怎样解释宽带隙和 窄带隙单体。。宽。窄指什么

一、带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。

带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体，例如GaN、SiN和ZnO。

小于3ev的就是窄带隙。

带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低。

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

二、宽窄的判定

宽是指>3ev 窄是指<3ev。

越大越好。宽带隙半导体，是指室温下带隙大于2.0电子伏特的半导体材料。从物理学上带隙越宽，其物理化学性质就越稳定，抗辐射性能越好，寿命越长，与此相对应，带隙宽的一个缺点是这种材料对太阳光的吸收较少，光电转换效率低。

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