●内存
内存就是存储程序以及数据的地方，比如当我们在使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它就被存入内存中，当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘。在进一步理解它之前，还应认识一下它的物理概念。
●只读存储器（ROM）
ROM表示只读存储器（Read Only Memory），在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器掉电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。
●随机存储器（RAM）
随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有128M／条、256M／条、512M／条等。
●高速缓冲存储器（Cache）
Cache也是我们经常遇到的概念，它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问较慢的内存，当然，如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据。
当你理解了上述概念后，也许你会问，内存就是内存，为什么又会出现各种内存名词，这到底又是怎么回事呢？
在回答这个问题之前，我们再来看看下面这一段。
物理存储器和地址空间
物理存储器和存储地址空间是两个不同的概念。但是由于这两者有十分密切的关系，而且两者都用B、KB、MB、GB来度量其容量大小，因此容易产生认识上的混淆。初学者弄清这两个不同的概念，有助于进一步认识内存储器和用好内存储器。
物理存储器是指实际存在的具体存储器芯片。如主板上装插的内存条和装载有系统的BIOS的ROM芯片，显示卡上的显示RAM芯片和装载显示BIOS的ROM芯片，以及各种适配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存储器。
存储地址空间是指对存储器编码（编码地址）的范围。所谓编码就是对每一个物理存储单元（一个字节）分配一个号码，通常叫作“编址”。分配一个号码给一个存储单元的目的是为了便于找到它，完成数据的读写，这就是所谓的“寻址”（所以，有人也把地址空间称为寻址空间）。
地址空间的大小和物理存储器的大小并不一定相等。举个例子来说明这个问题：某层楼共有17个房间，其编号为801～817。这17个房间是物理的，而其地址空间采用了三位编码，其范围是800～899共100个地址，可见地址空间是大于实际房间数量的。
对于386以上档次的微机，其地址总线为32位，因此地址空间可达232即4GB。但实际上我们所配置的物理存储器通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等，远小于地址空间所允许的范围。
好了，现在可以解释为什么会产生诸如：常规内存、保留内存、上位内存、高端内存、扩充内存和扩展内存等不同内存类型。
各种内存概念
这里需要明确的是，我们讨论的不同内存的概念是建立在寻址空间上的。
IBM推出的第一台PC机采用的CPU是8088芯片，它只有20根地址线，也就是说，它的地址空间是1MB。
PC机的设计师将1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及应用程序使用，高端的384KB则保留给ROM、视频适配卡等系统使用。从此，这个界限便被确定了下来并且沿用至今。低端的640KB就被称为常规内存即PC机的基本RAM区。保留内存中的低128KB是显示缓冲区，高64KB是系统BIOS（基本输入／输出系统）空间，其余192KB空间留用。从对应的物理存储器来看，基本内存区只使用了512KB芯片，占用0000至80000这512KB地址。显示内存区虽有128KB空间，但对单色显示器（MDA卡）只需4KB就足够了，因此只安装4KB的物理存储器芯片，占用了B0000至B10000这4KB的空间，如果使用彩色显示器（CGA卡）需要安装16KB的物理存储器，占用B8000至BC000这16KB的空间，可见实际使用的地址范围都小于允许使用的地址空间。
在当时（1980年末至1981年初）这么“大”容量的内存对PC机使用者来说似乎已经足够了，但是随着程序的不断增大，图象和声音的不断丰富，以及能访问更大内存空间的新型CPU相继出现，最初的PC机和MS－DOS设计的局限性变得越来越明显。
1.什么是扩充内存？
EMS工作原理
到1984年，即286被普遍接受不久，人们越来越认识到640KB的限制已成为大型程序的障碍，这时，Intel和Lotus，这两家硬、软件的杰出代表，联手制定了一个由硬件和软件相结合的方案，此方法使所有PC机存取640KB以上RAM成为可能。而Microsoft刚推出Windows不久，对内存空间的要求也很高，因此它也及时加入了该行列。
在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定义了LIM－EMS，即扩充内存规范，通常称EMS为扩充内存。当时，EMS需要一个安装在I／O槽口的内存扩充卡和一个称为EMS的扩充内存管理程序方可使用。但是I／O插槽的地址线只有24位（ISA总线），这对于386以上档次的32位机是不能适应的。所以，现在已很少使用内存扩充卡。现在微机中的扩充内存通常是用软件如DOS中的EMM386把扩展内存模拟或扩充内存来使用。所以，扩充内存和扩展内存的区别并不在于其物理存储器的位置，而在于使用什么方法来读写它。下面将作进一步介绍。
