什么是半导体?

什么是半导体?,第1张

半导体(Semiconductor)是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质,其电导率容易受控制,可作为信息处理的元件材料。

从科技或是经济发展的角度来看,半导体非常重要。很多电子产品,如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。

硅基半导体自旋量子比特以其长量子退相干时间和高 *** 控保真度,以及与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展性,成为量子计算研究的核心方向之一。

载流子是承载电流的粒子,可以是电子也可以是Electron hole。1、漂移电流的理解:在一个PN结二极管中,电子和Electron hole分别是P区和N区的少数载流子。由于载流子的扩散形成的从P到N区的扩散电流,恰好能与等量相反的漂移电流平衡。在一个偏置的PN结中,漂移电流与偏置无关,这是因为少数载流子的数量与偏置电压无关。但由于少数载流子可以通过升温产生,漂移电流是和温度有关的。2、扩散电流平衡的理解:pn结中多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动,扩散运动产生扩散电流。与之相对的有漂移运动,少子向对方漂移,称漂移运动 漂移运动产生漂移电流。从N区漂移到P区的Electron hole补充了原来交界面上P区所失去的Electron hole,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱。因此,漂移运动的结果是使空间电荷区变窄,扩散运动加强。最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。

半导体介于导体与非导体间之物质(如硅或锗),故其导电性居于金属与绝缘体之间,并随温度而增加。半导体材料,呈中度至高度之电阻性(视制造之际所掺杂之物质而定)。纯半导体材料( 称为内质半导体),导电性低;若于其中添加特定类型之杂质原子(成为外质半导体),则可大为增加其导电性。施体杂质(5价)可大量增加电子数目,而产生负型半导体;受体杂质(3价)则大量增加电洞数目,而产生正型半导体。此种外质半导体之导电性,端视其中杂质之类型及总量而定。不同导电性之半导体若经集合一起,可形成各种接面; 此即为半导体装置(供作电子组件使用)之基础。半导体一词,亦常意指此类装置本身(如晶体管、集成电路等)。

以导电性来说,应该知道有所谓的导体和绝缘体;而介于两者之间,导电性比金属导体小很多,却比绝缘体来得好的物质,就叫做『半导体』或『半金属』。

一般而言,硅(Si)是最常用的半导体材料,在硅中掺入微量的砷(As)、磷(P)或硼(B),就能改变硅的导电特性,形成n型(负性)或p型(正性)半导体。n型?p型?是什么意思呢?下面简单说明:

硅原子的最外层有四个电子,纯硅原子间以共价(共享电子)的方式,形成一相当稳定的状态。由于缺少自由电子,因此,纯硅的导电性极差。但是,如果我们在纯硅中掺入(doping)少许的砷或磷(最外层有五个电子),就会多出一个自由电子,这样就形成n型半导体;如果我们在纯硅中掺入少许的硼(最外层有三个电子),就反而少了一个电子,而形成一个电洞,这样就形成p型半导体(少了一个带负电荷的电子,可视为多了一个正电荷)。此时若在硅晶两端加电压,就能使电子产生自由移动而显著地增加其导电性。

除了n型和p型半导体,如果把两者连接起来,在它们的接合面会有特殊情形产生,我们把这个面称为p-n型接面(p-n junction)。一般熟知的晶体管、二极管等电子组件,就是利用p-n型接面而形成的。

半导体的重要性,在于我们可以利用改变半导体的电容,制成各种半导体组件,而使得电子工业、光学工业和能量系统都产生重大改进(如雷射、太阳能电池),近年来更广泛运用在计算机的芯片中。

半导体<semicondcctor>,顾名思义,是导电力介于金属等导体和玻璃等飞导电体的物质.若以导电率来看,半导体大致位于1e3-10(ohm-cm)间<这只是概分>.是温下铝的电阻系数为2.5e-6 ohm-cm,而玻璃则几乎无限大.会有这种现象是因为物质内部电子分布在不同的能量范围<或称能带>内,其中可让电子自由移动的能带称为导电带,除非导带内有电子可自由活动,否则物质将无法经由电子来传导电流.其它能带<导电带>的电子必须要克服能量障碍<指能隙>跃升致电导电带后,方可成为导电电子.例如玻璃,即是因为这能隙太大,使得电子再是温下无法跃至导电带后自由活动,所以是非导体.

至于半导体,其能量障碍不是很大,低于非导体,所以在高温,照光等给予能量的状况或是地加入一些可减小能量障碍的元素,便可以改变其电阻值,成为电的良导体.电子工业是利用半导体这种可随环境,参质的加入等而改变其导电能力的特性,发展出多项的应用产品.

半导体的材料又可分为元素半导体及化合物半导体.元素半导体是由一元素所组成的半导体,如Si,Ge等化合物半导体则是两种以上的元素所组成的半导体,如GaAs,Zns等,常运用于光电或高速组件中.


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