手机EOS保护方案如何通过350V的测试？

如今，快充已成为手机炙手可热的卖点，众多的手机设计制造商都想方设法的想要搭上这趟快车。而想要搭上这趟“快充专列”就必须通过严格的EOS测试，如何才能顺利通过350V的考验呢？一起来看看Leiditech是怎么做到的吧！

自从OPPO 手机的快充作为卖点，大家都觉得满足了自己的很大需求，快充电流从1A到2A ， 到目前已经在测试的5A，手机快充的需求日益增长，然而满足快充的产品却要通过很多严格的EOS测试，近来越来越多的客户关注产品的EOS测试，而且测试要求都是非常高，需要通过350V的测试，对普通的TVS ESD厂家来说，需要把产品封装控制在手机能接受的范围内，而且通过超高压的测试，真是高不可攀的目标。

Leiditech针对快充芯片的各种电压、电流需求，研发出超小封装的DFN2020大功率产品，最大可以满足近400V的EOS的测试，而且可以满足VC小于大部分快充IC的耐受电压，是快充IC的得力助手。

对应信号线，推荐选用0402封装2路的器件leiditech ESDA05CP3，可以满足30KV的静电保护需求。

 

 

 

市场目前需求的三种电压4.5V  7V 和12V的芯片保护产品都在批量推出：

 

 

具体应用电路方案如下图

雷卯电子专注过压过流保护，可以免费提供各类高速数据接口的静电、浪涌保护方案和样品。