半导体电流向问题

是这样

负极的电子流向正点空穴，原空穴附近的电子流向更靠近正极空穴。。。。正极附近的电子流向正极，在正极附近产生空穴。这个过程循环反复。形成电流

二极管负向是截止的，正向压降根据材料不同，0。3v 或者0.7v导通

二极管的反向电流：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

扩展资料：

晶体管的反向电流包括：ICBO和ICEO。

1、ICBO：

ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。

2、ICEO：

ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

参考资料来源：百度百科——二极管

二极管具有单向导电性,所以正向,可以认为是小电阻或者说是无电阻,反向是超大电阻.

原理是因为二极管是有两种性质不同的半导体,拼结而成的,怎么说呢,一种半导体,含有很多允许自由电子通过的空穴,但自己却含有很少的自由电子叫P型半导体,而另一种则是还有较多自由电子,但却因此缺乏容纳电子的空穴叫N型半导体.如果正向加电压,电子从N向P移动,这样因为N有大量自由电子,P有大量允许电子通过的空穴空穴,这样电子很顺利的就过去了,电阻小,而反接就不一样了,由于流动的不顺畅,在拼接处,P的电子堆积,而N的拼接处电子流失,导致产生了一个和电源相反的电动势,平衡后就不会在产生电流了,不过电压足够大,这个平衡会被击穿的.

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