薄金属遮蔽材料覆盖表面。溅镀机是将材料利用物理方式，在目标表面选择性蒸镀1层均匀薄膜，但溅镀方式处理速度不快。由于记忆体多需大量供给，因此业者纷纷考虑改采喷雾式EMI遮蔽技术。

喷雾式EMI遮蔽为台湾日月光集团持有的核心专利，这也是三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士考虑自行研发喷雾式EMI遮蔽技术的主因。

SK海力士与Ntrium、Duksan Hi-Metal共同开发液体（Ink）型态EMI遮蔽物质，目前正在实验量产的可能性；另一方面，三星也从2016年初便开始与韩华化学（Hanwha Chemical）合作，开发液体型态EMI遮蔽物质，韩华则以银与奈米碳管（CNT）进行合成。若南韩记忆体业者有能力直接进行EMI遮蔽制程，势必将影响日月光EMI遮蔽制程的工作量。

李弼秀最后表示，在记忆体领域中，EMI遮蔽需求虽然提高，但溅镀方式也会随着供给改变而有不同。SK海力士一旦结束实验并且投入量产，势必会尽量满足市场的需求。

然而报导指出，三星与韩华检视液体型态EMI遮蔽物质制程产出成果，发现银与CNT仍无法均匀混和，不能做为喷雾使用，因此做出难以进入商用化的结论，导致自主研发喷雾方式的计划无法如期进行。

由于韩华的研发进度受阻，三星重新将研发计划外包给其他业者，如三星SDI（Samsung SDI）电子材料事业部、国外材料业者等，希望能赶上2017年下半的苹果订单。但三星评估时程恐有延迟，只好决定将2017年苹果iPhone的NAND Flash记忆体EMI遮蔽制程，委托台厂先以溅镀方式进行。

南韩业界消息指出，最近三星半导体事业部已与台湾封装业者达成协议，三星将委托台厂进行NAND Flash晶片的EMI遮蔽作业。台厂在取得三星已封装完成的256GB NAND Flash后，以溅镀方式进行EMI遮蔽。

南韩业界相关人士表示，三星开发液体EMI遮蔽物质受阻后，又由于溅镀机台价格下跌，三星内部传出不同意见，质疑是否一定得用喷雾式制程进行EMI遮蔽。但若三星决定导入溅镀式EMI遮蔽，则可能会与委外的封装业者发生专利纠纷。

目前三星虽然遭遇遮蔽原料问题，但就算成功开发出可用来喷雾的EMI遮蔽物质，喷雾式制程良率不及干式制程，用在大量生产时也会有良率问题。