前面已经说过扩充存储器也可以由扩展存储器模拟转换而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了页帧方式。页帧是在1MB空间中指定一块64KB空间（通常在保留内存区内，但其物理存储器来自扩展存储器），分为4页，每页16KB。EMS存储器也按16KB分页，每次可交换4页内容，以此方式可访问全部EMS存储器。符合EMS的驱动程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。
2.什么是扩展内存？
我们知道，286有24位地址线，它可寻址16MB的地址空间，而386有32位地址线，它可寻址高达4GB的地址空间，为了区别起见，我们把1MB以上的地址空间称为扩展内存XMS（eXtend memory）。
在386以上档次的微机中，有两种存储器工作方式，一种称为实地址方式或实方式，另一种称为保护方式。在实方式下，物理地址仍使用20位，所以最大寻址空间为1MB，以便与8086兼容。保护方式采用32位物理地址，寻址范围可达4GB。DOS系统在实方式下工作，它管理的内存空间仍为1MB，因此它不能直接使用扩展存储器。为此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下扩展内存的使用标准，即扩展内存规范XMS。我们常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理扩展内存的驱动程序。
扩展内存管理规范的出现迟于扩充内存管理规范。
3.什么是高端内存区？
在实方式下，内存单元的地址可记为：
段地址：段内偏移
通常用十六进制写为XXXX：XXXX。实际的物理地址由段地址左移4位再和段内偏移相加而成。若地址各位均为1时，即为FFFF：FFFF。其实际物理地址为：FFF0＋FFFF=10FFEF，约为1088KB（少16字节），这已超过1MB范围进入扩展内存了。这个进入扩展内存的区域约为64KB，是1MB以上空间的第一个64KB。我们把它称为高端内存区HMA（High Memory Area）。HMA的物理存储器是由扩展存储器取得的。因此要使用HMA，必须要有物理的扩展存储器存在。此外HMA的建立和使用还需要XMS驱动程序HIMEM.SYS的支持，因此只有装入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。
4.什么是上位内存？
为了解释上位内存的概念，我们还得回过头看看保留内存区。保留内存区是指640KB～1024KB（共384KB）区域。这部分区域在PC诞生之初就明确是保留给系统使用的，用户程序无法插足。但这部分空间并没有充分使用，因此大家都想对剩余的部分打主意，分一块地址空间（注意：是地址空间，而不是物理存储器）来使用。于是就得到了又一块内存区域UMB。
UMB（Upper Memory Blocks）称为上位内存或上位内存块。它是由挤占保留内存中剩余未用的空间而产生的，它的物理存储器仍然取自物理的扩展存储器，它的管理驱动程序是EMS驱动程序。
5.什么是SHADOW（影子）内存？
对于细心的读者，可能还会发现一个问题：即是对于装有1MB或1MB以上物理存储器的机器，其640KB～1024KB这部分物理存储器如何使用的问题。由于这部分地址空间已分配为系统使用，所以不能再重复使用。为了利用这部分物理存储器，在某些386系统中，提供了一个重定位功能，即把这部分物理存储器的地址重定位为1024KB～1408KB。这样，这部分物理存储器就变成了扩展存储器，当然可以使用了。但这种重定位功能在当今高档机器中不再使用，而把这部分物理存储器保留作为Shadow存储器。Shadow存储器可以占据的地址空间与对应的ROM是相同的。Shadow由RAM组成，其速度大大高于ROM。当把ROM中的内容（各种BIOS程序）装入相同地址的Shadow RAM中，就可以从RAM中访问BIOS，而不必再访问ROM。这样将大大提高系统性能。因此在设置CMOS参数时，应将相应的Shadow区设为允许使用（Enabled）。
6、什么是奇/偶校验？
奇/偶校验（ECC）是数据传送时采用的一种校正数据错误的一种方式，分为奇校验和偶校验两种。
如果是采用奇校验，在传送每一个字节的时候另外附加一位作为校验位，当实际数据中“1”的个数为偶数的时候，这个校验位就是“1”，否则这个校验位就是“0”，这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求。在接收方收到数据时，将按照奇校验的要求检测数据中“1”的个数，如果是奇数，表示传送正确，否则表示传送错误。
同理偶校验的过程和奇校验的过程一样，只是检测数据中“1”的个数为偶数。
总 结
经过上面分析，内存储器的划分可归纳如下：
●基本内存 占据0～640KB地址空间。
●保留内存 占据640KB～1024KB地址空间。分配给显示缓冲存储器、各适配卡上的ROM和系统ROM BIOS，剩余空间可作上位内存UMB。UMB的物理存储器取自物理扩展存储器。此范围的物理RAM可作为Shadow RAM使用。
●上位内存（UMB） 利用保留内存中未分配使用的地址空间建立，其物理存储器由物理扩展存储器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驱动程序设定。
