高通四代超快充Quick Charge 4面世，INOV算法快无止境！

　　高通周四在一次发布会上首次推出了第四代超快速充电技术 - Quick Charge 4。它将于2017年上半年应用到智能手机新产品当中。高通公司产品管理高级总监Everett Roach在Snapdragon技术峰会上表示，Quick Charge 4仅需充电5分钟将就可以提供长达5小时的电池寿命，Quick Charge 4充电功能将集成到高通下一代移动处理器当中，包括今天发布的高通骁龙Snapdragon 835芯片。

　　随着手机和平板电脑变得越来越大，性能需求越来越高，电池寿命一直是用户关注的重点。高通在一项研究中发现，快速充电功能已成为61%手机买家首要考虑的指标。

　　Quick Charge 4快速充电功能使用高通智能协商最佳电压（INOV）算法，该算法管理设备通过充电电缆请求的电量。Quick Charge 4其它功能还包括热管理，以确手机或平板电脑不会在充电过热，三星Galaxy Note 7就是在此问题上栽了跟头。

　　高通表示，使用Snapdragon 835的手机将获得三级电流和四级电压保护，以防止过热。Quick Charge 4比高通上一代快速充电技术缩短30%的充电时间，电池效率提高30%。另外和上一代技术相比，Quick Charge 4也将让手机温度降低高达5摄氏度。

　　Quick Charge 4不仅局限于智能手机，Quick Charge 4能够在几分钟内让平板电脑，VR耳机和无人机获得充足动力。目前，超过6亿个设备支持快速充电。