中科院的半导体所怎么样?

中科院的半导体所挺好的，中国科学院半导体研究所于1960年成立，是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。

据2016年9月研究所官网显示，研究所拥有14个科研机构，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室。

拥有3个博士后流动站，3个一级学科博士培养点，包括5个二级学科博士培养点。拥有5个二级学科硕士培养点，3个专业学位硕士培养点。共有职工690余名，在学研究生近600名。

2019年，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC-DFB）结构，成功实现了2μm波段高性能单模激光器，综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。

以上内容参考：百度百科--中国科学院半导体研究所

中科院半导体所2022年度“科创计划”项目已经开始申请，我在系统中提交了三个题目：1硅光探测器与激光器的设计与优化 2 机器学习与半导体光电子器件 3 光电子仿真平台开发。我同事提交的题目：1 智能检测机器人 2 可穿戴电子 3 新型生化传感器 。有兴趣的可以报名，也可以直接联系我，咨询详细的情况。联系方式：微信同手机号：15652189835。我同事手机号：19901209106。科创计划的实际通知如下：

一、资助方式及资助对象

“科创计划”以科研项目的形式进行资助，项目执行期一般为6-12个月。

资助全国高校二年级或三年级本科学生。申请者需要具有一定的创新意识和科研探索精神，具有浓厚科研兴趣和扎实的基础理论知识。

二、项目开展程序

（一）学生网上填报项目申请

有意向的学生在与项目指导教师充分沟通后，登录中国科学院大学科教结合协同育人行动计划（http://kjxt.ucas.ac.cn/index.php/zh/），选择科创计划进行注册，然后在网上进行项目填报，请注意随时保存信息。全部填报完毕并确认无误后，点击提交，下载并打印申请表，请学籍所在学校（或学院）签字盖章后于2022年6月17日前寄至半导体所研究生部。

注意：

1.项目申请学生需要获得学籍所在学校（或学院）的同意。

2.学生递交研究所的签字盖章后项目申请表需要与网上保存提交的申请表版本完全一致。

3.项目申请指南和系统使用说明在系统登录后可查询。

（二）研究所审核与立项

研究所主管部门收到学生报送的纸质版《科创项目申请表》，联系相关指导教师进行审核并签字确认。

研究生部将组织专家进行评审，并在科教协同系统的科创计划内填报项目执行期限和项目经费额度，完成项目审核立项。

系统维护项目立项信息后，学生将自动收到项目立项的邮件通知，同时学生也可在系统中查询到立项信息。

（三）项目结题总结

学生在项目完成1个月内，需要在科教结合协同育人行动计划科创计划内登录原报名账号提交项目总结，并打印自动生成项目总结。签字后报指导教师审核签字，研究生部签署意见后归档

发布讣告

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

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