●高端内存（HMA） 扩展内存中的第一个64KB区域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。
●XMS内存 符合XMS规范管理的扩展内存区。其驱动程序为HIMEM.SYS。
●EMS内存 符合EMS规范管理的扩充内存区。其驱动程序为EMM386.EXE等。 支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同的主板所支持的内存类型是不相同的。早期的主板使用的内存类型主要有FPM、EDO、，SDRAM、RDRAM，目前主板常见的有DDR、DDR2内存。
FPM内存
FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是较早的PC机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。
EDO内存
EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。
SDRAM内存
SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。
RDRAM内存
RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。
DDR SDRAM内存
DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类型。
DDR2
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR2内存的频率
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS *** 作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
ECC并不是内存类型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一种具有自动纠错功能的内存，英特尔的82430HX芯片组就开始支持它，使用该芯片组的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中，例如服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，而且普通的主板也并不支持ECC内存，所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。
参考资料：http://baike.baidu.com/view/1082.html
什么是DDR2？DDR2是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的，而JEDEC 的成员来自主流大公司的工程师，比如AMD、Intel、Micron和Corsair 等著名的半导体公司，因为这些工程师身在技术开发的第一线，因此他们知道消费者需要的是什么，并且由于精通这些技术才能开发出更具前瞻性的标准，而这些标准一旦确立，就将被整个工业界采纳成为规范。
DDR 2的内存能够提供比传统SDRAM快四倍，且比DDR快两倍的工作频率。DDR2包含一些新的特性改善速度以及带宽。DDR以及DDR2同样都是64BIT的介面，DDR2需要240针脚，而DDR只需184针脚。DDR2的工作电压是1.8V，DDR是2.5V。DDR颗粒容量为128Mb-1Gb，DDR2是256Mb-2Gb（或者更高）,DDR的消耗功耗为527MW，DDR2是247MW。DDR2借由4位元的预存取长度以及双倍外部时钟信号来增加它的速度，并且使用FBGA封装技术，1.8伏特的工作电压，拥有良好的电气性能以及较低的功耗。
DDR2包含下列5个特性：
1.8V的工作电压
4BIT的预存取长度（DDR为2BIT）
包含记忆体上的信号终止器（ON DIE TERMINATION）
POSTED CAS以及ADDITIVE LATENCY（AL）
OCD（OFF-CHIP DRIVER）
目前关于DDR2，在消费者和商家之间被广泛讨论，他们对这些觉得很多疑问，DDR2真的就比DDR 快吗？DDR2 由于比DDR 先进，它的工作频率也更高了。当然，现在DDR 的速度仍旧可以提升，而DDR2 大规模的速度也未可预料。
那么为什么DDR2 的速度可以如此高呢？这主要是由于芯片使用了新的技术和特征，改进了数据信号的集成度，使得有能力运作在更快速的时钟速度。这些技术包括了“On-Die Termination”和“Off-Chip Driver Calibration”，当然还有很多其它的新技术，比如DDR2 有更大的4-bit 预取，增强的寄存器，还增加了延迟的时间。On-Die Termination 或者ODT ，意味着Mount Termination Register(装载终端晶体管)，已经从主板的本身转移到了DRAM 芯片上面。这样，可以通过控制在传输路径中的反射噪音，从而改进信号的完整性，并且由于更好地处理好了终端晶体管的放置和布线，系统的设计也更加简单了。
Off-Chip Driver Calibration 或者OCD ，是一些I/O驱动电阻，它可以通过调整电压而平衡Pull-up/Pull-down 电阻。通过最少DQ-DQS 畸变，改进了信号的完整性，并且通过控制overshoot和undershoot，还有通过I/O 驱动电压校验，改进信号的质量。
在4-bit 预取的架构里面，DDR2 SDRAM 每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。这里有点想请大家注意，那就是DDR2 的内部时钟要比DDR1 更慢，不过由于它的预取要比DDR1 大，因此外部时钟被加倍了。例如，我们使用DDR2 的4-bit 预取在今天的DDR400 上面，那么它将运作在DDR800 。不过既然这是不可能的，因此DDR2 400模组的内部时钟仅能够降低到100MHz，而DDR2-533 则为133MHz ，DDR400和DDR2 400 有相似的性能。
对于我们这些需要最新最快速技术的人，这究竟以意味什么？基本上来说，没有，也就是说从DDR400 到DDR2 400没有性能的增长，甚至从DDR-533 到DDR2-533 也依然如此。
目前DDR2 面临的最大挑战，是它没有向后的兼容性，虽然说DDR2 和DDR 都使用了相同的插座，但是要知道DDR2 使用了240pin 的封装，而DDR 的封装则为184pin ，且两种类型内存凹口的位置也并不相同。未来很可能会发布DDR2 内存以适应当前的DDR1 主板，但是并不会带来很大的性能增长，如果我们真正想享受DDR2 内存的乐趣，就要购买真正支持DDR 2内存的主板。
大家已经看出DDR2目前的性能的确未比DDR提升多少，但DDR2注定为内存的发展趋势，AMD就仅仅出于目前的性能的考虑就放弃对DDR2的支持吗？这不免会令人产生疑问！DDR2的性能问题的确是AMD放弃今年对其支持的一个原因却不一定会是主要原因，根本原因到底是什么呢？这就要看AMD的市场策略了，大家都知道AMD产品一直是以其较低的价格和优良的性能和Intel相抗衡。那我们就看看AMD前两年都做了些什么吧。
AMD频繁更换处理器的Socket，已经让芯片组设计商和主板制造商吃不消了，要知道Opteron 和Athlon64、Athlon FX 都有使用不同Socket的版本，AMD 的伙伴认为开发需要的费用还没有赚回来，就又要投入大量的经费进行技术研究，纷纷对AMD 提出抗议，因此而迫使了AMD 939-pin 处理器的发布日期被迫推迟，如果在今年再支持DDR2 的话，相信AMD首先面临芯片组设计商和主板制造商的巨大阻力。
再者64-bit 处理器本身就较为昂贵，再支持DDR2 内存的话，想想它们的身价已经达到了几何？价格之昂贵，我相信真的并非一般爱好者能够吃得消。AMD 本身就非常推崇性能、价格和实用，在三者没有达到最佳平衡点之前，恐怕AMD不会轻易出手。
大家从上面不免有看出了AMD的一丝无奈，感觉不支持DDR2也是AMD没办法的事情。然而我们千万不要小看AMD，其实它还是很聪明很有技术含量的。为什么说它聪明呢？我们都看到了不支持DDR2可能会给AMD的产品带来不利的影响，但仔细考虑一下也没有必要为这个担心。毕竟AMD是处理器市场的老二，它要是不支持DDR2定会影响DDR2的推广速度。从现在到667MHz DDR2存储芯片推出时这段时间内，消费者对DDR2的产品也会采取一定的观望态度。这为AMD的939-pin 处理器争取了时间，相信大家也都看到了这样一则关于AMD的新闻： “超微公司（AMD）首席执行官（CEO）Hector Ruiz博士开始在任期内首度访台行程，走访多家台系芯片组业者及ODM龙头大厂。据芯片组业者透露，超微为阻止英特尔（Intel）64位大军，规划在第二季度（Q2）加快平台转换脚步，K8平台产品将在Q2跃居出货主力，而且在Q3季度出货增长将达40％，尽管超微规划的数字不免有夸大嫌疑，但在英特尔独大且其产品线无利可图情况下，台湾厂商也只能姑且信之。”
事实上，对于台湾业者而言，不管是芯片组厂或是主板厂商，都将AMD平台产品视为是获利的重要来源，以主板产品为例，由于超微（AMD）平台芯片组不需要缴交授权金，加上是通路内销市场热门产品，因此，超微K8平台产品毛利就是比P4高出3～5％。我想2005年，AMD就是想通过不支持DDR2来和Intel打价格战，这个策略的确是可行的，今年为了更深入推广DDR2，Intel一定会使自己的产品进一步向DDR2技术过渡直至其全面占领市场。而2005年还会是过度的一年，也就是说在2005年，Intel的DDR2产品的价格还是不菲的，无疑AMD的产品会在这段时间内会占据一定的优势。这就是AMD的聪明之处。
上面说的AMD很有技术含量又是怎样一回事呢？是这样的：Intel的实现DDR2的方法比较困难，如果它想要使用更高时钟速度的内存，就必须同时升级处理器的FSB 时钟，还有内存控制器，也就是说主板制造商必须使用全新设计的支持DDR2 内存的北桥芯片。而由于AMD 的处理器使用了内建的内存控制器，因此它支持的内存时钟也是被限制定了。只要内存控制器更换了，主板制造商也只需把184pin DDR1 DIMM 换为240pin DIMM 就可以支持DDR2了，无须使用新的北桥芯片，非常方便。支持DDR2能使AMD产品性能得到更高的提升，这样AMD可以延续自己的竞争力，这可以说这是AMD的一张王牌。而且时机未到AMD这张王牌是不会出手的。
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